首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> nxe:3800e euv

重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族 成大勢所趨

  • 　　英特爾在14奈米及10奈米制程推進出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業(yè)界及市場質(zhì)疑：摩爾定律是否已達極限?不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術(shù)世代交替的極紫外光(EUV)，以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導(dǎo)體材料。 　　摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關(guān)鍵在于微影技術(shù)難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
  • 關(guān)鍵字： 摩爾定律  EUV  

EUV微影技術(shù)準(zhǔn)備好了嗎？

  • 　　又到了超紫外光(EUV)微影技術(shù)的關(guān)鍵時刻了?？v觀整個半導(dǎo)體發(fā)展藍圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術(shù)論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。 　　到了下一代的10nm節(jié)點，降低每電晶體成本將會變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點時導(dǎo)入EUV微影。更進一步來看，當(dāng)擴展到超越5nm節(jié)點時可能就需要一種全新的晶片技術(shù)了。 　　目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長久以來一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會成為一個昂貴的半節(jié)點。 　　不過，研究人
  • 關(guān)鍵字： EUV  SanDisk  

臺積電采購EUV 2018年或邁入7納米時代

  • 按照現(xiàn)在量產(chǎn)產(chǎn)品工藝進展的速度，幾乎可以預(yù)見的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術(shù)上能實現(xiàn)，在商業(yè)上來看也不能算是理性的選擇。
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  7納米  EUV  

2016年EUV降臨 半導(dǎo)體格局生變

  • 　ASML公司第3代極紫外光(EUV)設(shè)備已出貨6臺。這預(yù)示著預(yù)示了全球兩家頂級大廠未來采用EUV光刻技術(shù)，在10nm的量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù)選項中幾乎同步，或者說臺積電在10nm時順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  EUV  

EUV將在7納米節(jié)點發(fā)威？

  • 　　核心提示：荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點因為無法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。 　　荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導(dǎo)體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)來生產(chǎn)10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術(shù);不過這恐怕將使得
  • 關(guān)鍵字： EUV  7納米  

KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統(tǒng)

  • 　　KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產(chǎn)品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質(zhì)量控制解決方案，支持 20nm 及更小設(shè)計節(jié)點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學(xué)技術(shù)，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質(zhì)量，監(jiān)控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)能，可支持更快的生產(chǎn)周期，以滿足檢驗
  • 關(guān)鍵字： KLA-Tencor  SL650  EUV  

EUV遭受新挫折 半導(dǎo)體10nm工藝步伐蹉跎

  • 當(dāng)半導(dǎo)體工藝發(fā)展到10nm水平時，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經(jīng)典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
  • 關(guān)鍵字： EUV  10nm  

EUV光刻技術(shù)或助力芯片突破摩爾定律

  • 　　據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術(shù)變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質(zhì)疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。 　　摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內(nèi)容為：當(dāng)價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術(shù)進步的速度。 　　在幾十年來，芯片技術(shù)得以快速變革和發(fā)展，變得更加強大，節(jié)省了更
  • 關(guān)鍵字： EUV  摩爾定律  

ASML提升新EUV機臺技術(shù)生產(chǎn)效率

  • 　　微影設(shè)備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術(shù)的生產(chǎn)效率，在2012年購并光源供應(yīng)商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產(chǎn)出片數(shù)為43片，預(yù)計2013年底前，可達到80瓦的目標(biāo)，2015年達250瓦、每小時產(chǎn)出125片。 　　半導(dǎo)體生產(chǎn)進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導(dǎo)致生產(chǎn)流程拉長，成本會大幅墊高，半導(dǎo)體大廠為
  • 關(guān)鍵字： ASML  EUV  

ASML：量產(chǎn)型EUV機臺2015年就位

  • 　　極紫外光(EUV)微影技術(shù)將于2015年突破量產(chǎn)瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術(shù)在半導(dǎo)體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產(chǎn)業(yè)明日之星。設(shè)備供應(yīng)商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產(chǎn)出速度，預(yù)計2015年可發(fā)布首款量產(chǎn)型EUV機臺。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎(chǔ)研究，但目前對相關(guān)設(shè)備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。 　　ASML亞太區(qū)技術(shù)行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
  • 關(guān)鍵字： ASML  EUV  

全球半導(dǎo)體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)

  • 　　5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預(yù)計2013年還將有14%的增長。 　　臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導(dǎo)體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進制程技術(shù)，希望在10nm附近全面趕上英特爾。 　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內(nèi)，在工藝制程方面趕上臺積電。 　　
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體代工  EUV  

Intel：14nm進展順利 一兩年后量產(chǎn)

  • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內(nèi)投入量產(chǎn)。 　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產(chǎn)擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產(chǎn)要等到2014年了。 　　而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。 　　Rattner指出，Intel
  • 關(guān)鍵字： Intel  晶圓  EUV  

臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術(shù)

  • 而關(guān)于臺積電是否足夠支應(yīng)大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預(yù)估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費用。
  • 關(guān)鍵字： 臺積電  EUV  

IMEC用EUV曝光裝置成功曝光晶圓

  • 　　IMEC宣布，成功利用ASML的EUV(extreme ultraviolet)曝光裝置NXE:3100進行曝光。該EUV曝光裝置配備了日本牛尾電機的全資子公司德國XTREME technologies GmbH公司生產(chǎn)的LA-DPP(laser assisted discharge produced plasma)方式EUV光源。
  • 關(guān)鍵字： EUV  晶圓  

MIT研究顯示電子束光刻可達9納米精度

  • 　　美國麻省理工學(xué)院(MIT)的研究人員日前發(fā)表的一項研究成果顯示，電子束“光刻”精度可以小到9納米的范圍，刷新了以前一項精度為25納米的結(jié)果，這一進展有可能為電子束“光刻”和EUV(超紫外)光刻技術(shù)展開競爭提供了動力。盡管EUV光刻技術(shù)目前在商業(yè)化方面領(lǐng)先一步，有可能在22納米以下的工藝生產(chǎn)中取代目前使用的浸末式光刻技術(shù)，但EUV光刻還面臨一些棘手的問題，如強光源和光掩膜保護膜等，而采用電子束“光刻”則不會存在這些問題。
  • 關(guān)鍵字： 光刻  EUV  
共194條 12/13 |‹ « 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 »

nxe:3800e euv介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條nxe:3800e euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nxe:3800e euv的理解，并與今后在此搜索nxe:3800e euv的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473