sic mosfet 文章進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)

利用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意量級(jí)偏置電流網(wǎng)絡(luò)

利用單個(gè)反饋源實(shí)現(xiàn)任意量級(jí)偏置電流網(wǎng)絡(luò)-假設(shè)須要生成一些任意數(shù)量（以N為例）的電流沉/源（current sink/source），而每個(gè)電流沉/源的大小任意，可能須要針對(duì)不同階段的一些復(fù)雜模擬電路進(jìn)行偏置。雖然基準(zhǔn)電壓的生成僅須一次實(shí)施即可，電流沉整個(gè)反饋部分的重復(fù)進(jìn)行卻使成本與設(shè)計(jì)空間密集化。
關(guān)鍵字：模擬電路 MOSFET

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路

采用自舉升壓結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)雙電壓mosfet驅(qū)動(dòng)電路-自舉升壓電路的原理圖如圖1所示。所謂的自舉升壓原理就是，在輸入端IN輸入一個(gè)方波信號(hào)，利用電容Cboot將A點(diǎn)電壓抬升至高于VDD的電平，這樣就可以在B端輸出一個(gè)與輸入信號(hào)反相，且高電平高于VDD的方波信號(hào)。具體工作原理如下：
關(guān)鍵字： mosfet 驅(qū)動(dòng)電路

功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電路圖

功率mos管工作原理與幾種常見(jiàn)驅(qū)動(dòng)電路圖-本文介紹功率mosfet工作原理、幾種常見(jiàn)的mosfet驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)，功率mosfet驅(qū)動(dòng)電路原理圖。
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng)電路 mosfet 電路圖

MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在

MOSFET 安全工作區(qū)對(duì)實(shí)現(xiàn)穩(wěn)固熱插拔應(yīng)用的意義所在-即使是在插入和拔出電路板和卡進(jìn)行維修或者調(diào)整容量時(shí)，任務(wù)關(guān)鍵的伺服器和通信設(shè)備也必須能夠不間斷工作。熱插拔控制器 IC 通過(guò)軟啟動(dòng)電源，支持從正在工作的系統(tǒng)中插入或移除電路板，從而避免了出現(xiàn)連接火花、背板供電干擾和電路板卡復(fù)位等問(wèn)題?？刂破?IC 驅(qū)動(dòng)與插入電路板之電源相串聯(lián)的功率 MOSFET 開(kāi)關(guān) （圖 1）。電路板插入后，MOSFET 開(kāi)關(guān)緩慢接通，這樣，流入的浪涌電流對(duì)負(fù)載電容充電時(shí)能夠保持在安全水平。
關(guān)鍵字： mosfet linear

在高頻直流—直流轉(zhuǎn)換器內(nèi)使用650V碳化硅MOSFET的好處

　　摘要　　本文評(píng)測(cè)了主開(kāi)關(guān)采用意法半導(dǎo)體新產(chǎn)品650V SiC MOSFET的直流-直流升壓轉(zhuǎn)換器的電熱特性，并將SiC碳化硅器件與新一代硅器件做了全面的比較。測(cè)試結(jié)果證明，新SiC碳化硅開(kāi)關(guān)管提升了開(kāi)關(guān)性能標(biāo)桿，讓系統(tǒng)具更高的能效，對(duì)市場(chǎng)上現(xiàn)有系統(tǒng)設(shè)計(jì)影響較大。　　前言　　市場(chǎng)對(duì)開(kāi)關(guān)速度、功率、機(jī)械應(yīng)力和熱應(yīng)力耐受度的要求日益提高，而硅器件理論上正在接近性能上限?！　拵栋雽?dǎo)體器件因電、熱、機(jī)械等各項(xiàng)性能表現(xiàn)俱佳而被業(yè)界看好，被認(rèn)為是硅半導(dǎo)體器件的替代技術(shù)。在這些新材料中，兼容硅
關(guān)鍵字： MOSFET SiC

用GaN重新考慮功率密度

用GaN重新考慮功率密度-電力電子世界在1959年取得突破，當(dāng)時(shí)Dawon Kahng和Martin Atalla在貝爾實(shí)驗(yàn)室發(fā)明了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。首款商業(yè)MOSFET在五年后發(fā)布生產(chǎn)，從那時(shí)起，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。
關(guān)鍵字： mosfet 氮化鎵 pfc

什么是同步整流器？開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？

什么是同步整流器？開(kāi)關(guān)MOSFET較同步整流器在功率電源中的耗散如何？-同步整流是采用通態(tài)電阻極低的專用功率MOSFET，來(lái)取代整流二極管以降低整流損耗的一項(xiàng)新技術(shù)。它能大大提高DC/DC變換器的效率并且不存在由肖特基勢(shì)壘電壓而造成的死區(qū)電壓。
關(guān)鍵字：整流器 mosfet 二極管

制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
關(guān)鍵字： SiC GaN

ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

近年來(lái)，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對(duì)產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn)，在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開(kāi)關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時(shí)，通過(guò)更高頻率的開(kāi)關(guān)動(dòng)作，還可實(shí)現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化?？梢?jiàn)，SiC是可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
關(guān)鍵字： ROHM SiC 汽車

一篇文章讀懂超級(jí)結(jié)MOSFET的優(yōu)勢(shì)

　　平面式高壓MOSFET的結(jié)構(gòu) 　　圖1顯示了一種傳統(tǒng)平面式高壓MOSFET的簡(jiǎn)單結(jié)構(gòu)。平面式MOSFET通常具有高單位芯片面積漏源導(dǎo)通電阻，并伴隨相對(duì)更高的漏源電阻。使用高單元密度和大管芯尺寸可實(shí)現(xiàn)較低的RDS(on)值。但大單元密度和管芯尺寸還伴隨高柵極和輸出電荷，這會(huì)增加開(kāi)關(guān)損耗和成本。另外還存在對(duì)于總硅片電阻能夠達(dá)到多低的限制。器件的總RDS(on)可表示為通道、epi和襯底三個(gè)分量之和：　　RDS(on) = Rch + Repi + Rsub 　　　　圖1：傳統(tǒng)平面式MOSF
關(guān)鍵字： MOSFET 超級(jí)結(jié)

走過(guò)疑慮 SiC器件終迎春天

在經(jīng)過(guò)多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來(lái)了春天。
關(guān)鍵字： SiC Cree

智能電網(wǎng)端口保護(hù)：這不是一顆“料”在戰(zhàn)斗!

　　今天，做一個(gè)產(chǎn)品或系統(tǒng)的電路保護(hù)方案，特別是智能電網(wǎng)等工業(yè)應(yīng)用的端口保護(hù)設(shè)計(jì)，就像是組織一場(chǎng)足球比賽的防御戰(zhàn)：你需要有大牌的球(yuan)星(jian)，還需要有將他們捏合在一起的戰(zhàn)術(shù)，去抵御來(lái)自對(duì)手的每一次可能的“進(jìn)攻”。這其中的門(mén)道兒不少，但也有套路可尋，今天我們就來(lái)看看世健(Excelpoint)作為工業(yè)電路保護(hù)界的“豪門(mén)”，是怎么玩兒的?！　∧切┟餍窃　∠葋?lái)細(xì)數(shù)一下世健帳下那些在智能電網(wǎng)上可堪重用的電路保護(hù)元件“球星”，它們大多來(lái)自Bourns公司，每顆料都很有“料”。比如：　　TBU高速
關(guān)鍵字：智能電網(wǎng) MOSFET

1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
關(guān)鍵字：電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707

電源模塊性能的PCB布局優(yōu)化

全球出現(xiàn)的能源短缺問(wèn)題使各國(guó)政府都開(kāi)始大力推行節(jié)能新政。電子產(chǎn)品的能耗標(biāo)準(zhǔn)越來(lái)越嚴(yán)格，對(duì)于電源設(shè)計(jì)工程師，如何設(shè)計(jì)更高效率、更高性能的電源是一個(gè)永恒的挑戰(zhàn)。本文從電源PCB的布局出發(fā)。
關(guān)鍵字：電源模塊性能 PCB布局技術(shù) MOSFET

SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)

人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開(kāi)發(fā)無(wú)線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來(lái)診斷癲癇病人，可穿戴的無(wú)線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過(guò)因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無(wú)線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
關(guān)鍵字： SiC 集成技術(shù) 生物電信號(hào) 采集方案