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EEPW首頁 >> 主題列表 >> rf-cmos

實(shí)例解析：近場天線測試系統(tǒng)解決大型暗室測試難題

  • 實(shí)例解析：近場天線測試系統(tǒng)解決大型暗室測試難題-所有移動服務(wù)運(yùn)營商都面臨測試大型基站天線的問題。測試這種天線需要配有特殊性能極大且昂貴的全電波暗室。對于這些運(yùn)營商來說，RFX2天線特性測試系統(tǒng)解決了在大型暗室測試的難題，即高的讓人望而卻步費(fèi)用及耗時(shí)的測試過程。
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硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸

  • 硅光子芯片設(shè)計(jì)突破結(jié)構(gòu)限制瓶頸-當(dāng)今的硅光子芯片必須采用復(fù)雜的制造制程連接光源與芯片，而且也和晶圓級堆棧密不可分。
  • 關(guān)鍵字： 硅光子  半導(dǎo)體芯片  CMOS  芯片設(shè)計(jì)  

你不得不知的8大降低RF電路寄生信號的設(shè)計(jì)

  • 你不得不知的8大降低RF電路寄生信號的設(shè)計(jì)-通過電路板布局評測，我們可發(fā)現(xiàn)可能發(fā)射或接收雜散RF音調(diào)的結(jié)構(gòu)。要跟蹤每一條線路，有意識地明確其回流路徑，確保它能夠與線路并行，特別是要徹底檢查過渡。
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新技術(shù)將打破射頻干擾難捕獲的僵局

  • 新技術(shù)將打破射頻干擾難捕獲的僵局-從商業(yè)無線網(wǎng)絡(luò)和設(shè)備到軍事通信、雷達(dá)和電子戰(zhàn)爭(EW)系統(tǒng)，射頻干擾無處不在。由于干擾不可預(yù)測，要解決這一問題十分棘手。不過一種稱為無間斷捕獲的RF錄存技術(shù)，對解決這一問題可能會特別有用。
  • 關(guān)鍵字： RF  射頻干擾  信號分析儀  無間斷錄存  

利用有源偏置控制器偏置RF的最佳解決方案

  • 利用有源偏置控制器偏置RF的最佳解決方案-射頻(RF)和微波放大器在特定偏置條件下可提供最佳性能。偏置點(diǎn)所確定的靜態(tài)電流會影響線性度和效率等關(guān)健性能指標(biāo)。雖然某些放大器是自偏置，但許多器件需要外部偏置并使用多個(gè)電源，這些電源的時(shí)序需要加以適當(dāng)控制以使器件安全工作。
  • 關(guān)鍵字： rf  放大器  

無線射頻技術(shù)原理及電路設(shè)計(jì)技巧

  • 無線射頻技術(shù)原理及電路設(shè)計(jì)技巧-RF（射頻）專指具有一定波長可用于無線電通信的電磁波。電磁波可由其頻率表述為：KHz（千赫），MHz（兆赫）及GHz（千兆赫）。其頻率范圍為VLF（極低頻）也即10-30KHz至EHF（極高頻）也即30-300GHz。
  • 關(guān)鍵字： 無線射頻  rfid  rf  

無線充電技術(shù)多層次生態(tài)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)解析

  • 無線充電技術(shù)多層次生態(tài)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)解析-隨著物聯(lián)網(wǎng)（IoT）、可穿戴和便攜式設(shè)備的發(fā)展，消費(fèi)者開始厭倦雜亂的電纜和需要頻繁充電的電池。無線充電的優(yōu)勢遠(yuǎn)遠(yuǎn)不止于擺脫線纜的束縛。當(dāng)前市場上各種各樣的近場、遠(yuǎn)場充電無線技術(shù)，其中包括感應(yīng)式、諧振式、RF、超聲及紅外線充電，這些技術(shù)都需要遵循不同的標(biāo)準(zhǔn)，也需要不同程度的折中。隨著人們對無線世界的向往，預(yù)計(jì)充電技術(shù)將出現(xiàn)急劇增長。
  • 關(guān)鍵字： 無線充電  RF  IoT  

cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)

  • cmos+憶阻器實(shí)現(xiàn)高效分布式處理兼存儲功能的傳感器架構(gòu)-依靠憶阻器執(zhí)行像素級自適應(yīng)背景提取算法的成像傳感器架構(gòu),與全cmos成像傳感器相比，基于憶阻器的解決方案可取得更小的像素間距和非易失性存儲功能，讓設(shè)計(jì)人員能夠使用可編程時(shí)間常數(shù)建立圖像背景模型。
  • 關(guān)鍵字： cmos  憶阻器  傳感器  

解讀RF放大器的輸出限制

  • 解讀RF放大器的輸出限制-這篇博文是非射頻（RF）與射頻放大器規(guī)格對比系列博文的第三篇。我在之前的兩篇博文中討論了噪聲和雙音失真。今天，我們將討論一個(gè)同樣重要的話題-放大器的輸出限制。對于任何應(yīng)用中的放大器，輸出電壓的擺動范圍以及可供給負(fù)載的電流量都有一個(gè)限制。
  • 關(guān)鍵字： RF  放大器  輸出限制  射頻放大器  

ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)

  • ccd與cmos的區(qū)別及六大硬件技術(shù)指標(biāo)-CCD 和 CMOS 使用相同的光敏材料，因而受光后產(chǎn)生電子的基本原理相同，但是讀取過程不同：CCD 是在同步信號和時(shí)鐘信號的配合下以幀或行的方式轉(zhuǎn)移，整個(gè)電路非常復(fù)雜，讀出速率慢；CMOS 則以類似 DRAM的方式讀出信號，電路簡單，讀出速率高。
  • 關(guān)鍵字： ccd  cmos  圖像傳感器  

圖像傳感器原理及分類

  • 圖像傳感器原理及分類-圖像傳感器是各種工業(yè)及監(jiān)控用相機(jī)、便攜式錄放機(jī)、數(shù)碼相機(jī)，掃描儀等的核心部件。目前，這個(gè)快速增長的市場現(xiàn)在已經(jīng)延伸到了玩具、手機(jī)、PDA、汽車和生物等領(lǐng)域。
  • 關(guān)鍵字： 圖像傳感器  CCD  CMOS  

汽車元件中EMI抗干擾測試分析

  • 汽車元件中EMI抗干擾測試分析-多年以來，電磁干擾（EMI）效應(yīng)一直是現(xiàn)代電子控制系統(tǒng)中備受關(guān)注的一個(gè)問題。尤其在今天的汽車工業(yè)中，車輛采用了許多關(guān)鍵的和非關(guān)鍵 （critical and non-critical）的車載電子模塊，例如引擎管理模塊、防抱死系統(tǒng)、電子動力轉(zhuǎn)向功能模塊（electrical power steering functions）、車內(nèi)娛樂系統(tǒng)和熱控制模塊。
  • 關(guān)鍵字： RF  EMI  汽車電子  

IF/RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中的數(shù)字信號處理

  • IF/RF數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中的數(shù)字信號處理-在現(xiàn)代數(shù)字移動通信系統(tǒng)中，發(fā)射和接收路徑（包括下面描述中的反饋接收路徑）可根據(jù)信號特性分為三個(gè)主要電路級：射頻級、模擬中頻級和數(shù)字中頻級。圖1是典型發(fā)射機(jī)和接收機(jī)的框圖。射頻級處理射頻信號，在當(dāng)前LTE標(biāo)準(zhǔn)中，其信號頻率范圍一般是700 MHz到3.8 GHz。
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格芯推出面向下一代移動和5G應(yīng)用的8SW RF-SOI技術(shù)

  • 　　格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首個(gè)基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應(yīng)用的前端模塊(FEM)帶來顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢?！　「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線上制造具有出色開關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，該技術(shù)可以將功耗降低至70%，實(shí)現(xiàn)更高的電
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掀起PCB板的“紅蓋頭” 看你的“干擾”美不美

  • 　　有人說過，世界上只有兩種電子工程師：經(jīng)歷過電磁干擾的和沒有經(jīng)歷過電磁干擾的。伴隨著PCB走線速遞的增加，電磁兼容設(shè)計(jì)是我們電子工程師不得不考慮的問題。面對一個(gè)設(shè)計(jì)，當(dāng)進(jìn)行一個(gè)產(chǎn)品和設(shè)計(jì)的EMC 分析時(shí)，有以下5 個(gè)重要屬性需考慮：　　(1) 關(guān)鍵器件尺寸：產(chǎn)生輻射的發(fā)射器件的物理尺寸。射頻(RF) 電流將會產(chǎn)生電磁場，該電磁場會通過機(jī)殼泄漏而脫離機(jī)殼。PCB 上的走線長度作為傳輸路徑對射頻電流具有直接的影響。　　(2) 阻抗匹配：源和接收器的
  • 關(guān)鍵字： PCB  RF  
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