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科銳推出新型650V MOSFET，提供業(yè)界領(lǐng)先效率，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、太陽(yáng)能應(yīng)用創(chuàng)新

作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
關(guān)鍵字：科銳 650V MOSFET 電動(dòng)汽車(chē)

碳化硅發(fā)展勢(shì)頭旺，英飛凌祭出650 V C oolSiC M O SFET

王? 瑩? （《電子產(chǎn)品世界》編輯）近期，多家公司發(fā)布了碳化硅（SiC）方面的新產(chǎn)品。作為新興的第三代半導(dǎo)體材料之一，碳化硅具備哪些優(yōu)勢(shì)，現(xiàn)在的發(fā)展程度如何？不久前，碳化硅的先驅(qū)英飛凌科技公司推出了650 V 的 CoolSiC? MOSFET ，值此機(jī)會(huì)，電子產(chǎn)品世界訪問(wèn)了英飛凌電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部大中華區(qū)開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理陳清源先生。碳化硅與氮化鎵、硅材料的關(guān)系碳化硅MOSFET是一種新器件，使一些以前硅材料很難被應(yīng)用的電源轉(zhuǎn)換結(jié)構(gòu)，例如電流連續(xù)模式
關(guān)鍵字： 202004 碳化硅 CoolSiC? MOSFET

ROHM的SiC功率元器件被應(yīng)用于UAES的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC功率元器件（SiC MOSFET*1）被應(yīng)用于中國(guó)汽車(chē)行業(yè)一級(jí)綜合性供應(yīng)商——聯(lián)合汽車(chē)電子有限公司（United Automotive Electronic Systems Co., Ltd. ，總部位于中國(guó)上海市，以下簡(jiǎn)稱“UAES公司”）的電動(dòng)汽車(chē)車(chē)載充電器（On Board Charger，以下簡(jiǎn)稱“OBC”）。UAES公司預(yù)計(jì)將于2020年10月起向汽車(chē)制造商供應(yīng)該款OBC。與IGBT*2等Si（硅）功率元器件相比，SiC功率元器件是一種能
關(guān)鍵字： OBC SiC MOSFET

工業(yè)電機(jī)用功率半導(dǎo)體的動(dòng)向

Steven?Shackell? （安森美半導(dǎo)體?工業(yè)業(yè)務(wù)拓展經(jīng)理）摘? 要：電動(dòng)工具用電機(jī)正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無(wú)刷直流(BLDC)電機(jī)；工業(yè)電機(jī)需要更高能效的電機(jī)，同時(shí) 需要強(qiáng)固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應(yīng)對(duì)這些轉(zhuǎn)變帶來(lái)的商機(jī)。關(guān)鍵詞：電機(jī)；電動(dòng)工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導(dǎo)體提供全面的電機(jī)產(chǎn)品系列，尤其是功率半導(dǎo)體方面。安森美半導(dǎo)體因來(lái)自所有電機(jī)類型的商機(jī)感到興奮，并非常看好無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)應(yīng)用（例如電動(dòng)工具），
關(guān)鍵字： 202003 電機(jī) 電動(dòng)工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM

英飛凌650V CoolSiC MOSFET系列為更多應(yīng)用帶來(lái)最佳可靠性和性能水平

近日，英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出650V器件。其全新發(fā)布的CoolSiC? MOSFET滿足了包括服務(wù)器、電信和工業(yè)SMPS、太陽(yáng)能系統(tǒng)、能源存儲(chǔ)和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)以及電動(dòng)汽車(chē)充電在內(nèi)的大量應(yīng)用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求?！半S著新產(chǎn)品的發(fā)布，英飛凌完善了其600V/650V細(xì)分領(lǐng)域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，”英飛凌電源管理及多元化市場(chǎng)事業(yè)部高壓轉(zhuǎn)換業(yè)務(wù)高級(jí)總監(jiān)St
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儒卓力提供具有高功率密度的威世N-Channel MOSFET

威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械墓β拭芏群托识O(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝，可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。
關(guān)鍵字：儒卓力威世N-Channel MOSFET 封裝

安世半導(dǎo)體推出采用LFPAK56封裝的0.57m?產(chǎn)品

奈梅亨，2020年2月19日：安世半導(dǎo)體，分立器件和MOSFET器件及模擬和邏輯集成電路器件領(lǐng)域的生產(chǎn)專家，今日宣布推出有史以來(lái)最低RDS(on)的功率MOSFET。今日推出的PSMNR51-25YLH已經(jīng)是業(yè)內(nèi)公認(rèn)的低壓、低RDS(on)的領(lǐng)先器件，它樹(shù)立了25 V、0.57 m?的新標(biāo)準(zhǔn)。該市場(chǎng)領(lǐng)先的性能利用安世半導(dǎo)體獨(dú)特的NextPowerS3技術(shù)實(shí)現(xiàn)，并不影響最大漏極電流(ID(max))、安全工作區(qū)(SOA)或柵極電荷QG等其他重要參數(shù)。?很多應(yīng)用均需要超低RDS(on)器件，例如OR
關(guān)鍵字：安世半導(dǎo)體 MOSFET RDS(on)

Vishay推出高效80 V MOSFET，導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積即優(yōu)值系數(shù)達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平

日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新款6.15 mm x 5.15 mm PowerPAK? SO-8單體封裝的——SiR680ADP，它是80 V TrenchFET? 第四代n溝道功率MOSFET。Vishay Siliconix SiR680ADP專門(mén)用來(lái)提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和開(kāi)關(guān)電路的效率，從而節(jié)省能源，其導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積，即功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中MOSFET的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為129 mW*nC，達(dá)到同類產(chǎn)品最佳水平。
關(guān)鍵字： SiR680ADP MOSFET Vishay

Vishay推出新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET，提高功率密度和效率

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用小型熱增強(qiáng)型PowerPAK?1212-8SCD封裝新款共漏極雙N溝道60 V MOSFET---SiSF20DN。Vishay Siliconix SiSF20DN是業(yè)內(nèi)最低RS-S(ON)的60 V共漏極器件，專門(mén)用于提高電池管理系統(tǒng)、直插式和無(wú)線充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器以及電源的功率密度和效率。日前發(fā)布的雙片MOSFET在10V電壓下RS-S(ON) 典型值低至10 mW，是3mm x 3mm封裝導(dǎo)通電阻最低的60
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Nexperia 推出行業(yè)領(lǐng)先性能的高效率氮化鎵功率器件 (GaN FET)

近日，分立、邏輯和 MOSFET 器件的專業(yè)制造商N(yùn)experia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管(GaN)市場(chǎng)。這款器件非常耐用，柵極電壓 (VGS) 為 +/- 20 V，工作溫度范圍為 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特點(diǎn)是低導(dǎo)通電阻（最大RDS(on) 僅為 60 m?）以及快速的開(kāi)關(guān)切換；效率非常高。Nexperia氮化鎵器件的目標(biāo)是高性能要求的應(yīng)用市場(chǎng)，包括電動(dòng)汽車(chē)、數(shù)據(jù)中心、電信設(shè)備、工業(yè)自動(dòng)化和高端電源。Nexperi
關(guān)鍵字： Nexperia GaN FET 氮化鎵功率器件 MOSFET 器件

功率MOSFET的參數(shù)那么多，實(shí)際應(yīng)用中該怎么選？

功率 MOSFET也有兩年多時(shí)間了，這方面的技術(shù)文章看了不少，但實(shí)際應(yīng)用選型方面的文章不是很多。在此，根據(jù)學(xué)到的理論知識(shí)和實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，和廣大同行一起分享、探討交流下功率MOSFET的選型。
關(guān)鍵字： MOSFET 功率MOSFET

SiC MOSFET在汽車(chē)和電源應(yīng)用中優(yōu)勢(shì)顯著

商用硅基功率MOSFET已有近40年的歷史，自問(wèn)世以來(lái)，MOSFET和IGBT一直是開(kāi)關(guān)電源的主要功率處理控制組件，被廣泛用于電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等電路設(shè)計(jì)。不過(guò)，這一成功也讓MOSFET和IGBT體會(huì)到因成功反而受其害的含義。隨著產(chǎn)品整體性能的改善，特別是導(dǎo)通電阻和開(kāi)關(guān)損耗的大幅降低，這些半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)的應(yīng)用范圍越來(lái)越廣。結(jié)果，市場(chǎng)對(duì)這些硅基MOSFET和IGBT的期望越來(lái)越高，對(duì)性能的要求越來(lái)越高。盡管主要的半導(dǎo)體研發(fā)機(jī)構(gòu)和廠商下大力氣滿足市場(chǎng)要求，進(jìn)一步改進(jìn)MOSFET/ IGBT產(chǎn)品，但在某些時(shí)候，收益遞減
關(guān)鍵字： SiC MOSFET 意法半導(dǎo)體

減慢開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換時(shí)要謹(jǐn)慎

開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器中的快速開(kāi)關(guān)瞬變是有利的，因?yàn)檫@顯著降低了開(kāi)關(guān)模式電源中的開(kāi)關(guān)損耗。尤其是在高開(kāi)關(guān)頻率時(shí)，可以大幅提高開(kāi)關(guān)調(diào)節(jié)器的效率。但是，快速開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換也會(huì)帶來(lái)一些負(fù)面影響。開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換頻率在20 MHz和200 MHz之間時(shí)，干擾會(huì)急劇增加。這就使得開(kāi)關(guān)模式電源開(kāi)發(fā)人員必須在高頻率范圍內(nèi)，在高效率和低干擾之間找到良好的折衷方案。此外，ADI公司提出了創(chuàng)新的Silent Switcher?技術(shù)，即使是極快的開(kāi)關(guān)邊沿，也可能產(chǎn)生最小電磁輻射。圖1.對(duì)開(kāi)關(guān)模式電源進(jìn)行開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換，在開(kāi)關(guān)節(jié)點(diǎn)處施加輸入電壓。圖1顯示了快速
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ROHM開(kāi)發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都），開(kāi)發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1）SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品（650V／1200V耐壓），非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽(yáng)能逆變器及電動(dòng)汽車(chē)的充電站等。此次新開(kāi)發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝（TO-247-4L），可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開(kāi)關(guān)性能。與以往3引腳封裝（TO-247N）相比，開(kāi)關(guān)損耗可降低約35％，非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外，羅姆也已開(kāi)始供應(yīng)SiC MOSFET評(píng)估板“P02SCT304
關(guān)鍵字： SiC MOSFET

中歐“大咖”齊聚深圳，共話第三代半導(dǎo)體發(fā)展

最近，由深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)、坪山區(qū)人民政府、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟指導(dǎo)，青銅劍科技、深圳第三代半導(dǎo)體研究院、南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院主辦，深圳基本半導(dǎo)體、深圳中歐創(chuàng)新中心承辦的第三屆“中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇”在深圳五洲賓館成功舉辦。來(lái)自中國(guó)和歐洲的專家學(xué)者、企業(yè)高管、投資精英等近200名代表參會(huì)，圍繞第三代半導(dǎo)體技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)發(fā)展、國(guó)際合作進(jìn)行深入探討與交流，加速第三代半導(dǎo)體材料國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程，助力國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體開(kāi)辟一片新天地。深圳市科學(xué)技術(shù)協(xié)會(huì)黨組書(shū)記林祥、深圳市坪山區(qū)科技創(chuàng)新局局長(zhǎng)黃鳴出席論
關(guān)鍵字：碳化硅二極管 MOSFET