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基于S7-200花式噴泉PLC控制設(shè)計的方法研究

  • 選擇西門子S7-200作為控制器，針對花式噴泉的控制要求，分別采用經(jīng)驗設(shè)計法的位邏輯指令和比較指令以及順序控制設(shè)計法SCR程序段的2種方法、3種不同編程思路，完成程序設(shè)計，為可編程控制器PLC初學(xué)者進行程序編寫提供參考。
  • 關(guān)鍵字： 花式噴泉  S7-200  比較指令  順序控制  202008  

LED手術(shù)無影燈調(diào)光電路的設(shè)計及應(yīng)用

  • 本文介紹了一款基于LM3404的LED手術(shù)無影燈恒流驅(qū)動調(diào)光電路，詳細論述了調(diào)光電路的硬件和軟件方案的設(shè)計及實測效果。電路采用單片機MSP430F1232控制LED驅(qū)動模塊，集成調(diào)光控制模塊，可實現(xiàn)對大功率LED手術(shù)無影燈進行無極調(diào)光的功能，并且含有參數(shù)記憶模式，具有智能化、精度高、穩(wěn)定性強等優(yōu)點，大大提高了LED手術(shù)無影燈的使用性能。
  • 關(guān)鍵字： 202008  LED手術(shù)無影燈  單片機  LM3404  調(diào)光控制  MOSFET  

安森美半導(dǎo)體的碳化硅(SiC)功率模塊 將支持臺達的太陽能光伏逆變器

  • 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)，推出一款適用于?太陽能逆變器應(yīng)用?的?全SiC功率模塊?，該產(chǎn)品已被全球領(lǐng)先的電源和熱管理方案供應(yīng)商臺達選用，用于支持其M70A三相光伏組串逆變器。?NXH40B120MNQ系列全SiC功率模塊集成了一個1200 V、40 mΩ SiC MOSFET和具有雙升壓級的1200 V，40 A SiC升壓二極管。 SiC技術(shù)的使用提供了實現(xiàn)太陽能逆變器等應(yīng)用中所要求高能效水平所需的低反向恢復(fù)和快速
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  SiC  PIM  光伏逆變器  

寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)：快速開關(guān)和顛覆性的仿真環(huán)境

  • 寬禁帶?材料實現(xiàn)了較當(dāng)前硅基技術(shù)的飛躍。 它們的大帶隙導(dǎo)致較高的介電擊穿，從而降低了導(dǎo)通電阻(RSP)。 更高的電子飽和速度支持高頻設(shè)計和工作，降低的漏電流和更好的導(dǎo)熱性有助于高溫下的工作。安森美半導(dǎo)體提供圍繞寬禁帶方案的獨一無二的生態(tài)系統(tǒng)，包含從旨在提高強固性和速度的碳化硅(SiC)二極管、SiC MOSFET到 SiC MOSFET的高端IC門極驅(qū)動器。 除了硬件以外，我們還提供spice物理模型，幫助設(shè)計人員在仿真中實現(xiàn)其應(yīng)用性能，縮短昂貴的測試周期。我們的預(yù)測性離散建?？梢赃M行系統(tǒng)級仿真
  • 關(guān)鍵字： IC  RDS(on)  CAD  MOSFET  SiC  MOS  

東芝面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，面向車載應(yīng)用推出恒流2相步進電機驅(qū)動IC“TB9120AFTG”。新款I(lǐng)C僅使用一個簡單的時鐘輸入接口就能輸出正弦波電流，無需功能先進的MCU或?qū)Ｓ密浖B9120AFTG的開發(fā)是為了接替東芝于2019年推出的首款車載步進電機驅(qū)動IC“TB9120FTG”，它能提供更加優(yōu)異的抗噪聲性能。TB9120AFTG采用帶低導(dǎo)通電阻（上橋臂＋下橋臂＝0.8Ω（典型值））的DMOS FET，可實現(xiàn)的最大電流為1.5A[1]。DMOS FET和產(chǎn)生微步正弦波（最高可
  • 關(guān)鍵字： IC  QFN  MOSFET  

InnoSwitch3-AQ已通過Q100認證；可在30 V至550 V直流輸入下高效工作

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經(jīng)開始量產(chǎn),這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關(guān)IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側(cè)檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應(yīng)用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統(tǒng))。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
  • 關(guān)鍵字： OBC  BMS  EMS  MOSFET  IC  

英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域

  • 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  TIM  IGBT  

高可靠性、節(jié)省空間的降壓/反激式開關(guān)IC適合400 VDC電動汽車應(yīng)用

  • 深耕于高壓集成電路高能效功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域的知名公司 Power Integrations 近日發(fā)布已通過AEC-Q100認證的新款?LinkSwitch?-TN2?開關(guān)IC，新器件適合降壓或非隔離反激式應(yīng)用。新款汽車級LinkSwitch-TN2 IC采用750 V集成MOSFET，可為連接到高壓母線的電動汽車子系統(tǒng)提供簡單可靠的電源，這些子系統(tǒng)包括HVAC、恒溫控制、電池管理、電池加熱器、DC-DC變換器和車載充電機系統(tǒng)。這種表面貼裝器件不需要散熱片，只需要很少的外圍元件，而且占用的PC
  • 關(guān)鍵字： IC  MOSFET  

瑞薩電子推出高可靠高性能100V半橋MOSFET驅(qū)動器

  • 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子集團近日宣布推出兩款全新100V半橋MOSFET驅(qū)動器——HIP2211和HIP2210。HIP2211是瑞薩電子備受歡迎的ISL2111橋驅(qū)動器的新一代引腳兼容升級產(chǎn)品；新款HIP2210提供三電平PWM輸入，以簡化電源和電機驅(qū)動器設(shè)計。HIP2211和HIP2210非常適用于48V通訊電源、D類音頻放大器、太陽能逆變器和UPS逆變器。該產(chǎn)品堅固耐用，可為鋰離子電池供電的家用和戶外產(chǎn)品、水泵及冷卻風(fēng)扇中的48V電機驅(qū)動器供電。HIP221x驅(qū)動器專為嚴苛工作條件下的
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  UPS  PWM  

自有技術(shù)加持，安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

  • 寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個功率器件材料關(guān)注的焦點，由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力，因而更適合于......
  • 關(guān)鍵字： 安世  GaN  MOSFET  

ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導(dǎo)通電阻SiC MOSFET

  • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發(fā)出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內(nèi)的車載動力總成系統(tǒng)和工業(yè)設(shè)備的電源。對于功率半導(dǎo)體來說，當(dāng)導(dǎo)通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權(quán)衡關(guān)系，因此在降低SiC MOSFET的導(dǎo)通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰(zhàn)。此次開發(fā)的新產(chǎn)品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結(jié)構(gòu)※3，改善了二者之間的矛盾權(quán)衡關(guān)系，與以往產(chǎn)品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導(dǎo)通電阻降低了約4
  • 關(guān)鍵字： EV  OBC  MOSFET  

三星Galaxy Tab S7曝光：后置雙攝 配備SPen

  • 近日，有爆料人士曝光了三星全面旗艦平板產(chǎn)品三星Galaxy Tab S7的渲染圖。外觀方面，從渲染圖上看，三星Galaxy Tab S7背部采用了金屬材質(zhì)，頂部和底部均有白色天線條，這也意味著S7應(yīng)該支持5G網(wǎng)絡(luò)。正面則是類似iPad Pro的超窄邊框四等邊設(shè)計，這也是目前高端平板產(chǎn)品的流行趨勢。值得一提的是，三星Galaxy Tab S7搭載了后置雙攝，而且背部也專門設(shè)計了一段凹槽用來放置磁吸式SPen，換言之，S7將邊標(biāo)配SPen，這也是三星產(chǎn)品的標(biāo)志性賣點之一了。至于配置，參考S6，驍龍865應(yīng)該是
  • 關(guān)鍵字： 三星  Galaxy Tab S7  SPen  

Diodes 公司的電源塊 MOSFET 可提升功率轉(zhuǎn)換器效率并節(jié)省 PCB 空間

  • Diodes 公司近日宣布推出新一代首款獨立 MOSFET。?DMN3012LEG 采用輕巧封裝，可提升效率，大幅節(jié)省各種電源轉(zhuǎn)換與控制產(chǎn)品應(yīng)用的成本、電力與空間。DMN3012LEG 在單一封裝內(nèi)整合雙 MOSFET，尺寸僅 3.3mm x 3.3mm，相較于典型雙芯片解決方案，電路板空間需求最多減少 50%。此節(jié)省空間的特點，有利于使用負載點 (PoL) 與電源管理模塊的一系列產(chǎn)品應(yīng)用。DMN3012LEG 可用于 DC-DC 同步降壓轉(zhuǎn)換器與半橋電源拓撲，以縮小功率轉(zhuǎn)換器解決方案的尺寸。P
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  PoL  

東芝面向汽車ECU推出MOSFET柵極驅(qū)動器開關(guān)IPD

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出柵驅(qū)動器開關(guān)IPD[1]“TPD7107F”。該產(chǎn)品可用于控制接線盒和車身控制模塊等車載控制單元（ECU）的供電電流的通斷，并計劃于今日開始出貨。TPD7107F采用東芝的汽車級低導(dǎo)通電阻N溝道MOSFET[2]，適用于負載電流的高側(cè)開關(guān)。作為一種電子開關(guān)，這種新型IPD能夠避免機械繼電器的觸頭磨損，有助于縮小車載ECU的尺寸并降低功耗，同時還提供免維護功能。通過提供增強功能（自我保護功能和輸出到微控制器的各種內(nèi)置診斷功能）以支持車載ECU所需的高可
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采用D2PAK 7pin+封裝的StrongIRFET? MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用

  • 英飛凌科技股份公司進一步壯大?StrongIRFET? 40-60 V MOSFET產(chǎn)品陣容?，近日推出三款采用D2PAK 7pin+封裝的新器件。這些新器件具備極低的RDS(on)和高載流能力，可針對要求高效率的高功率密度應(yīng)用提供增強的穩(wěn)健性和可靠性。這三款全新MOSFET瞄準(zhǔn)電池供電應(yīng)用，包括電動工具、電池管理系統(tǒng)和低壓驅(qū)動裝置等。全新D2PAK 7pin+封裝使得本已種類豐富的StrongIRFET?封裝陣容更加壯大。這能帶來更多選項，有助于選擇應(yīng)對設(shè)計挑戰(zhàn)的理想功率器件。此外，
  • 關(guān)鍵字： 電池  MOSFET  
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