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北大碳基集成電路成果被《2017中國(guó)自然指數(shù)》專題報(bào)道

　　2017年5月25日，英國(guó)《自然》期刊增刊《2017中國(guó)自然指數(shù)》(第5545卷，7655期)出版。最新的自然指數(shù)(nature index)表明，在過去15年中，材料科學(xué)(尤其是納米材料等)領(lǐng)域已成為各國(guó)政策制定者的關(guān)注重點(diǎn)，大力投資材料科學(xué)也成為中國(guó)整體科技戰(zhàn)略的重要組成部分。近年來，中國(guó)始終是在材料科學(xué)領(lǐng)域發(fā)表論文最多的國(guó)家，其背后是政府的大規(guī)模資金投入和大力引進(jìn)人才。然而，材料科學(xué)家認(rèn)為，需要將更多的資源投入到基礎(chǔ)研究的轉(zhuǎn)化中;應(yīng)用科學(xué)家表示，如果沒有足夠的扶持，中國(guó)在材料研究商業(yè)化方面的努力
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單芯片毫米波傳感器步入CMOS時(shí)代

CMOS內(nèi)的數(shù)字縮放降低了功率，縮小了尺寸，并且提高了每個(gè)節(jié)點(diǎn)的性能。同時(shí)，CMOS技術(shù)進(jìn)一步提高了在模擬組件中嵌入數(shù)字功能的能力，從而實(shí)現(xiàn)了在雷達(dá)系統(tǒng)部署方面的全新系統(tǒng)配置和拓?fù)洹?/li>
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基于RF電路常見設(shè)計(jì)問題，在同塊PCB種數(shù)字電路與RF電路如何和諧相處？

　　單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無(wú)線通信領(lǐng)域的應(yīng)用，采用合適的微控制器和天線并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無(wú)線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上，應(yīng)用于無(wú)線數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，無(wú)線遙控和遙測(cè)系統(tǒng)，無(wú)線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)以及無(wú)線安全防范系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域?！　? 數(shù)字電路與模擬電路的潛在矛盾　　如果模擬電路(射頻) 和數(shù)字電路(微控制器) 單獨(dú)工作可能各自工作良好，但是一旦將兩者放在同一塊電路板上，使用同一個(gè)電源供電一起工作，整個(gè)系統(tǒng)很可能就會(huì)不穩(wěn)定。這
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后CMOS時(shí)代 Intel稱有12種設(shè)想可降低產(chǎn)品功耗

　　自從14nm節(jié)點(diǎn)開始，Intel在傳統(tǒng)CMOS半導(dǎo)體工藝升級(jí)上的步伐就慢下來了，Tick-Tock戰(zhàn)略名存實(shí)亡，還被TSMC、三星兩家趕超、奚落，甚至連市值都被TSMC超越了，以致于Intel為了挽回面子都想法推動(dòng)新的半導(dǎo)體工藝命名規(guī)則了。傳統(tǒng)CMOS工藝很可能在2024年終結(jié)，對(duì)此Intel也不是沒有準(zhǔn)備，最近他們公布了后CMOS時(shí)代的一些技術(shù)思路，Intel的目標(biāo)是在保持現(xiàn)有晶圓工廠的情況下制造功耗更低的產(chǎn)品，電壓可以低至0.5V，這在目前的晶體管下是不可能的。　　根據(jù)EE
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芯片業(yè)追尋后CMOS時(shí)代研發(fā)新方向

傳統(tǒng)的硅基半導(dǎo)體技術(shù)形成了摩爾定律的基礎(chǔ)，并在數(shù)十年來持續(xù)落實(shí)于產(chǎn)業(yè)界，如今它正日益成熟，業(yè)界也越來越迫切需要一種超越硅晶的新技術(shù)藍(lán)圖...
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摩爾定律活不久了 CMOS電路被判“死刑”

盡管Intel一直嘴硬說摩爾定律未滅，但傳統(tǒng)半導(dǎo)體這幾年內(nèi)確實(shí)面臨著很大挑戰(zhàn)，IRDS日前發(fā)布的一份報(bào)告則給CMOS電路判了死刑——2024年它就會(huì)終結(jié)了。
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索尼再現(xiàn)黑科技:將DRAM集成到CMOS傳感器

　　索尼這幾年的手機(jī)之路走得并不平坦，不過沒有隨波逐流，漸漸變得默默無(wú)聞。作為黑科技的代名詞，索尼在半導(dǎo)體上的造詣可不是一般的強(qiáng)大?？赡芎芏嗳藭?huì)覺得索尼沒聽說在半導(dǎo)體上有哪些重大貢獻(xiàn)，但是如果索尼的半導(dǎo)體工廠停工，因?yàn)槿虻氖謾C(jī)CMOS大部分來自索尼。　　索尼XZ Prumium 　　索尼鏡頭　　索尼展示技術(shù) 　　在今年的MWC上，索尼除了帶來全新的智能手機(jī)之外，他們還帶來了全新的三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)索尼官方介紹，三層堆疊式CMOS傳感器是在像素層和信號(hào)處理電路之間加入一層
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一塊PCB板上如何安置RF電路和數(shù)字電路這兩尊大神？

　　單片射頻器件大大方便了一定范圍內(nèi)無(wú)線通信領(lǐng)域的應(yīng)用，采用合適的微控制器和天線并結(jié)合此收發(fā)器件即可構(gòu)成完整的無(wú)線通信鏈路。它們可以集成在一塊很小的電路板上，應(yīng)用于無(wú)線數(shù)字音頻、數(shù)字視頻數(shù)據(jù)傳輸系統(tǒng)，無(wú)線遙控和遙測(cè)系統(tǒng)，無(wú)線數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)，無(wú)線網(wǎng)絡(luò)以及無(wú)線安全防范系統(tǒng)等眾多領(lǐng)域。　　1 數(shù)字電路與模擬電路的潛在矛盾　　如果模擬電路(射頻) 和數(shù)字電路(微控制器) 單獨(dú)工作可能各自工作良好，但是一旦將兩者放在同一塊電路板上，使用同一個(gè)電源供電一起工作，整個(gè)系統(tǒng)很可能就會(huì)不穩(wěn)定。這
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Xilinx發(fā)布RF級(jí)模擬技術(shù)的背景資料

　　簡(jiǎn)介　　隨著通信行業(yè)逐漸向 5G 標(biāo)準(zhǔn)靠攏,移動(dòng)設(shè)備制造商十分鐘情于技術(shù)試驗(yàn)和概念驗(yàn)證測(cè)試?，F(xiàn)在，這些技術(shù)的商業(yè)可行性正在進(jìn)行嚴(yán)格評(píng)估，然而原型設(shè)計(jì)所使用的很多技術(shù)都無(wú)法很好地轉(zhuǎn)化為商業(yè)部署。　　由于目標(biāo)是以更低功耗通過頻譜效率、高度致密化以及新頻譜來提高網(wǎng)絡(luò)容量，因此制造商正在依靠軟件、硬件和系統(tǒng)級(jí)的技術(shù)突破來實(shí)現(xiàn)目標(biāo)?！　∮行┘夹g(shù)對(duì)滿足嚴(yán)苛的網(wǎng)絡(luò)容量目標(biāo)具有至關(guān)重要的作用，而大規(guī)模多輸入多輸出(MIMO)天線陣列就屬于這類技術(shù)。與這些天線陣列進(jìn)行接口連接的射頻單元必須滿足極其嚴(yán)
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汽車電子產(chǎn)業(yè)變革催生半導(dǎo)體行業(yè)機(jī)遇

汽車智能化趨勢(shì)使得汽車電子半導(dǎo)體市場(chǎng)的增長(zhǎng)不再依賴于汽車產(chǎn)量的增加，而是車載半導(dǎo)體數(shù)量的增加。
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本土手機(jī)芯片廠商日益強(qiáng)大 2017市場(chǎng)增長(zhǎng)極都有誰(shuí)？

手機(jī)產(chǎn)業(yè)持續(xù)平穩(wěn)增長(zhǎng)，芯片市場(chǎng)維持高景氣度
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索尼革命性拍照黑科技：把內(nèi)存塞進(jìn)CMOS

　　盡管近段時(shí)間索尼忙于月底的MWC 2017，但這似乎并不影響索尼偶爾刷刷黑科技的習(xí)慣。近日，索尼推出了一款劃時(shí)代的傳感器產(chǎn)品——全球首款三層堆疊式CMOS傳感器。據(jù)了解，索尼這種三層堆疊式傳感器基于目前CMOS傳感器進(jìn)行改進(jìn)，在像素層和信號(hào)處理電路層之間又增加了一層DRAM。新一代CMOS傳感器原理新一代CMOS傳感器原理　　技術(shù)介紹稱，大容量低功耗DRAM的加入可以讓傳感器獲得高速讀取的能力，從而拍攝快速移動(dòng)物體時(shí)能夠更加從容，有效減少拍攝時(shí)所產(chǎn)生的焦平面失真現(xiàn)象，使得抓拍、慢動(dòng)作都會(huì)更加
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八條規(guī)則助你降低RF電路寄生信號(hào)

　　RF電路布局要想降低寄生信號(hào)，需要RF工程師發(fā)揮創(chuàng)造性。記住以下這八條規(guī)則，不但有助于加速產(chǎn)品上市進(jìn)程，而且還可提高工作日程的可預(yù)見性。　　規(guī)則1：接地通孔應(yīng)位于接地參考層開關(guān)處　　流經(jīng)所布線路的所有電流都有相等的回流。耦合策略固然很多，不過回流通常流經(jīng)相鄰的接地層或與信號(hào)線路并行布置的接地。在參考層繼續(xù)時(shí)，所有耦合都僅限于傳輸線路，一切都非常正常。不過，如果信號(hào)線路從頂層切換至內(nèi)部或底層時(shí)，回流也必須獲得路徑。　　圖1就是一個(gè)實(shí)例。頂層信號(hào)線路電流下面緊挨著就是回流。當(dāng)它轉(zhuǎn)移到底層時(shí)，回
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混頻器件面貌之變遷

　　摘要　　半導(dǎo)體工藝和RF封裝技術(shù)的不斷創(chuàng)新完全改變了工程師設(shè)計(jì)RF、微波和毫米波應(yīng)用的方式。RF設(shè)計(jì)人員需要比以往任何時(shí)候都更具體、更先進(jìn)的技術(shù)和設(shè)計(jì)支持。設(shè)計(jì)技術(shù)持續(xù)發(fā)展，RF和微波器件的性質(zhì)在不久的未來將大不相同。本文介紹各種類型的混頻器、各自的優(yōu)缺點(diǎn)，以及在不同市場(chǎng)中應(yīng)用的演變。本文討論不同混頻器件(主要是混頻器)不斷變化的面貌，以及技術(shù)進(jìn)步如何改變不同市場(chǎng)的需求?！　『?jiǎn)介　　在RF和微波設(shè)計(jì)中，混頻是信號(hào)鏈最關(guān)鍵的部分之一。過去，很多應(yīng)用都受制于混頻器的性能。混頻器的頻率范圍、轉(zhuǎn)換損耗和線性度
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CMOS集成電路電阻的應(yīng)用分析

　　1 CMOS集成電路的性能及特點(diǎn)　　1.1 功耗低CMOS集成電路采用場(chǎng)效應(yīng)管，且都是互補(bǔ)結(jié)構(gòu)，工作時(shí)兩個(gè)串聯(lián)的場(chǎng)效應(yīng)管總是處于一個(gè)管導(dǎo)通，另一個(gè)管截止的狀態(tài)，電路靜態(tài)功耗理論上為零。實(shí)際上，由于存在漏電流，CMOS電路尚有微量靜態(tài)功耗。單個(gè)門電路的功耗典型值僅為20mW，動(dòng)態(tài)功耗(在1MHz工作頻率時(shí))也僅為幾mW。　　1.2 工作電壓范圍寬CMOS集成電路供電簡(jiǎn)單，供電電源體積小，基本上不需穩(wěn)壓。國(guó)產(chǎn)CC4000系列的集成電路，可在3~18V電壓下正常工作?！　?.3
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