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ST進(jìn)軍工業(yè)市場,打造豐富多彩的工業(yè)樂園

- 近日,意法半導(dǎo)體(ST)在華舉辦了“ST工業(yè)巡演2019”。在北京站,ST亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部區(qū)域營銷和應(yīng)用副總裁Francesco Muggeri分析了工業(yè)市場的特點,并介紹了ST的產(chǎn)品線寬泛且通用性強(qiáng),能夠提供完整系統(tǒng)的支持。1 芯片廠商如何應(yīng)對工業(yè)市場少量多樣的挑戰(zhàn)工業(yè)領(lǐng)域呈現(xiàn)多樣、少量的特點,需要改變消費類電子大規(guī)模生產(chǎn)的模式,實現(xiàn)少量、高質(zhì)量的生產(chǎn)。具體地,工業(yè)的一大挑戰(zhàn)是應(yīng)用的多樣化,即一個大應(yīng)用下面通常有很多小的子應(yīng)用,所以產(chǎn)品會非標(biāo)準(zhǔn)化,即一個產(chǎn)品只能針對某一類小應(yīng)用/小客戶的需
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ROHM開發(fā)出4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發(fā)出6款溝槽柵結(jié)構(gòu)※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產(chǎn)品(650V/1200V耐壓),非常適用于要求高效率的服務(wù)器用電源、太陽能逆變器及電動汽車的充電站等。此次新開發(fā)的系列產(chǎn)品采用4引腳封裝(TO-247-4L),可充分地發(fā)揮出SiC MOSFET本身的高速開關(guān)性能。與以往3引腳封裝(TO-247N)相比,開關(guān)損耗可降低約35%,非常有助于進(jìn)一步降低各種設(shè)備的功耗。另外,羅姆也已開始供應(yīng)SiC MOSFET評估板“P02SCT304
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SiC: 為何被稱為是新一代功率半導(dǎo)體?

- 王?瑩?(《電子產(chǎn)品世界》編輯,北京?100036) SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。據(jù)SiC廠商羅姆基于IHS的調(diào)查顯示,2025年整個市場規(guī)模將達(dá)到約23億美元。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場最大,正處于發(fā)展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用?! 〔贿^,制約SiC發(fā)展的關(guān)鍵是價格,主要原因有兩個:襯底和晶圓尺寸。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應(yīng)地下降,羅姆等公司已經(jīng)有6英
- 關(guān)鍵字: 201909 新一代功率半導(dǎo)體 SiC
SiC將達(dá)23億美元規(guī)模,技術(shù)精進(jìn)是主攻方向

- ? ? ? SiC(碳化硅)作為第三代半導(dǎo)體,以耐高壓、高溫和高頻,在高性能功率半導(dǎo)體上顯出優(yōu)勢。在應(yīng)用中,在光伏和服務(wù)器市場最大,正處于發(fā)展中的市場是xEV(電動與混動汽車)。隨著SiC產(chǎn)品特性越做越好,在需要更高電壓的鐵路和風(fēng)電上將會得到更多的應(yīng)用。? ? ? 不過,制約SiC發(fā)展的,最主要的是價格,主要原因有兩個,一個是襯底,一個是晶圓尺寸所限。例如晶圓尺寸越大,成本也會相應(yīng)地下降,ROHM等公司已經(jīng)有6英寸的晶圓片。在技術(shù)方面,眾廠商競爭
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SiC MOSFET “SCT3xxxxxHR系列”又增10個機(jī)型, 產(chǎn)品陣容豐富且支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101

- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都)面向車載充電器和DC/DC轉(zhuǎn)換器※1)又推出SiC MOSFET※3)“SCT3xxxxxHR系列”共10個機(jī)型,該系列產(chǎn)品支持汽車電子產(chǎn)品可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC-Q101※2),而且產(chǎn)品陣容豐富,擁有13個機(jī)型?! OHM于2010年在全球率先成功實現(xiàn)SiC MOSFET的量產(chǎn),在SiC功率元器件領(lǐng)域,ROHM始終在推動領(lǐng)先的產(chǎn)品開發(fā)和量產(chǎn)體制構(gòu)建。在需求不斷擴(kuò)大的車載市場,ROHM也及時確立車載品質(zhì),并于2012年開始供應(yīng)車載充電器用的SiC肖特
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安森美半導(dǎo)體將在APEC 2019演示 用先進(jìn)云聯(lián)接的Strata Developer Studio?快速分析電源方案

- 2019年3月14日 — 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ON),將在美國加利福尼亞州阿納海姆舉行的APEC 2019展示由Strata Developer Studio? 開發(fā)平臺支持的新電源方案板。Strata便于快速、簡易評估應(yīng)用廣泛的電源方案,使用戶能在一個具充分代表性的環(huán)境中查看器件并分析其性能。工程師用此縮小可行器件和系統(tǒng)方案的選擇范圍,且在采購硬件和完成設(shè)計之前對系統(tǒng)性能有信心?! trata Developer S
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集邦咨詢:需求持續(xù)擴(kuò)張,2019年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模逾2,900億元

- Mar. 7, 2019 ---- 全球市場研究機(jī)構(gòu)集邦咨詢在最新《中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)深度分析報告》中指出,受益于新能源汽車、工業(yè)控制等終端市場需求大量增加,MOSFET、IGBT等多種產(chǎn)品持續(xù)缺貨和漲價,帶動了2018年中國功率半導(dǎo)體市場規(guī)模大幅成長12.76%至2,591億元人民幣。其中功率分立器件市場規(guī)模為1,874億元人民幣,較2017年同比成長14.7%;電源管理IC市場規(guī)模為717億元人民幣,較2017年同比增長8%。 集邦咨詢分析師謝瑞峰指出,功率半導(dǎo)體作為需求驅(qū)動型的產(chǎn)業(yè),2019年
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碳化硅MOSFET的短路實驗性能與有限元分析法熱模型的開發(fā)

- 本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實驗的重點是在不同條件下進(jìn)行專門的實驗室測量,并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值,對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
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Power Integrations推出全新SCALE-iDriver SiC-MOSFET門極驅(qū)動器,可最大程度提高效率及安全性

- 深耕于中高壓逆變器應(yīng)用門極驅(qū)動器技術(shù)領(lǐng)域的知名公司Power Integrations(納斯達(dá)克股票代號:POWI)今日推出SIC1182K SCALE-iDriver? —— 這是一款市售可提供高效率、單通道碳化硅(SiC) MOSFET門極驅(qū)動器,可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。新品件經(jīng)過設(shè)定后可支持不同的門極驅(qū)動電壓,來滿足市售SiC-MOSFET的需求;其主要應(yīng)用包括不間斷電源(UPS)、光伏系統(tǒng)、伺服驅(qū)動器、電焊機(jī)和電源?! IC1182K可在125°C結(jié)溫下提供8
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第三代半導(dǎo)體又有新成員?氧化鎵有什么優(yōu)點?

- 目前,以碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)為代表的第三代化合物半導(dǎo)體受到的關(guān)注度越來越高,它們在未來的大功率、高溫、高壓應(yīng)用場合將發(fā)揮傳統(tǒng)的硅器件無法實現(xiàn)的作用。特別是在未來三大新興應(yīng)用領(lǐng)域(汽車、5G和物聯(lián)網(wǎng))之一的汽車方面,會有非常廣闊的發(fā)展前景?! ∪欢?,SiC和GaN并不是終點,最近,氧化鎵(Ga2O3)再一次走入了人們的視野,憑借其比SiC和GaN更寬的禁帶,該種化合物半導(dǎo)體在更高功率的應(yīng)用方面具有獨特優(yōu)勢。因此,近幾年關(guān)于氧化鎵的研究又熱了起來?! 嶋H上,氧化鎵并不是很新的技術(shù),多年前就
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北汽新能源聯(lián)手羅姆半導(dǎo)體,推動SiC產(chǎn)品技術(shù)研發(fā)

- 11月30日,北汽新能源(北汽藍(lán)谷 600733)與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)合作成立SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合實驗室。北汽新能源執(zhí)行副總經(jīng)理陳上華與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)董事末永良明現(xiàn)場簽署了合作協(xié)議書,并共同為SiC產(chǎn)品技術(shù)聯(lián)合試驗室揭牌?! ≡撀?lián)合實驗室的成立,是北汽新能源在新能源汽車領(lǐng)域不斷加強(qiáng)自主技術(shù)實力的重要舉措,聯(lián)合實驗室成立后,北汽新能源將可以與羅姆半導(dǎo)體集團(tuán)共同深入到碳化硅等新技術(shù)的預(yù)研中,并圍繞碳化硅的新產(chǎn)品進(jìn)行全面合作開發(fā)。 近年來,以SiC為代表的第三代功率半導(dǎo)體材料,已經(jīng)被廣泛應(yīng)用在新能源
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