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英飛凌旗下IR HiRel公司助力NASA毅力號火星探測車創(chuàng)造新里程碑

  • 美國國家航空航天局(NASA) 噴氣推進實驗室于7月30日將毅力號 (Perseverance) 探測車送上了太空，展開火星探測之旅。這輛探測車預計將于 2021 年 2 月在火星著陸。英飛凌科技股份公司 旗下的企業(yè)IR HiRel，為該探測車提供了數(shù)千個經過抗輻射強化 (Rad Hard) 的關鍵組件。這是該公司電力電子組件第五次登上 NASA 的火星探測車。IR HiRel曾相繼為 1997 年的索杰納號 (Sojourner)、 2004 年的機遇號 (Opportunity) 和勇氣號 (Spir
  • 關鍵字： MOSFET  IC  NASA  IR  

5A、3.3V和5V電源符合嚴格的EMI輻射標準

  • 嚴苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會選擇內置MOSFET功率開關的單片式降壓穩(wěn)壓器，與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比，這種整體解決方案的尺寸相對較小?？稍诟哳l率（遠高于AM頻段的2 MHz范圍內）下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外，如果穩(wěn)壓器的最小導通時間(TON)較低，則無需中間穩(wěn)壓，可直接在較高的電壓軌上工作，從而節(jié)約空間并降低復雜性。減少最小導通時間需要快速開關邊沿和最小死區(qū)時間控制，以有效減少開關損耗并支持高開關頻率操作
  • 關鍵字： EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

GaN 器件的直接驅動配置

  • 受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現(xiàn)提高開關模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關損耗、更佳
  • 關鍵字： MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

PFC電路MOS管應用電路振蕩問題分析

  • 本文介紹了傳統(tǒng)PFC電路MOS管在應用過程中產生振蕩的機理，通過具體的案例詳細分析了因MOS振蕩引起損壞的原因，并結合實際應用給出具體的解決措施和方案，通過實驗及大批量的生產驗證表明，措施有效，穩(wěn)定且可靠，對PFC電路MOS管應用電路及參數(shù)匹配具有重要的借鑒和參考意義。
  • 關鍵字： 202008  PFC電路  MOS管  振蕩  MOSFET  202008  

超結結構的功率MOSFET輸出電容特性

  • 本文主要分析了超結結構的功率MOSFET的輸出電容以及非線性特性的表現(xiàn)形態(tài)，探討了內部P柱形成耗盡層及橫向電場過程中，耗盡層形態(tài)和輸出電容變化的關系，最后討論了新一代超結技術工藝采用更小晶胞單元尺寸，更低輸出電容轉折點電壓，降低開關損耗，同時產生非常大的du/dt和di/dt，對系統(tǒng)EMI產生影響。
  • 關鍵字： 202008  功率  MOSFET  超結結構  輸出電容  橫向電場  

LED手術無影燈調光電路的設計及應用

  • 本文介紹了一款基于LM3404的LED手術無影燈恒流驅動調光電路，詳細論述了調光電路的硬件和軟件方案的設計及實測效果。電路采用單片機MSP430F1232控制LED驅動模塊，集成調光控制模塊，可實現(xiàn)對大功率LED手術無影燈進行無極調光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)點，大大提高了LED手術無影燈的使用性能。
  • 關鍵字： 202008  LED手術無影燈  單片機  LM3404  調光控制  MOSFET  

安森美半導體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應用?的?全SiC功率模塊?，該產品已被全球領先的電源和熱管理方案供應商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應用中所要求高能效水平所需的低反向恢復和快速
  • 關鍵字： MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當前硅基技術的飛躍。 它們的大帶隙導致較高的介電擊穿，從而降低了導通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設計和工作，降低的漏電流和更好的導熱性有助于高溫下的工作。安森美半導體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設計人員在仿真中實現(xiàn)其應用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

東芝面向車載應用推出恒流2相步進電機驅動IC

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應用推出恒流2相步進電機驅動IC“TB9120AFTG”。新款IC僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或專用軟件。TB9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產生微步正弦波（最高可
  • 關鍵字： IC  QFN  MOSFET  

InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經開始量產,這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
  • 關鍵字： OBC  BMS  EMS  MOSFET  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應用領域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設計,以及溝槽柵芯片技術,為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎上,將碳化硅的應用范圍擴展到了太陽能、服務器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應電磁爐和功率轉換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關損耗
  • 關鍵字： MOSFET  TIM  IGBT  

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關IC適合400 VDC電動汽車應用

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉換領域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
  • 關鍵字： IC  MOSFET  

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅動器

  • 全球領先的半導體解決方案供應商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅動器的新一代引腳兼容升級產品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅動器設計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產品、水泵及冷卻風扇中的48V電機驅動器供電。HIP221x驅動器專為嚴苛工作條件下的
  • 關鍵字： MOSFET  UPS  PWM  

自有技術加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應用

  • 寬禁帶半導體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
  • 關鍵字： 安世  GaN  MOSFET  

ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
  • 關鍵字： EV  OBC  MOSFET  
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