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ASML 分享 High-NA EUV 光刻機最新進展:目標 2024-2025 年進廠
- 5 月 29 日消息,半導體行業(yè)花了十多年的時間來準備極紫外線 (EUV) 光刻技術,而新的高數(shù)值孔徑 EUV 光刻(High-NA EUV)技術將會比這更快。目前,最先進的芯片是 4/5 納米級工藝,下半年三星和臺積電還能量產(chǎn) 3nm 技術,而對于使用 ASML EUV 光刻技術的 Twinscan NXE:3400C 及類似系統(tǒng)來說,它們大都具有 0.33 NA(數(shù)值孔徑)的光學器件,可提供 13 nm 分辨率。目前來看,這種分辨率尺寸對于 7 nm / 6 nm 節(jié)點 (36 nm ~ 38 nm)
- 關鍵字: EUV 光刻機 ASML
應用材料推出運用EUV延展2D微縮與3D環(huán)繞閘極晶體管技術

- 半導體設備大廠應用材料推出多項創(chuàng)新技術,協(xié)助客戶運用極紫外光(EUV)持續(xù)進行2D微縮,并展示業(yè)界最完整的次世代3D環(huán)繞閘極(Gate-All-Around,GAA)晶體管制造技術組合。芯片制造商正試圖透過兩個可相互搭配的途徑來增加未來幾年的晶體管密度。一種是依循傳統(tǒng)摩爾定律的2D微縮技術,使用EUV微影系統(tǒng)與材料工程以縮小線寬。另一種是使用設計技術優(yōu)化(DTCO)與3D技術,巧妙地藉由優(yōu)化邏輯單元布局來增加密度,而不需要改變微影間距。第二種方法需要使用晶背電源分配網(wǎng)絡與環(huán)繞閘極晶體管,隨著傳統(tǒng)2D微縮技
- 關鍵字: 應用材料 EUV 2D微縮 3D環(huán)繞閘極 晶體管
ASML公司開撕美國?光源技術不是根源,不交付EUV光刻機另有原因
- ASML公司雖然是荷蘭企業(yè),但不少網(wǎng)友都把ASML公司“美”化了,這里的“美”指的是美國。在華為遭遇到芯片封鎖之前,中國半導體企業(yè)就曾向ASML公司支付了定金,采購了一臺EUV光刻機。然而,ASML公司卻遲遲沒有發(fā)貨,這也引起了網(wǎng)友的各種猜疑。眾所周知,全世界只有ASML公司能夠生產(chǎn)EUV光刻機,而一部EUV光刻機上就有超過10w的精密零件,各方面的技術也是來自全世界各國的頂尖技術。所以ASML公司的光刻機一直是供不應求。但明明已經(jīng)收了定金,10億一部的EUV光刻機,ASML公司為何有生意不做呢?大部分的
- 關鍵字: EUV ASML 光刻機
ASML:努力向中國提供一切能夠提供的技術

- 芯片行業(yè)一直是困擾全球的“卡脖子”領域,而其中核心的光刻機技術被幾家公司牢牢的攥在手里。想要在芯片領域有長足的進步,光刻機這種核心設備就要有所突破。而之前美國通過自身在全球市場的控制能力,通過修改法案等手段一直將光刻機設備和技術限制對中國進行輸出。但近期光刻機頭部企業(yè)ASML則明確表態(tài)將會盡其所能向中國市場提供一切他們能夠提供的技術,其中DUV光刻機將會不需要認可許可即可向中方企業(yè)提供。ASML光刻機除此之外,ASML表示在當前法律框架之下,他們除了EUV光刻機無法向中方企業(yè)提供,其他產(chǎn)品都可以正常發(fā)售。
- 關鍵字: ASML EUV 光刻機
阿斯麥的新一代EUV光刻機:造價1.5億美元 公共汽車大小

- 9月2日消息,荷蘭阿斯麥的新一代極紫外(EUV)光刻機每臺有公共汽車大小,造價1.5億美元。其前所未有的精度可以讓芯片上的元件尺寸在未來幾年繼續(xù)縮小?! ≡谖挥诿绹的腋裰萁紖^(qū)的一間大型潔凈室里,工程師們已經(jīng)開始為一臺機器制造關鍵部件,這臺機器有望讓芯片制造行業(yè)沿著摩爾定律至少再走上10年時間?! ∵@臺極紫外光刻機是由荷蘭阿斯麥公司制造的。阿斯麥于2017年推出世界上第一臺量產(chǎn)的極紫外光刻機,在芯片制造領域發(fā)揮著至關重要的作用,已經(jīng)被用于制造iPhone手機芯片以及人工智能處理器等最先進的芯片。阿斯
- 關鍵字: 阿斯麥 EUV 光刻機
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