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EEPW首頁 >> 主題列表 >> rf-cmos

使用CMOS集成電路需注意的幾個問題

  • 　　集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見長，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時，除了認真閱讀產(chǎn)品說明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應注意以下幾個問題： 　　1、電源問題 　　(1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當應用電路中有門電路的模擬應用(如脈沖振蕩、線性放大)時，最低電壓則不應低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
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一些常用的電平標準

  • 　　現(xiàn)在常用的電平標準有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡單介紹一下各自的供電電源、電平標準以及使用注意事項。 　　TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 　　Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 　　因為2.4V與5V之間還有很大空閑
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CMOS電路中ESD保護結(jié)構(gòu)的設計要求

  • 　　簡介：大部分的ESD電流來自電路外部，因此ESD保護電路一般設計在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過PAD導入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個管腳，降低ESD的影響。 　　引言 　　靜電放電會給電子器件帶來破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來越薄，芯片的面
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學習總結(jié)之電路是計算出來的

  • 　　簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅持下去! 　　1、CS單管放大電路 　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法

  • 　　簡介：CMOS和TTL集成門電路在實際使用時經(jīng)常遇到這樣一個問題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個問題的方法，供大家參考。 　　CMOS門電路 　　CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下
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TTL與CMOS電路的區(qū)別

  • 　　簡介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項等內(nèi)容。 　　TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級)，負載力大，不用端多數(shù)不用處理。 　　CMOS：單級器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級)，負載力小，不用端必須處理。 　　CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 　　CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因為 CMOS 的輸入時互補的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 　　TTL：
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CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理

  • 　　一、CMOS門電路 　　CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無電流，所以靜態(tài)時柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點，輸入端信號易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時輸入端特別注意不能懸空。在使用時應采用以下方法： 　　1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平，輸出信號就為低電平，只有全部為高電平時，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號只要有低電平
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我的一些數(shù)字電子知識總結(jié)（3）

  • 　　簡介：繼續(xù)把我在學習數(shù)字電路過程中的一些“細枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 　　1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個轉(zhuǎn)瞬即逝的過程，這個過程越長，說明它的動態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個非常短暫的過程。因為我們需要的是確切的0、1值，不能過于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會大打折扣! 　　2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來，這樣
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學習總結(jié)之電路是計算出來的

  • 　　1、CS單管放大電路 　　共源級單管放大電路主要用于實現(xiàn)輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點具有較寬的動態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實現(xiàn)信號的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
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TTL和CMOS電平總結(jié)

  • 　　簡介：本文總結(jié)了TTL和CMOS電平的特點、使用方式等內(nèi)容 。 　　1，TTL電平(什么是TTL電平)： 　　輸出高電平>2.4V,輸出低電平<0.4V。在室溫下，一般輸出高電平是3.5V，輸出低電平是0.2V。最小輸入高電平和低電平：輸入高電平>=2.0V，輸入低電平<=0.8V，噪聲容限是0.4V。 　　特點： 　　1.CMOS是場效應管構(gòu)成，TTL為雙極晶體管構(gòu)成 　　2.COMS的邏輯電平范圍比較大(5～15V)，TTL只能在5V下工作 　　3.CMOS的高
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CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級封裝設備需求增

  • 　　微機電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導體晶圓接合暨微影技術(shù)設備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場需求殷切，在過去12個月以來，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來自于晶圓代工廠以及總部設置于亞洲的半導體封測廠(OSAT)多臺的訂單;大部份訂單需求的成長系受惠于先進封裝應用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
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CMOS影像傳感器需求熱 2015年將創(chuàng)紀錄

  • 　　CMOS影像傳感器迎向新一波成長。市調(diào)機構(gòu)IC Insights指出，繼手機之后，汽車、醫(yī)療影像、安全監(jiān)控、機器視覺等應用，將接棒成為驅(qū)動CMOS影像傳感器市場成長的新動能。 　　2015年全球CMOS影像傳感器出貨量與銷售額預估將分別創(chuàng)下三十七億顆和101億美元新高紀錄，并可望于2019年達到六十億顆及150億美元的規(guī)模。 　　
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Python 5000: CMOS圖像傳感器演示

  • 　　這視頻介紹PYTHON 5000 CMOS圖像傳感器的特性。 新的PYTHON 2000 和 PYTHON 5000，分辨率分別為230萬像素和530萬像素，解決通用工業(yè)圖像傳感應用的需求，如機器視覺、檢查及運動監(jiān)控，以及安防、監(jiān)控和智能交通系統(tǒng)(ITS)
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ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計劃

  • 　　全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應商ams晶圓代工業(yè)務部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺，幫助芯片設計者實現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 　　該平臺是ams“More than Silicon”計劃中的另一項拓展，通過該平臺ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識產(chǎn)權(quán)、元件庫、工程咨詢及服務，利用其專業(yè)技術(shù)幫助客戶順利開發(fā)先進的模擬和混合信號電路。 　　ams專有的光電子晶圓代工平臺基于先進的0.35µm CMOS
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全球CMOS芯片占比排名表 竟然沒有中國企業(yè)

  • 　　日本調(diào)查公司Techno Systems Research Co. Ltd發(fā)布了CCM行業(yè)的研究報告，在該份報告中，全球CMOS芯片的市場占比和排名情況。 　　   　　從上圖可以看出： 　　Sony(索尼)：2014年下半年占23%，2015年上半年占比為28%，銷量上升強勁，穩(wěn)居全球CMOS市場銷售之龍頭;近日，索尼公布第2季度圖像傳感器收入暴增61.7%，達1260億日元。索尼預計全年達到5800億日元，幾乎是第二名的3倍。索尼在CMOS市場上走強，得益于它在高像素領(lǐng)域的技
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