首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> sic mosfet

25 年資深專家?guī)ш牐且巡季滞七M碳化硅功率半導體業(yè)務

  • IT之家 10 月 19 日消息，根據(jù)韓媒 ETNews 報道，三星電子內(nèi)部組建了新的碳化硅（SiC）功率半導體團隊，已經(jīng)任命安森美半導體前董事洪錫?。⊿tephen Hong）擔任副總裁，負責監(jiān)管相關業(yè)務。洪錫俊是功率半導體領域的專家，在英飛凌、仙童和安森美等全球大型公司擁有約 25 年的經(jīng)驗，加入三星后，他負責領導這項工作。洪錫俊負責組建和帶領這支 SiC 商業(yè)化團隊，同時積極與韓國功率半導體產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和學術機構合作進行市場和商業(yè)可行性研究。值得注意的是，三星在正式進軍 GaN（氮化鎵）業(yè)
  • 關鍵字： 三星  SiC  

SiC MOSFET 器件特性知多少？

  • 對于高壓開關電源應用，碳化硅或 SiC MOSFET 與傳統(tǒng)硅 MOSFET 和 IGBT 相比具有顯著優(yōu)勢。開關超過 1,000 V的高壓電源軌以數(shù)百 kHz 運行并非易事，即使是最好的超結硅 MOSFET 也難以勝任。IGBT 很常用，但由于其存在“拖尾電流”且關斷緩慢，因此僅限用于較低的工作頻率。因此，硅 MOSFET 更適合低壓、高頻操作，而 IGBT 更適合高壓、大電流、低頻應用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應器件，能夠像 IGBT 一樣進行高壓
  • 關鍵字： SiC  MOSFET  IGBT  WBG  

SiC和GaN的應用優(yōu)勢與技術挑戰(zhàn)

  • 1? ?SiC和GaN應用及優(yōu)勢我們對汽車、工業(yè)、數(shù)據(jù)中心和可再生能源等廣泛市場中的碳化硅(SiC) 和氮化鎵（GaN）應用感興趣。一些具體的例子包括：●? ?電動汽車（EV）：SiC和GaN 可用于電動汽車，以提高效率、續(xù)航里程和整車性能。例如，SiC MOSFET 分立器件可用于牽引逆變器和車載充電，以減少功率損耗并提高效率。●? ?數(shù)據(jù)中心：SiC 和GaN 可用于數(shù)據(jù)中心電源，以提高效率并降低運營成本?！? ?可再生能
  • 關鍵字： 202310  SiC  GaN  安世半導體  

SiC和GaN的技術應用挑戰(zhàn)

  • 1 SiC和GaN的優(yōu)勢相比傳統(tǒng)MOSFET和IGBT方案，SiC和GaN器件提供更高的功率密度，具備更低的柵極驅動損耗和更高的開關速度。雖然SiC和GaN在某些低于10 kW功率的應用上有一些重疊，但各自解決的功率需求是不同的。SiC 器件提供更高的耐壓水平和電流承載能力。這使得它們很適合于汽車牽引逆變器、車載充電器和直流/ 直流轉換器、大功率太陽能發(fā)電站和大型三相電網(wǎng)變流器等應用。SiC 進入市場的時間略長，因此它有更多的選擇，例如，相比目前可用的GaN 解決方案，SiC 支持更廣泛的電壓和導通電阻。
  • 關鍵字： 202310  納芯微  SiC  GaN  

為敏感電路提供過壓及電源反接保護！

  • 假如有人將24V電源連接到您的12V電路上，將發(fā)生什么？倘若電源線和接地線因疏忽而反接，電路還能安然無恙嗎？您的應用電路是否工作于那種輸入電源會瞬變至非常高壓或甚至低于地電位的嚴酷環(huán)境中?即使此類事件的發(fā)生概率很低，但只要出現(xiàn)任何一種就將徹底損壞電路板。為了隔離負電源電壓，設計人員慣常的做法是布設一個與電源相串聯(lián)的功率二極管或 P 溝道 MOSFET。然而——◇ 二極管既占用寶貴的板級空間，又會在高負載電流下消耗大量的功率?！?P 溝道 MOSFET 的功耗雖然低于串聯(lián)二極管，但 MOSFET 以及所需的
  • 關鍵字： MOSFET  二極管  LTC4365  

東芝在SiC和GaN的技術產(chǎn)品創(chuàng)新

  • 1 SiC、GaN相比傳統(tǒng)方案的優(yōu)勢雖然硅功率器件目前占據(jù)主導地位，但SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）功率器件正日益普及。SiC 功率器件具有出色的熱特性，適用于需要高效率和高輸出的應用，而GaN 功率器件具有出色的射頻頻率特性，能滿足要求高效率和小尺寸的千瓦級應用。最為重要的一點，SiC 的擊穿場是硅的10 倍。由于這種性質，SiC 器件的塊層厚度可以是硅器件的1/10。因此，使用SiC 可以制造出具有超低電阻和高擊穿電壓的開關器件。此外，SiC 的導熱系數(shù)大約是硅的3 倍，因此它能提供更高的散熱能力
  • 關鍵字： 202310  東芝  SiC  GaN  

ST在SiC和GaN的發(fā)展簡況

  • ST（ 意法半導體） 關注電動汽車、充電基礎設施、可再生能源和工業(yè)應用，將最新一代STPOWER SiC MOSFET和二極管部署在這些應用領域。例如，ST 的第三代SiCMOSFET 取得業(yè)界最低的通態(tài)電阻，可以實現(xiàn)能效和功率密度更高的產(chǎn)品設計。ST 還提供GaN 功率器件，例如650 V GaN 增強型HEMT 開關管用于開發(fā)超快速充電和高頻功率轉換應用，功率損耗很小。與硅基芯片相比，SiC 和GaN 等寬帶隙材料特性可讓系統(tǒng)變得尺寸更小，重量更輕，開關和導通損耗更低，從而提高能效。Gianfranc
  • 關鍵字： 202310  意法半導體  SiC  GaN  

攻克SiC的發(fā)展瓶頸,推進在汽車和工業(yè)中的應用

  • 1 SiC的應用優(yōu)勢Bryan Lu：碳化硅（SiC）是新一代寬禁帶（WBG）半導體材料，具有出色的RDS(ON)*Qg品質因數(shù)（FoM）和低反向恢復電荷（Qrr），特別適用于具有挑戰(zhàn)性的應用，尤其是高壓大電流等應用場景，主驅逆變器采用SiC，可提升系統(tǒng)的效率，進而使得在相同的電池容量下里程數(shù)得以提升。OBC（車載充電機）采用SiC，可實現(xiàn)更高的能效和功率密度。隨著汽車市場向800 V 高壓系統(tǒng)發(fā)展，SiC 在高壓下的低阻抗、高速等優(yōu)勢將更能體現(xiàn)。Mrinal K.Das博士(安森美電源方案事業(yè)群先進電源
  • 關鍵字： 202310  SiC  安森美  

從國際龍頭企業(yè)布局看SiC產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢

  • 碳化硅（SiC）具有高擊穿場強、高熱導率、高飽和電子漂移速率等特點，可很好地滿足新能源汽車與充電樁、光伏新能源、智能電網(wǎng)、軌道交通等應用需求，對我國“新基建”產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義，是未來五年“中國芯”最好的突破口之一，當下我國應該集中優(yōu)勢資源重點發(fā)展。
  • 關鍵字： ?202310  碳化硅  SiC  襯底  8英寸  擴產(chǎn)  

圖騰柱無橋PFC與SiC相結合，共同提高電源密度和效率

  • 效率和尺寸是電源設計的兩個主要考慮因素，而功率因數(shù)校正 (PFC)也在變得越來越重要。為了減少無功功率引起的電力線諧波含量和損耗，盡可能降低電源運行時對交流電源基礎設施的影響，需要使用 PFC。但要設計出小尺寸、高效率電源（包括 PFC）仍極具挑戰(zhàn)性。本文介紹了如何通過修改傳統(tǒng) PFC 拓撲結構來更好地實現(xiàn)這一目標。使用整流器和升壓二極管的 PFC電源的輸入級通常使用橋式整流器后接單相 PFC 級，由四個整流器二極管和一個升壓二極管組成。圖 1：橋式整流器后接單相 PFC 級圖騰柱無橋拓撲結構還有一種提高
  • 關鍵字： 安森美  PFC  SiC  電源密度  

采用SiC提高住宅太陽能系統(tǒng)性能

  • 預計在未來五年，住宅太陽能系統(tǒng)的數(shù)量將大幅增長。太陽能系統(tǒng)能為家庭提供清潔和綠色的能源，用于為家用電器供電，為電動汽車充電，甚至將多余的電力輸送至電網(wǎng)。有了太陽能系統(tǒng)，即使發(fā)生電網(wǎng)故障，也不用擔心。本篇博客介紹了住宅太陽能系統(tǒng)的主要組成部分，并建議采用安森美 (onsemi) 的電源方案方案來提高太陽能系統(tǒng)的效率、可靠性和成本優(yōu)勢。住宅太陽能逆變器系統(tǒng)概述住宅太陽能逆變器系統(tǒng)中包括了產(chǎn)生可變直流電壓的光伏面板陣列。升壓轉換器使用“最大功率點跟蹤”(MPPT) 方法（根據(jù)陽光的強度和方向優(yōu)化能量采集），將可
  • 關鍵字： SiC  太陽能系統(tǒng)  

杰平方半導體宣布啟動香港首間碳化硅（SiC）先進垂直整合晶圓廠項目

  • 由創(chuàng)新科技及工業(yè)局和引進重點企業(yè)辦公室共同推動，香港科技園公司（科技園公司）與微電子企業(yè)杰平方半導體（上海）有限公司（杰平方半導體）簽署合作備忘錄，在科學園設立以第三代半導體為主的全球研發(fā)中心，并投資開設香港首間碳化硅（SiC）8寸先進垂直整合晶圓廠，共同推進香港微電子生態(tài)圈及第三代半導體芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。香港特區(qū)政府創(chuàng)新科技及工業(yè)局去年公布的《香港創(chuàng)科發(fā)展藍圖》中，明確指出應加強支持具策略性的先進制造產(chǎn)業(yè)發(fā)展，譬如半導體芯片，促進香港「新型工業(yè)化」的發(fā)展。作為全球最大的半導體進出口市場之一，香港更是位處大
  • 關鍵字： 香港科技園公司  杰平方半導體  碳化硅  SiC  垂直整合晶圓廠  

新增SiC和IGBT模型,羅姆官網(wǎng)可提供超過3,500種LTspice模型

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）擴大了支持電路仿真工具*1 LTspice? 的SPICE模型*2陣容。LTspice?具有電路圖捕獲和波形查看器功能，可以提前確認和驗證電路是否按設計預期工作。此前羅姆已經(jīng)陸續(xù)提供了雙極晶體管、二極管和MOSFET*3的LTspice模型，此次又新增了SiC功率元器件和IGBT*4等的LTspice模型。至此，羅姆已經(jīng)提供超過3,500 種分立產(chǎn)品的LTspice?模型，這些模型從各產(chǎn)品頁面均可下載。目前，羅姆官網(wǎng)上發(fā)布的產(chǎn)品所對應的LTspice?模型覆蓋率
  • 關鍵字： SiC  IGBT模型  羅姆  LTspice模型  

基于ST CCM PFC L4986A 設計的1KW 雙BOOST PFC電源方案

  • L4986簡介：L4986是一款峰值電流模式PFC升壓控制器，采用專有的乘法器“模擬器”，除了創(chuàng)新型THD優(yōu)化器，還保證在所有工條件下具有非常低的總諧波失真（THD）性能。該器件引腳采用SO封裝，集成了800V 高壓啟動功能，無需使用傳統(tǒng)的放電電阻。可以支持的功率范圍從一兩百瓦到幾千瓦。 ST 提供兩個版本：A為65 kHz，B為130 kHz。本案例方案中使用的是65K A版本。Double -boost 電路簡介：Double-boost 是無橋PFC的一種, 去掉了大功耗的整流橋，可以顯著提
  • 關鍵字： ST  SIC  第三代半導體  CCM PFC  4986  電動工具  割草機  雙boost  double boost  無橋PFC  

了解高壓分立Si MOSFET (≥ 2 kV)

  • Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse擁有廣泛的產(chǎn)品系列、具有競爭力的產(chǎn)品性能和先進的技術，在高壓（HV）分立Si MOSFET市場具有領導地位，特別是在1700V以上產(chǎn)品，包括電壓阻斷能力高達4700V的器件，能夠支持客戶開發(fā)需求嚴苛的應用。Littelfuse提供廣泛的分立HV硅(Si) MOSF
  • 關鍵字： Littelfuse  MOSFET  
共1604條 10/107 |‹ « 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 » ›|

sic mosfet介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對sic mosfet的理解，并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473