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Nexperia擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列

  • 奈梅亨，2023年6月21日：基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今日宣布擴充NextPower 80/100 V MOSFET產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供LFPAK56E封裝，而現(xiàn)在新增了LFPAK56和LFPAK88封裝設(shè)計。這些器件具備高效率和低尖峰特性，適用于通信、服務(wù)器、工業(yè)、開關(guān)電源、快充、USB-PD和電機控制應(yīng)用。  長期以來，品質(zhì)因數(shù)Qg*RDSon一直是半導體制造商提高MOSFET開關(guān)效率的重點。然而，一味地降低該品質(zhì)因數(shù)導致產(chǎn)生了意外后果
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羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

  • SiC（碳化硅）功率元器件領(lǐng)域的先進企業(yè)ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅(qū)動技術(shù)和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議，雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達成此次合作，是因為雙方已于2020年建立了“電動汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”，并基于合作伙伴關(guān)系進行了密切的技術(shù)合作，開展了適用于電動汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
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為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

  • 在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是，與硅快速恢復(fù)二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體
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SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

  • 如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應(yīng)用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進步，但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應(yīng)用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物
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采用SiC MOSFET的高性能逆變焊機設(shè)計要點

  • 近年來，為了更好地實現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用，需要更多節(jié)能產(chǎn)品，因此，關(guān)于焊機能效的強制性規(guī)定應(yīng)運而生。經(jīng)改進的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200V采用基于.XT擴散焊技術(shù)的TO-247封裝，其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計方法通過改良設(shè)計提高了能效和功率密度。逆變焊機通常是通過IGBT功率模塊解決方案設(shè)計來實現(xiàn)更高輸出功率，從而幫助降低節(jié)能焊機的成本、重量和尺寸[1]。在焊機行業(yè)，諸如提高效率、降低成本和增強便攜性（即，縮小尺寸并減輕重量）等趨勢一直是促進持續(xù)發(fā)展的推動力。譬如，多個標準法規(guī)已經(jīng)或即將強制規(guī)
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干貨 | MOSFET結(jié)構(gòu)及其工作原理詳解

  • 01?概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金屬氧化物半導體），F(xiàn)ET（Field Effect Transistor場效應(yīng)晶體管），即以金屬層（M）的柵極隔著氧化層（O）利用電場的效應(yīng)來控制半導體（S）的場效應(yīng)晶體管。功率場效應(yīng)晶體管也分為結(jié)型和絕緣柵型,但通常主要指絕緣柵型中的MOS型（Metal Oxide Semiconductor FET）,簡稱功率MOSFET（Power MOSFET）。結(jié)型功率場效應(yīng)晶體管一般稱作靜電感應(yīng)晶體管（Sta
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用于車載充電器應(yīng)用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

  • 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關(guān)頻率發(fā)展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經(jīng)上市，工程師也在利用它們的性能優(yōu)勢設(shè)計 OBC 系統(tǒng)。要注意的是，PFC 拓撲結(jié)構(gòu)的變化非常顯著。設(shè)計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關(guān)性能和較小的反向恢復(fù)特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優(yōu)勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術(shù)的汽
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中國小型 SiC 廠商，難過 2023

  • 2018 年，特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊，成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明，在相同功率等級下，SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊，并且開關(guān)損耗降低了 75％。換算下來，采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊，其系統(tǒng)效率可以提高 5％左右。一場特斯拉的大風，引燃了 SiC。然而，就在剛剛過去的 3 月份，特斯拉卻突然宣布，下一代的電動車傳動系統(tǒng) SiC 用量大減 75%，因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動車動力系統(tǒng)減少使用 S
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第三代半導體高歌猛進，誰將受益？

  • “現(xiàn)在的新車，只要能用碳化硅的地方，便不會再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導體大廠意法半導體（ST）曾以此言表達碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當下，在全球半導體行業(yè)的逆流中，第三代半導體正閃爍著獨特的光芒，作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上，各方紛紛加大馬力，堅定下注，一部關(guān)于第三代半導體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進入高速成長期近日，科學技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示，2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下，全球半導體產(chǎn)業(yè)進入下行周
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如何通過實時可變柵極驅(qū)動強度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

  • 牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓（輸入到輸出）的電隔離，驅(qū)動逆變器每相的高邊和低邊功率模塊，并監(jiān)測和保護逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級 (ASIL) 功能安全要求，柵極驅(qū)
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緯湃科技和安森美簽署碳化硅（SiC）長期供應(yīng)協(xié)議

  • ?·?????? 緯湃科技正在鎖定價值19億美元（17.5億歐元）的碳化硅（SiC）產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元（2.3億歐元）的產(chǎn)能投資，獲得這一關(guān)鍵的半導體技術(shù)，以實現(xiàn)電氣化的強勁增長·?????? 除了產(chǎn)能投資外，兩家公司還將在進一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達成合作?2023年
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泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案， 加快SiC和GaN技術(shù)驗證速度

  • 中國北京，2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布，推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動電動汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展，泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs）提供自動可重復(fù)的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案，滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運行，并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
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三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

  • MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態(tài)時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態(tài)時工作于飽和區(qū)，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅(qū)動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rc
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投身車電領(lǐng)域的入門課：IGBT和SiC功率模塊

  • 2020 年初，疫情期間的封鎖政策并未對電動汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年，由于疫情期間人們對電動汽車的需求上升，再加上全球各國政府紛紛采取激勵措施，電動汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里，電動車領(lǐng)導品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展，將推動整個亞太地區(qū)的電動汽車市場實現(xiàn)穩(wěn)步擴張。同時，不斷加碼的政府激勵措施和持續(xù)擴張的高性能車市場也推動著北美和歐洲地區(qū)電動汽車市場的快速增長。因此，根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計，全球電動汽車市場規(guī)模將從 2
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如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

  • 要能快速高效地為電動車更大的電池充電，電動車才能在市場普及并發(fā)展。2021 年，市場上排名前 12 位的電動汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進行充電。為確保合理的車輛充電時間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時，這些電動汽車需要 12.1 小時才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時間縮短至 7.3 小時，而使用 22 kW OBC 時，只需
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