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Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間

  • Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨(dú)立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝,可提升效率,大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET,尺寸僅 3.3mm x 3.3mm,相較于典型雙芯片解決方案,電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點(diǎn),有利于使用負(fù)載點(diǎn) (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓?fù)?,以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
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東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD

  • 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布,推出柵驅(qū)動(dòng)器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元(ECU)的供電電流的通斷,并計(jì)劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級(jí)低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2],適用于負(fù)載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān),這種新型IPD能夠避免機(jī)械繼電器的觸頭磨損,有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗,同時(shí)還提供免維護(hù)功能。通過(guò)提供增強(qiáng)功能(自我保護(hù)功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能)以支持車載ECU所需的高可
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采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用

  • 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產(chǎn)品陣容?,近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力,可針對(duì)要求高效率的高功率密度應(yīng)用提供增強(qiáng)的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用,包括電動(dòng)工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅(qū)動(dòng)裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來(lái)更多選項(xiàng),有助于選擇應(yīng)對(duì)設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外,
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NexperiaP溝道MOSFET,采用省空間堅(jiān)固LFPAK56封裝

  • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布首次采用高魯棒性、高空間利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封裝的P溝道MOSFET系列產(chǎn)品。新器件符合AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn),適合汽車應(yīng)用,可作為DPAK MOSFET的理想替代產(chǎn)品,在保證性能的基礎(chǔ)上,將封裝占位面積減少了50%以上。  新系列產(chǎn)品在30 V至60 V工作電壓范圍內(nèi)可供選擇,導(dǎo)通電阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封裝采用銅夾片結(jié)構(gòu),由Nexperia率先應(yīng)用,已在汽車等要求
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Nexperia推出超微型MOSFET具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)

  • Nexperia推出的超微型MOSFET占位面積減小36%,且具備低導(dǎo)通電阻RDS(on)半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia發(fā)布了一系列MOSFET產(chǎn)品,采用超小型DFN0606封裝,適用于移動(dòng)和便攜式產(chǎn)品應(yīng)用,包括可穿戴設(shè)備。這些器件還提供低導(dǎo)通電阻RDS(on),采用常用的0.35 mm間距,從而簡(jiǎn)化了PCB組裝過(guò)程。?PMH系列MOSFET采用了DFN0606封裝,占位面積僅為0.62 x 0.62 mm,與前一代DFN1006器件相比,節(jié)省了超過(guò)36%的空間。由于采
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科銳推出新型650V MOSFET,提供業(yè)界領(lǐng)先效率,助力新一代電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新

  • 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合,適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用,助力新一代電動(dòng)汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用,提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
  • 關(guān)鍵字: 科銳  650V MOSFET  電動(dòng)汽車  

碳化硅發(fā)展勢(shì)頭旺,英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

  • 王? 瑩? (《電子產(chǎn)品世界》編輯)近期,多家公司發(fā)布了碳化硅 (SiC)方面的新產(chǎn)品。作為新興 的第三代半導(dǎo)體材料之一,碳化硅 具備哪些優(yōu)勢(shì),現(xiàn)在的發(fā)展程度 如何?不久前,碳化硅的先驅(qū)英飛凌 科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ,值此機(jī)會(huì),電子產(chǎn)品世 界訪問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事 業(yè)部大中華區(qū)開關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市 場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。 碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系 碳化硅MOSFET是一種新器 件,使一些以前硅材料很難被應(yīng)用 的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu),例如電流連續(xù)模 式
  • 關(guān)鍵字: 202004  碳化硅  CoolSiC? MOSFET  

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車車載充電器

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)的SiC功率元器件(SiC MOSFET*1)被應(yīng)用于中國(guó)汽車行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車電子有限公司(United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ,總部位于中國(guó)上海市,以下簡(jiǎn)稱“UAES公司”)的電動(dòng)汽車車載充電器(On Board Charger,以下簡(jiǎn)稱“OBC”)。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si(硅)功率元器件相比,SiC功率元器件是一種能
  • 關(guān)鍵字: OBC  SiC MOSFET  

工業(yè)電機(jī)用功率半導(dǎo)體的動(dòng)向

  • Steven?Shackell? (安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理)摘? 要:電動(dòng)工具用電機(jī)正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī);工業(yè)電機(jī)需要更高能效的電機(jī),同時(shí) 需要強(qiáng)固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對(duì)這些轉(zhuǎn)變帶來(lái)的商機(jī)。 關(guān)鍵詞:電機(jī);電動(dòng)工具;MOSFET;工業(yè);IGBT;IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機(jī)產(chǎn)品系列,尤其是功 率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來(lái)自所有電機(jī)類型的 商機(jī)感到興奮,并非??春脽o(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)應(yīng)用 (例如電動(dòng)工具),
  • 關(guān)鍵字: 202003  電機(jī)  電動(dòng)工具  MOSFET  工業(yè)  IGBT  IPM  

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

  • 近日,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅(SiC)產(chǎn)品組合,推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源(UPS)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?!半S著新產(chǎn)品的發(fā)布,英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合,”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

  • 威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
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安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

  • 奈梅亨,2020年2月19日:安世半導(dǎo)體,分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家,今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件,它樹立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn),并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件,例如OR
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Vishay推出高效80 V MOSFET,導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc. 宣布,推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP,它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門用來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開關(guān)電路的效率,從而節(jié)省能源,其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積,即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)(FOM)為129 mW*nC,達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。
  • 關(guān)鍵字: SiR680ADP  MOSFET  Vishay  

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET,提高功率密度和效率

  • 日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件,專門用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW,是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用,柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V,工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m?)以及快速的開關(guān)切換;效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng),包括電動(dòng)汽車、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
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