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SiC和GaN產(chǎn)品市場趨勢及力特提供的產(chǎn)品

  • 硅半導體器件在過去數(shù)十年間長期占據(jù)著電子工業(yè)的統(tǒng)治地位，它鑄就了電子世界的核心，覆蓋我們?nèi)粘Ｉ钪械慕^大部分應用。寬禁帶電子器件，以碳化硅和氮化鎵的形式，因其自身有著傳統(tǒng)的硅技術(shù)無法克服的優(yōu)勢正在日益普及。
  • 關(guān)鍵字： 力特，SiC，GaN  

新一代功率器件動向：SiC和GaN

  • 更為嚴格的行業(yè)標準和政府法規(guī)的變遷是更高能效產(chǎn)品的關(guān)鍵驅(qū)動因素。例如數(shù)據(jù)中心正呈指數(shù)級增長以跟上需求，其耗電量約占全球總電力供應量（+ 400TWh）的3％，也占總溫室氣體排放量的2％，與航空業(yè)的碳排放量相同。在這些巨大的能源需求之下，各地政府正加緊實施更嚴格的標準和新的法規(guī)，以確保所有依賴能源的產(chǎn)品必須達到最高能效。
  • 關(guān)鍵字： 安森美，SiC，GaN  

新一代功率器件及電源管理IC的發(fā)展概況

  • 介紹了包括SiC、GaN在內(nèi)的新一代功率器件，面向工業(yè)和汽車的新型功率模塊，可穿戴設(shè)備的電源管理IC的發(fā)展概況及相關(guān)新技術(shù)和熱門產(chǎn)品。
  • 關(guān)鍵字： SiC  GaN  電源管理  201804  

電源設(shè)計經(jīng)驗之MOS管驅(qū)動電路篇

  • 　　MOSFET因?qū)▋?nèi)阻低、開關(guān)速度快等優(yōu)點被廣泛應用于開關(guān)電源中。MOSFET的驅(qū)動常根據(jù)電源IC和MOSFET的參數(shù)選擇合適的電路。下面一起探討MOSFET用于開關(guān)電源的驅(qū)動電路。　　在使用MOSFET設(shè)計開關(guān)電源時，大部分人都會考慮MOSFET的導通電阻、最大電壓、最大電流。但很多時候也僅僅考慮了這些因素，這樣的電路也許可以正常工作，但并不是一個好的設(shè)計方案。更細致的，MOSFET還應考慮本身寄生的參數(shù)。對一個確定的MOSFET，其驅(qū)動電路，驅(qū)動腳輸出的峰值電流，上升速率等，都會影響MOSFET的
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  電源IC  

新發(fā)現(xiàn)！SiC可用于安全量子通信

  • 　　使用單光子作為量子位的載體可以在量子數(shù)據(jù)傳輸期間實現(xiàn)可靠的安全性。研究人員發(fā)現(xiàn)，目前可以通過某現(xiàn)有材料建立一個系統(tǒng)，能在常溫條件下可靠地產(chǎn)生單光子。 　　來自莫斯科物理技術(shù)學院(MIPT)的一個研究小組展示通過使用基于碳化硅(SiC)光電子半導體材料的單光子發(fā)射二極管，每秒可以發(fā)射多達數(shù)十億個光子。研究人員進一步表明，SiC色心的電致發(fā)光可用于將無條件的安全量子通信線路中的數(shù)據(jù)傳輸速率提高到1Gbps以上。 　　量子密碼術(shù)與傳統(tǒng)的加密算法不同，它依賴于物理定律。在不改變原始信息的情況下，是無法
  • 關(guān)鍵字： SiC  量子通信  

受惠5G及汽車科技 SiC及GaN市場前景向好

  • 　　相較目前主流的硅晶圓(Si)，第三代半導體材料SiC及GaN除了耐高電壓的特色外，也分別具備耐高溫與適合在高頻操作下的優(yōu)勢，不僅可使芯片面積可大幅減少，并能簡化周邊電路的設(shè)計，達到減少模組、系統(tǒng)周邊的零組件及冷卻系統(tǒng)的體積。根據(jù)估計，2018年全球SiC基板產(chǎn)值將達1.8億美元，而GaN基板產(chǎn)值僅約3百萬美元。 　　   　　此外，除了輕化車輛設(shè)計之外，因第三代半導體的低導通電阻及低切換損失的特性，也能大幅降低車輛運轉(zhuǎn)時的能源轉(zhuǎn)換損失，兩者對于電動車續(xù)航力的提升有相當?shù)膸椭?。因此?/li>
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ROHM攜汽車電子及工業(yè)設(shè)備市場產(chǎn)品強勢登陸“2018慕尼黑上海電子展”

  • 　　全球知名半導體制造商ROHM于2018年3月14日--16日參加了在上海新國際展覽中心舉辦的"2018慕尼黑上海電子展(electronica?China?2018)"?！　　澳侥岷谏虾ｋ娮诱?不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽，還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會之一。ROHM在此次展會上以“汽車電子”和“工業(yè)設(shè)備”為軸，為大家呈現(xiàn)包括“汽車電子”、?“模擬”、“電源”、“傳感器”以及“移動設(shè)備”在內(nèi)的5大解決方案展區(qū)，囊括了業(yè)界領(lǐng)先的強大產(chǎn)品陣容。另外，為此
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慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強

  • 　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?！　{借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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5G和交通電氣化的核心是SiC和GaN功率射頻器件

  • 　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，一些非常重要的市場趨勢正在推動化合物半導體器件在關(guān)鍵行業(yè)的應用，化合物半導體正在強勢回歸。這些趨勢主要包括第五代(5G)無線網(wǎng)絡(luò)協(xié)議、無人駕駛和自動汽車、交通電氣化、增強現(xiàn)實和虛擬現(xiàn)實(AR/VR)。這些應用正在推動3D傳感的應用，提高功率模塊效率和更高頻率的通信應用。所有這些新發(fā)展背后的關(guān)鍵器件都是由化合物半導體制造而成?？其J(Cree)和英飛凌(Infineon)近日關(guān)于SiC材料、SiC功率器件和GaN射頻(RF)器件的最新公告，還僅僅是化合物半導體應用的冰山一角。 　　我們
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Littelfuse在2018年APEC大會上推出超低導通電阻1200V碳化硅MOSFET

  • 　　全球電路保護領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)Littelfuse,?Inc.與從事碳化硅技術(shù)開發(fā)的德州公司Monolith?Semiconductor?Inc.今天新推出兩款1200V碳化硅(SiC)?n通道增強型MOSFET，為其日益擴展的第一代電源半導體器件組合注入新鮮血液。?Littelfuse與Monolith在2015年結(jié)成戰(zhàn)略合作關(guān)系，旨在為工業(yè)和汽車市場開發(fā)電源半導體。這種新型碳化硅MOSFET即為雙方聯(lián)手打造的最新產(chǎn)品。?這些產(chǎn)品在應用電力電子
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)的專家攜手與工程師發(fā)揮氮化鎵器件及集成電路的最高性能，不僅替代MOSFET器件，更為市場帶來創(chuàng)新設(shè)計

  • 　　EPC公司的管理及技術(shù)團隊將在中國深圳及上海于3月14至16日舉行的各大業(yè)界論壇及展會上，與工程師會面并作技術(shù)交流。屆時，EPC團隊將分享如何發(fā)揮氮化鎵場效應晶體管(GaN FET)及集成電路的最高性能、創(chuàng)新設(shè)計，從而為工程師及其客戶，打造共創(chuàng)共贏新局面。　　AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇 2018 (中國深圳 - 3月14至16日)　　首屆AirFuel無線充電大會暨開發(fā)者論壇將于3月14至16日在深圳南山凱賓斯基酒店舉行。由AirFuel?
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ADI用于Microsemi SiC功率模塊的隔離驅(qū)動器板加快產(chǎn)品上市時間

  • 　　Analog Devices, Inc. (ADI)與Microsemi Corporation近日聯(lián)合推出市場首款用于半橋SiC功率模塊的高功率評估板，在200kHz開關(guān)頻率時該板提供最高1200V電壓和50A電流。隔離板的設(shè)計旨在提高設(shè)計可靠性，同時減少創(chuàng)建額外原型的需求，為電源轉(zhuǎn)換和儲能客戶節(jié)省時間、降低成本并縮短上市時間。ADI公司和Microsemi將在2018年3月4日至8日于美國得克薩斯州圣安東尼奧舉行的APEC 2018展會上展示該評估
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安森美半導體的碳化硅(SiC)二極管提供更高能效、更高功率密度和更低的系統(tǒng)成本

  • 　　推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體?(ON?Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ON)推出最新650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管系列產(chǎn)品，擴展了SiC二極管產(chǎn)品組合。這些二極管的尖端碳化硅技術(shù)提供更高的開關(guān)性能、更低的功率損耗，并輕松實現(xiàn)器件并聯(lián)?！　“采腊雽w最新發(fā)布的650?V?SiC?二極管系列提供6安培(A)到50?A的表面貼裝和穿孔封裝。所有二極管均提供零反向恢復、低正向壓、不受溫度影響的電流穩(wěn)定性、高浪涌容
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高性能ZVS降壓穩(wěn)壓器消除在寬輸入范圍負載點應用中提高功率吞吐量的障礙

  • 　　當前具有更高整體效率的電子系統(tǒng)需要更高的功率密度，這為非隔離負載點穩(wěn)壓器(niPOL)?帶來了大量變革。為了提高整體系統(tǒng)效率，設(shè)計人員選擇避免多級轉(zhuǎn)換，以獲得他們所需要的穩(wěn)壓負載點電壓。這就意味著niPOL需要支持更高的工作輸入電壓，提供更高的轉(zhuǎn)換率。除此之外，niPOL還需要在保持最高效率的同時，繼續(xù)縮小電源解決方案的總體尺寸。而且隨著產(chǎn)品性能的提升，niPOL的功率需求會進一步提高?！　‰娫葱袠I(yè)通過對niPOL進行多項技術(shù)升級來應對這一挑戰(zhàn)。過去幾年，行業(yè)已經(jīng)看到器件封裝、半導體集成和M
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MOSFET芯片需求加劇 缺貨之勢持續(xù)蔓延

  • MOSFET缺貨潮來勢洶洶，看著突然實則必然，畢竟消費電子的更新迭代速度加快以及新能源汽車飛速發(fā)展已成必然之勢。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  芯片  
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