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Vishay贊助的同濟大學電動方程式車隊勇奪冠軍，支持培養(yǎng)下一代汽車設計師

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc.近日宣布，其贊助的同濟大學大學生電動方程式車隊---DIAN Racing首次榮獲中國大學生電動方程式汽車大賽（FSEC）總冠軍。DIAN Racing車隊由100多名成員組成，致力于提高汽車速度和能效，同時為國際清潔能源的發(fā)展做出貢獻。每年，車隊設計制造一款先進的電動賽車，參加包括FSEC在內(nèi)的國際大學生方程式汽車賽。在2020年襄陽站的角逐中，DIAN Racing車隊以設計報告和直線加速賽第一，8字繞環(huán)第二，耐久性第三的優(yōu)異成績獲得本屆比
  • 關鍵字： MOSFET  

GD32創(chuàng)新反電動勢采樣方案，助力高效控制BLDC電機

  • 0? ?引言電機（Electric machinery，俗稱“馬達”）是指依據(jù)電磁感應定律實現(xiàn)電能轉換或傳遞的一種電磁裝置，用來產(chǎn)生驅(qū)動轉矩作為電器或各種機械的動力源。目前通常使用微控制器（MCU）對電機的啟停及轉速進行控制。本文介紹了基于兆易創(chuàng)新（GigaDevice）公司GD32 MCU 的一種創(chuàng)新型高精度反電動勢電壓采樣方案，廣泛應用于工業(yè)控制、智能制造、消費電子、家用電器、交通運輸?shù)阮I域?qū)崿F(xiàn)高效電機控制。圖1 有刷直流電機1? ?電機控制概況按照工作電源的不
  • 關鍵字： MOSFET  BLDC  

哪些應用和技術會成為2021的熱點

  • 全球都在共同積極應對新冠肺炎病毒(COVID-19)這個充滿挑戰(zhàn)的新環(huán)境，疫情加速了許多本來就在進行的趨勢，所有趨勢都潛藏著一個一致的主題，那就是彈性?；ヂ?lián)網(wǎng)的應用比以前有了更大的發(fā)展和進步。有很多人在網(wǎng)上訂購生活必需品送貨上門，以盡可能保持社交距離。人們的工作、社交、教育、娛樂幾乎超出了預期，被迫學習和適應相關的工具。幸運的是，通信和信息網(wǎng)絡的基礎設施已做出了令人難以置信的反應，在增加的流量和負荷下保持了良好的狀態(tài)。網(wǎng)絡使用量的增長刺激了對這一關鍵基礎設施的投資力度，5G基礎設施加速部署，云計算數(shù)據(jù)中心
  • 關鍵字： MOSFET  Wi-Fi 6  202101  

ROHM開發(fā)出實現(xiàn)超低導通電阻的第五代Pch MOSFET

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出非常適用于FA和機器人等工業(yè)設備以及空調(diào)等消費電子產(chǎn)品的共計24款Pch MOSFET*1/*2產(chǎn)品，其中包括支持24V輸入電壓的－40V和－60V耐壓單極型“RQxxxxxAT / RDxxxxxAT / RSxxxxxAT / RFxxxxxAT系列”和雙極型“UTxxx5 / QHxxx5 / SHxxx5系列”。本系列產(chǎn)品作為ROHM擁有豐碩市場業(yè)績的Pch MOSFET產(chǎn)品，采用了第五代新微米工藝，實現(xiàn)了業(yè)界超低的單位面積導通電阻*3。－40
  • 關鍵字： MOSFET  

Nexperia推出的耐用型AEC-Q101 MOSFET提供歷經(jīng)十億個周期測試的 可靠重復雪崩性能

  • 半導體基礎元器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天發(fā)布獲得AEC-Q101認證的新重復雪崩專用FET (ASFET)產(chǎn)品組合，重點關注動力系統(tǒng)應用。該技術已通過十億個雪崩周期測試，可用于汽車感性負載控制，例如電磁閥和執(zhí)行器。除了提供更快的關斷時間（高達4倍）外，該技術還能通過減少BOM數(shù)量簡化設計。  在汽車動力總成中的電磁閥和執(zhí)行器控制領域，基于MOSFET的電源方案通常圍繞著升壓、續(xù)流二極管或主動鉗位拓撲結構進行構建。第四個選擇是重復雪崩設計，利用MOSFET的重復雪崩能力來泄放在其關
  • 關鍵字： Nexperia  AEC-Q101  MOSFET  

簡化汽車車身電機控制器設計，快速實現(xiàn)輕量化

  • 無論是調(diào)整座椅至最佳位置還是能夠輕松打開行李箱，車身電子設備系統(tǒng)都可使用電機來提高駕乘人員的舒適性和便利性。金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）控制這些應用的電動裝置。但將MOSFET用作開關給電子控制模塊設計（包括電磁干擾（EMI）和熱管理、電流感應、斷電制動以及診斷與保護）帶來了新的技術性挑戰(zhàn)。德州儀器開發(fā)的集成電路（IC）電機驅(qū)動器產(chǎn)品集成了模擬功能，可幫助電子控制模塊設計人員應對這些挑戰(zhàn)，同時減小解決方案尺寸并縮短開發(fā)時間。本文中，我們將討論可幫助應對這些設計挑戰(zhàn)、集成到電機驅(qū)動集成電路中
  • 關鍵字： MOSFET  

照明的光明未來

  • 要有（電）燈！但誰負責點亮呢？有許多人聲稱自己是電燈的發(fā)明者，在19世紀中葉的許多發(fā)展為世界變得更亮一點鋪平了道路。我們可能無法查明確切的“發(fā)現(xiàn)”！但我們知道的是，1879年，托馬斯·愛迪生（Thomas Edison）申請了第一個商業(yè)上成功的帶有碳化竹絲的電燈泡專利[[1]]。除了細絲材料的微小改進，包括20世紀初期從碳到鎢的轉變，我們從那時起直到最近基本上一直在使用愛迪生的古老技術。白熾燈泡迅速普及，提供了低成本和高質(zhì)量的照明。但在過去的一二十年中，照明技術發(fā)生了根本性的變化，在大多數(shù)住宅和商業(yè)設施中
  • 關鍵字： MOSFET  

三安集成完成碳化硅MOSFET量產(chǎn)平臺打造，貫通碳化硅器件產(chǎn)品線

  • 中國化合物半導體全產(chǎn)業(yè)鏈制造平臺 --  三安集成于日前宣布，已經(jīng)完成碳化硅MOSFET器件量產(chǎn)平臺的打造。首發(fā)1200V 80mΩ產(chǎn)品已完成研發(fā)并通過一系列產(chǎn)品性能和可靠性測試，其可廣泛適用于光伏逆變器、開關電源、脈沖電源、高壓DC/DC、新能源充電和電機驅(qū)動等應用領域，有助于減小系統(tǒng)體積，降低系統(tǒng)功耗，提升電源系統(tǒng)功率密度。目前多家客戶處于樣品測試階段。三安集成碳化硅MOSFET, Sanan IC SiC MOSFET, Sanan IC Silicon Carbide MOSFET隨著中
  • 關鍵字： 三安集成  碳化硅  MOSFET  

占空比的上限

  • 開關穩(wěn)壓器使用占空比來實現(xiàn)電壓或電流反饋控制。占空比是指導通時間(TON)與整個周期時長（關斷時間(TOFF)加上導通時間）之比，定義了輸入電壓和輸出電壓之間的簡單關系。更準確的計算可能還需要考慮其他因素，但在以下這些說明中，這些并不是決定性因素。開關穩(wěn)壓器的占空比由各自的開關穩(wěn)壓器拓撲決定。降壓型（降壓）轉換器具有占空比D，D = 輸出電壓/輸入電壓，如圖1所示。對于升壓型（升壓）轉換器，占空比D = 1 –（輸入電壓/輸出電壓）。這些關系僅適用于連續(xù)導通模式(CCM)。在這個模式下，電感電流在時間段T
  • 關鍵字： CCM  TON  MOSFET  

iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢

  • 大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務器或電信交換站使得功耗快速增長，因此高效AC/DC電源對于電信和數(shù)據(jù)通信基礎設施的發(fā)展至關重要。但是，電力電子行業(yè)中的硅MOSFET已達到其理論極限。同時，近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關，從而可提高能源轉換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。GaN晶體管的開關速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關損耗，原因在于：■? ?較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現(xiàn)更高的電流操作，從
  • 關鍵字： MOSFET  

應用筆記140 - 第3/3部分：開關電源組件的設計考慮因素

  • 開關頻率優(yōu)化一般來講，開關頻率越高，輸出濾波器元件L和CO的尺寸越小。因此，可減小電源的尺寸，降低其成本。帶寬更高也可以改進負載瞬態(tài)響應。但是，開關頻率更高也意味著與交流相關的功率損耗更高，這需要更大的電路板空間或散熱器來限制熱應力。目前，對于 ≥10A的輸出電流應用，大多數(shù)降壓型電源的工作頻率范圍為100kHz至1MHz ~ 2MHz。 對于<10A的負載電流，開關頻率可高達幾MHz。每個設計的最優(yōu)頻率都是通過仔細權衡尺寸、成本、效率和其他性能參數(shù)實現(xiàn)的。輸出電感選擇在同步降壓轉換器中，電感峰峰值
  • 關鍵字： MOSFET  DCE  ESR  MLCC  

宜普電源轉換公司（EPC）最新推出 100 V eGaNFET產(chǎn)品,為業(yè)界樹立全新性能基準

  • 增強型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應晶體管和集成電路的全球領導廠商宜普電源轉換公司（EPC）最新推出的兩款100 V eGaN FET（EPC2218及EPC2204），性能更高并且成本更低，可立即發(fā)貨。采用這些先進氮化鎵器件的應用非常廣，包括同步整流器、D類音頻放大器、汽車信息娛樂系統(tǒng)、DC/DC轉換器（硬開關和諧振式）和面向全自動駕駛汽車、機械人及無人機的激光雷達系統(tǒng)。EPC2218（3.2 mΩ、231 Apulsed）和EPC2204（6 mΩ、125 Apulsed）比前代eGaN FET的導
  • 關鍵字： MOSFET  QRR  QG  

應用筆記140 第2/3部分 - 開關模式電源基礎知識

  • 為何使用開關模式電源？顯然是高效率。在SMPS中，晶體管在開關模式而非線性模式下運行。這意味著，當晶體管導通并傳導電流時，電源路徑上的壓降最小。當晶體管關斷并阻止高電壓時，電源路徑中幾乎沒有電流。因此，半導體晶體管就像一個理想的開關。晶體管中的功率損耗可減至最小。高效率、低功耗和高功率密度（小尺寸）是設計人員使用SMPS而不是線性穩(wěn)壓器或LDO的主要原因，特別是在高電流應用中。例如，如今12VIN、3.3VOUT開關模式同步降壓電源通?？蓪崿F(xiàn)90%以上的效率，而線性穩(wěn)壓器的效率不到27.5%。這意味著功率
  • 關鍵字： MOSFET    

TrenchFET器件典型RDS(ON)為 61 mΩ，優(yōu)值系數(shù)為 854 mΩ*nC，封裝面積10.89 mm2

  • 日前，Vishay Intertechnology, Inc. 近日宣布，推出新型200V n溝道MOSFET--- SiSS94DN ，器件采用熱增強型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK? 1212-8S封裝，10 V條件下典型導通電阻達到業(yè)內(nèi)最低的61 mΩ。同時，經(jīng)過改進的導通電阻與柵極電荷乘積，即MOSFET開關應用重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）為854 mΩ*nC。節(jié)省空間的Vishay Siliconix SiSS94DN 專門用來提高功率密度，占位面積比采
  • 關鍵字： MOSFET  FOM  

健康催生可穿戴多功能需求

  • 可穿戴設備廣泛用于娛樂、運動和醫(yī)療健康等領域，作為把多媒體、傳感器和無線通信等技術嵌入人們的衣著或配件的設備，可支持手勢和眼動操作等多種交互方式。作為消費電子業(yè)面臨的又一個新發(fā)展機遇，可穿戴設備經(jīng)歷了前些年從概念火爆到實際產(chǎn)品大量普及的過程之后，行業(yè)前景一直穩(wěn)步成長。據(jù)統(tǒng)計，2019年全球可穿戴技術產(chǎn)品市場的規(guī)模超過了500億美元，是2014年的2倍以上，可以說可穿戴設備已成為過去5年來消費電子領域最成功的市場之一。1? ?市場需求持續(xù)爆發(fā)雖然2020年全球經(jīng)歷了嚴重的新冠疫情影響，部
  • 關鍵字： MOSFET  VR  MR  CGM  IDC  202009  
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