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第三代半導(dǎo)體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點?
- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景。 然而,SiC和GaN并不是終點,最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?! 嶋H上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
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北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體,推動SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)
- 11月30日,北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書,并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?! ≡撀?lián)合實驗室的成立,是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強自主技術(shù)實力的重要舉措,聯(lián)合實驗室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進行全面合作開發(fā)?! 〗陙?,以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
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使用SiC技術(shù)攻克汽車挑戰(zhàn)
- 摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達(dá)到的目標(biāo)之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同為該項目提供資金支持,實現(xiàn)具有重大經(jīng)濟和社會影響的優(yōu)勢互補的研發(fā)活動。由DTSMNS(Distretto Tecnologico Sicilia Micro e Nano Sistemi)牽頭,20個項目合作方將在技術(shù)研究、制造工藝、封裝測試和應(yīng)用方面展開為期36個月的開發(fā)合作。本文將討論本項目中與汽車相關(guān)的內(nèi)容,重點介紹有關(guān)SiC技術(shù)和封
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ROHM推出1700V 250A全SiC功率模塊
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器,開發(fā)出實現(xiàn)業(yè)界頂級※可靠性的額定值保證1700V 250A的全SiC功率模塊“BSM250D17P2E004”。(※截至2018年11月13日 ROHM調(diào)查數(shù)據(jù)) 近年來,由于SiC產(chǎn)品的節(jié)能效果優(yōu)異,以1200V耐壓為主的SiC產(chǎn)品在汽車和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。隨著各種應(yīng)用的多功能化和高性能化發(fā)展,系統(tǒng)呈高電壓化發(fā)展趨勢,1700V耐壓產(chǎn)品的需求日益旺盛。然而,受
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“2018 ROHM科技展”:走進智能“芯”生活!
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆將于2018年11月29日(周四)在深圳圣淘沙酒店翡翠店舉辦為期一天的“2018 ROHM科技展”。屆時,將以“羅姆對智能生活的貢獻”為主題,展示羅姆在汽車電子和工業(yè)設(shè)備等領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品與解決方案,以及模擬技術(shù)和功率元器件等技術(shù)亮點。同時,將圍繞汽車電子、SiC(碳化硅)功率元器件、電機驅(qū)動、DC/DC轉(zhuǎn)換器技術(shù)、傳感器技術(shù)以及旗下藍(lán)碧石半導(dǎo)體的先進技術(shù)等主題,由羅姆的工程師帶來六場技術(shù)專題講座。期待您蒞臨“2018 ROHM科技展”現(xiàn)場,與羅姆的技術(shù)專家進行面對面的交流和切磋
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基本半導(dǎo)體成功主辦第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇
- 10月24日,由青銅劍科技、基本半導(dǎo)體、中歐創(chuàng)新中心聯(lián)合主辦的第二屆中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在深圳會展中心成功舉行?! ”緦酶叻逭搲偷谌雽?dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟達(dá)成戰(zhàn)略合作,與第十五屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇暨2018國際第三代半導(dǎo)體論壇同期舉行,來自中國、歐洲及其他國家的專家學(xué)者、企業(yè)領(lǐng)袖同臺論劍,給現(xiàn)場觀眾帶來了一場第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的盛宴?! ×⒆銍H產(chǎn)業(yè)發(fā)展形勢,從全球視角全面探討第三代半導(dǎo)體發(fā)展的現(xiàn)狀與趨勢、面臨的機遇與挑戰(zhàn),以及面向未來的戰(zhàn)略與思考是中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇舉辦的宗旨。目
- 關(guān)鍵字: 基本半導(dǎo)體 3D SiC JBS二極管 4H 碳化硅PIN二極管 第三代半導(dǎo)體 中歐論壇
SiC和GaN系統(tǒng)設(shè)計工程師不再迷茫
- SiC和GaN MOSFET技術(shù)的出現(xiàn),正推動著功率電子行業(yè)發(fā)生顛覆式變革。這些新材料把整個電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提高了多個百分點,而這在幾年前是不可想象的?! ≡诂F(xiàn)實世界中,沒有理想的開關(guān)特性。但基于新材料、擁有超低開關(guān)損耗的多種寬禁帶器件正在出現(xiàn),既能實現(xiàn)低開關(guān)損耗,又能處理超高速率dv/dt轉(zhuǎn)換,并支持超快速開關(guān)頻率,使得這些新技術(shù)既成就了DC/DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計工程師的美夢,但同時也變成了他們的惡夢?! ”热缫幻O(shè)計工程師正在開發(fā)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用,如逆變器或馬達(dá)驅(qū)動控制器,或者正在設(shè)
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CISSOID和泰科天潤(GPT)達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用
- 高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將共同開展研發(fā)項目,推動碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?! ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議 泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè),也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時,是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,專為極端溫
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基本半導(dǎo)體推出高性能碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)
- 碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能,對電力電子行業(yè)的發(fā)展具有重要意義。作為最先實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化的 SiC 器件,SiC JBS能提供近乎理想的動態(tài)性能,基本半導(dǎo)體自主研發(fā)的650 -1700V 3D SiC?系列碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)已火熱上市,憑借其優(yōu)越性能廣受市場追捧。 SiC JBS產(chǎn)品優(yōu)勢 作為單極型器件,SiC JBS在工作過程中沒有少數(shù)載流子儲存,其反向恢復(fù)電流主要取決于耗盡層結(jié)電容,反向恢復(fù)電荷以及反向恢復(fù)損耗比Si超快恢復(fù)二極管要低一到兩個數(shù)量級。更重
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羅姆參展“2018第二十屆中國國際工業(yè)博覽會”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(ROHM)于2018年9月19日-23日在國家會展中心(上海)舉行的第二十屆中國國際工業(yè)博覽會上首次亮相。在為期5天的展會上,羅姆展出了節(jié)能高效的SiC功率元器件以及“機器健康檢測”為主的工業(yè)設(shè)備解決方案,吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足交流?! ×_姆展臺掠影(展位號:6.1H A245) 近年來,羅姆向工業(yè)市場不斷進取,凝聚在消費電子設(shè)備和汽車相關(guān)領(lǐng)域培育的技術(shù),致力于節(jié)能、安全、舒適、小型化的革新性產(chǎn)品的開發(fā),并通過高品質(zhì)、穩(wěn)定供應(yīng)的安心生產(chǎn)體制,持續(xù)不斷為工業(yè)設(shè)備發(fā)展做貢獻。
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SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%,X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能
- 隨著提高效率成為眾需求中的重中之重,并且能源成本也在不斷增加,以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù),現(xiàn)已變得更具性價比。此外,隨著市場的增長,由于規(guī)模經(jīng)濟的關(guān)系,SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟上也越來越具有吸引力。 功率半導(dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比,SiC二極管可以實現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時間,從而實現(xiàn)更快的開關(guān)。此外,其反向恢復(fù)電荷要少很多,從而可降低開關(guān)損耗。此外,其反向恢復(fù)電荷要少很多,從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
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安森美半導(dǎo)體推動電動汽車充電樁市場創(chuàng)新發(fā)展
- 電動汽車(也叫新能源汽車)是指以車載電源為動力,用電機驅(qū)動車輪行駛,符合道路交通、安全法規(guī)各項要求的車輛由于對環(huán)境影響相對傳統(tǒng)汽車較小,它的前景被廣泛看好近年來在國家環(huán)保政策的激勵下,在大家對綠色低碳健康生活的憧憬下,電動汽車正日益普及。中國是世界最大的汽車市場,中國新能源汽車業(yè)近年來快速發(fā)展令世界矚目。據(jù)Goldman Sachs報道,2016年中國電動汽車占全世界電動汽車的45%, 這一百分比到2030年可能升至60%。根據(jù)中國的“一車一樁”計劃,電動汽車充電樁總數(shù)在2020年將達(dá)480萬個,與現(xiàn)
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