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Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂
- 3月28日消息,當(dāng)?shù)貢r間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長晶爐設(shè)備進(jìn)場,預(yù)計2024年底將完成一期工程建設(shè),2025年上半年開始生產(chǎn),預(yù)計竣工達(dá)產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴(kuò)大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議,查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持,同
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近年來對碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增
- 隨著近年來對碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,市場研究公司TrendForce表示,對于SiC的成本降低呼聲越來越高,因為最終產(chǎn)品價格仍然是消費(fèi)者的關(guān)鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結(jié)構(gòu)的比例最高,約占50%。因此,襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關(guān)鍵。由于其成本優(yōu)勢,大尺寸襯底逐漸開始被采用,市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍(lán)半導(dǎo)體計算,從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%,從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時,8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片,從而減少邊緣浪
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如何通過SiC增強(qiáng)電池儲能系統(tǒng)?
- 電池可以用來儲存太陽能和風(fēng)能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量,這樣當(dāng)環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時,就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案,可作為硅MOSFET或IGBT開關(guān)的替代方案,改善BESS的性能。圖1:BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種,分別是電化學(xué)儲能、化學(xué)儲能、熱儲能和機(jī)械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學(xué)儲能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
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SiC是如何「拯救」降價車企的?
- 進(jìn)入 2024 年,10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應(yīng)商的降價壓力更大,普遍要求降價 20%,過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認(rèn)為,車市降價是由于新技術(shù)帶來的成本下降,但從大背景來看,2 月銷量下滑,或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看,成本的下降確實會緩解降價的壓力,SiC(碳化硅)會不會是出路呢?降價風(fēng)波始末2 月 19 日,可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的,從 2 月 19 日到 3 月 6 日,在春節(jié)假期結(jié)束后的 17 天里,比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
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納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來
- 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展,邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
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納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1
- 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC(信號改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比當(dāng)前主流的CAN FD車載通信方案,NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標(biāo)準(zhǔn)的前提下,進(jìn)一步兼容CiA 601-4標(biāo)準(zhǔn),可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能,即使在星型網(wǎng)絡(luò)多節(jié)點連接的情況下,NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量;此外,超高的EMC表現(xiàn),更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
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基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路
- 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用(如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等)需要相匹配的逆變器支持,但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆變器參考設(shè)計很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動器,Silicon Mobility公司的控制板和軟件,超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器,直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
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Qorvo推出緊湊型E1B封裝的1200V SiC模塊
- 中國 北京,2024 年 2 月 29 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)近日宣布推出四款采用緊湊型 E1B 封裝的 1200V 碳化硅(SiC)模塊,其中兩款為半橋配置,兩款為全橋配置,導(dǎo)通電阻 RDS(on) 最低為 9.4mΩ。全新的高效率 SiC 模塊非常適合電動汽車充電站、儲能、工業(yè)電源和太陽能等應(yīng)用。Qorvo SiC 電源產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達(dá)四個分立式 SiC FET,從而簡化
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內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC,助推工廠智能化
- 本文的關(guān)鍵要點各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度,在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。要將高壓工業(yè)電源線的電力轉(zhuǎn)換為信息通信設(shè)備用的電力,需要輔助設(shè)備用的高效率電源,而采用內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC可以輕松構(gòu)建這種高效率的輔助電源。各行各業(yè)加速推進(jìn)生產(chǎn)線的智能化如今,從汽車、半導(dǎo)體到食品、藥品和化妝品等眾多行業(yè)的工廠,既需要進(jìn)一步提升生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),還需要推進(jìn)無碳生產(chǎn)(降低功耗和減少溫室氣體排放)。在以往的制造業(yè)中,提高工廠的生產(chǎn)效率和
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安森美碳化硅技術(shù)專家“把脈”汽車產(chǎn)業(yè)2024年新風(fēng)向
- 回首2023年,盡管全球供應(yīng)鏈面臨多重挑戰(zhàn),但我們看到了不少閃光點,比如AIGC的熱潮、汽車電子的火爆,以及物聯(lián)網(wǎng)的小跑落地……今天,安森美(onsemi)碳化硅技術(shù)專家牛嘉浩先生為大家?guī)砹怂麑^去一年的經(jīng)驗總結(jié)和對新一年的展望期盼。汽車產(chǎn)業(yè)鏈中的困難與挑戰(zhàn)在過去一年中,汽車芯片短缺、全球供應(yīng)鏈的復(fù)雜性和不確定性及市場需求的變化,可能是汽車產(chǎn)業(yè)鏈最為棘手的難題,汽車制造商需要不斷調(diào)整生產(chǎn)和采購策略以應(yīng)對潛在的風(fēng)險和瓶頸。隨著更多傳統(tǒng)車企和新興造車勢力進(jìn)入新能源汽車市場,競爭壓力加大,汽車制造商需要不斷提
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意法半導(dǎo)體:SiC新工廠今年投產(chǎn),豐沛產(chǎn)能滿足井噴市場需求
- 回首2023,碳化硅和氮化鎵行業(yè)取得了哪些進(jìn)步?出現(xiàn)了哪些變化?2024將迎來哪些新機(jī)遇和新挑戰(zhàn)?為更好地解讀產(chǎn)業(yè)格局,探索未來的前進(jìn)方向,行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《行家瞭望——2024,火力全開》專題報道。本期嘉賓是意法半導(dǎo)體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品器件部市場和應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI(沐杰勵)。全工序SiC工廠今年投產(chǎn)第4代SiC MOS即將量產(chǎn)行家說三代半:據(jù)《2023碳化硅(SiC)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》統(tǒng)計,2023年全球新發(fā)布碳化硅主驅(qū)車型又新增了40多款,預(yù)計明年部分
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臻驅(qū)科技擬投超6億元新增SiC功率模塊項目
- 2月1日消息,近日,浙江嘉興平湖市政府公示了“年產(chǎn)90萬片功率模塊、45萬片PCBA板和20萬臺電機(jī)控制器”建設(shè)項目規(guī)劃批前公告。據(jù)披露,該項目建設(shè)單位為臻驅(qū)科技的全資子公司——臻驅(qū)半導(dǎo)體(嘉興)有限公司,臻驅(qū)半導(dǎo)體擬投約資6.45億元在平湖市經(jīng)濟(jì)技術(shù)開發(fā)區(qū)新明路南側(cè)建造廠房用于生產(chǎn)及研發(fā)等,項目建筑面積達(dá)45800m2。公開資料顯示,臻驅(qū)科技成立于2017年,是一家提供國產(chǎn)功率半導(dǎo)體及新能源汽車驅(qū)動解決方案的公司,總部位于上海浦東,在上海臨港、廣西柳州、浙江平湖及德國亞?。ˋachen)等地布局了多家子
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Qorvo? 推出D2PAK 封裝 SiC FET,提升 750V 電動汽車設(shè)計性能
- 中國 北京,2024 年 1 月 30 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布一款符合車規(guī)標(biāo)準(zhǔn)的碳化硅(SiC)場效應(yīng)晶體管(FET)產(chǎn)品;在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60mΩ,非常適合車載充電器、DC/DC 
- 關(guān)鍵字: Qorvo SiC FET 電動汽車
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