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sic mosfet 文章 進(jìn)入sic mosfet技術(shù)社區(qū)
如何避免LLC諧振轉(zhuǎn)換器中的MOSFET出現(xiàn)故障
- 為了降低能源成本,設(shè)備設(shè)計(jì)人員正在不斷尋找優(yōu)化功率密度的新方法。通常情況下,電源設(shè)計(jì)人員通過(guò)增大開(kāi)關(guān)頻率來(lái)降低功耗和縮小系統(tǒng)尺寸。由于具有諸多優(yōu)勢(shì)如寬輸出調(diào)節(jié)范圍、窄開(kāi)關(guān)頻率范圍以及甚至在空載情況下都能保證零電壓開(kāi)關(guān),LLC 諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用越來(lái)越普遍。但是,功率 MOSFET 出現(xiàn)故障一直是LLC 諧振轉(zhuǎn)換器中存在的一個(gè)問(wèn)題。在本文中,我們將闡述如何避免這些情況下出現(xiàn)MOSFET 故障。 初級(jí) MOSFET 的不良體二極管性能可能導(dǎo)致一些意想不到的系統(tǒng)或器件故障,如在各種異常條件下發(fā)生嚴(yán)重的直通
- 關(guān)鍵字: 諧振轉(zhuǎn)換器 MOSFET
完全自保護(hù)MOSFET功率器件分析
- 為了提高系統(tǒng)可靠性并降低保修成本,設(shè)計(jì)人員在功率器件中加入故障保護(hù)電路,以免器件發(fā)生故障,避免對(duì)電子系統(tǒng)造成高代價(jià)的損害。這通常利用外部傳感器、分立電路和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn),但是在更多情況下,設(shè)計(jì)人員使用完全自保護(hù)的MOSFET功率器件來(lái)完成?! D1顯示了完全自保護(hù)MOSFET的一般拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。這些器件常見(jiàn)的其他特性包括狀態(tài)指示、數(shù)字輸入、差分輸入和過(guò)壓及欠壓切斷。高端配置包括片上電荷泵功能。但是,大多數(shù)器件都具備三個(gè)電路模塊,即電流限制、溫度限制和漏-源過(guò)壓箝制,為器件提供大部分的保護(hù)?! ?nbsp;&n
- 關(guān)鍵字: MOSFET 功率器件
SiC耐壓更高,適合工控和EV
- SiC是這兩年剛剛興起的,主要用在工控/工業(yè)上,例如產(chǎn)線機(jī)器人、逆變器、伺服等。車(chē)輛方面,主要是電動(dòng)車(chē)(EV),此外還有工廠車(chē)間的搬運(yùn)車(chē)等特種車(chē)。 相比IGBT,SiC有一些特點(diǎn),可以做到高頻;做成模塊后,由于適應(yīng)適應(yīng)高頻,外圍器件例如電感你可以減小。因此電壓方面,ROHM推薦1200V的產(chǎn)品,這可體現(xiàn)出耐高壓的特點(diǎn)。 現(xiàn)在ROHM SiC模塊中,300A是量產(chǎn)中最大的電流(如圖),由幾個(gè)芯片并聯(lián)在一起的。如果一個(gè)芯片40A左右,就需要約七八個(gè)芯片并聯(lián),面積只有單個(gè)芯片那么大。絕緣層是由氧
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
IEGT與SiC降低損耗
- 東芝在工業(yè)領(lǐng)域推出大功率器件——IEGT以及SiC相關(guān)產(chǎn)品。這些產(chǎn)品可以廣泛用到電氣機(jī)車(chē)牽引、可再生能源、電力傳輸、工業(yè)變頻、電動(dòng)汽車(chē)等工業(yè)領(lǐng)域,這些領(lǐng)域?qū)p小噪聲、裝置體積以及能耗的要求越來(lái)越高?! |芝是全球第一個(gè)商業(yè)化生產(chǎn)IGBT器件的廠家,率先導(dǎo)入了“門(mén)級(jí)注入增強(qiáng)”技術(shù)以降低IGBT靜態(tài)損耗,用該技術(shù)注冊(cè)了東芝大功率IGBT的專(zhuān)用商標(biāo)---“IEGT”?! |芝電子(中國(guó))公司副董事長(zhǎng)野村尚司 目前東芝提供從1700V~4500V的高耐壓產(chǎn)品系列。通過(guò)使用高耐壓、高結(jié)溫的IEGT及SiC材料
- 關(guān)鍵字: IEGT SiC
SiC功率半導(dǎo)體接合部的自我修復(fù)現(xiàn)象,有望改善產(chǎn)品壽命
- 大阪大學(xué)和電裝2016年3月28日宣布,在日本新能源及產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開(kāi)發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)的項(xiàng)目下,發(fā)現(xiàn)了有望提高碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體長(zhǎng)期可靠性的接合材料自我修復(fù)現(xiàn)象。研究人員發(fā)現(xiàn),在高溫的設(shè)備工作環(huán)境下,用作接合材料的銀燒結(jié)材料自行修復(fù)了龜裂,這大大提高了SiC半導(dǎo)體在汽車(chē)等領(lǐng)域的應(yīng)用可能性。 此次的SiC接合使用銀膏燒結(jié)粘接法,該方法使用微米級(jí)和亞微米級(jí)的混合銀顆粒膏,以250℃低溫在空氣環(huán)境實(shí)施30分鐘接合工藝,獲得了裸片粘接構(gòu)造。與常見(jiàn)的使用納米顆粒施加高壓的接合方法相比有很多優(yōu)點(diǎn),包
- 關(guān)鍵字: SiC 功率半導(dǎo)體
功率MOSFET在正激式驅(qū)動(dòng)電路中的應(yīng)用簡(jiǎn)析
- 功率MOSFET在目前一些大功率電源的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中得到了廣泛的應(yīng)用,此前本文曾經(jīng)就幾種常見(jiàn)的MOSFET電路設(shè)計(jì)類(lèi)型進(jìn)行了簡(jiǎn)單總結(jié)和介紹。在今天的文章中,本文將會(huì)就這一功率器件的另一種應(yīng)用方式,即有隔離變壓器存在的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路,進(jìn)行簡(jiǎn)要分析?! ∮懈綦x變壓器的互補(bǔ)驅(qū)動(dòng)電路作為一種比較常見(jiàn)的驅(qū)動(dòng)電路形式,在目前的家電產(chǎn)品設(shè)計(jì)中應(yīng)用較多,其典型電路結(jié)構(gòu)如圖1(a)所示。在圖1(a)所給出的電路結(jié)構(gòu)中,V1、V2為互補(bǔ)工作,電容C起隔離直流的作用,T1為高頻、高磁率的磁環(huán)或磁罐?! ?nbsp;
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
入門(mén)必看的MOSFET小功率驅(qū)動(dòng)電路知識(shí)分享
- 功率器件MOSFET是目前應(yīng)用頻率最高的電子元件之一,也是很多電子工程師在入門(mén)學(xué)習(xí)時(shí)的重點(diǎn)方向。如果設(shè)計(jì)得當(dāng),MOSFET驅(qū)動(dòng)電路可以幫助工程師快速、高效、節(jié)能的完成電路系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì),本文在這里將會(huì)分享一種比較常見(jiàn)的MOSFET驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案,該方案尤其適用于小功率電路系統(tǒng)的采用?! ∠聢D中,圖1(a)所展示的是一種目前業(yè)內(nèi)比較常用的小功率MOSFET驅(qū)動(dòng)電路,這一電路系統(tǒng)的特點(diǎn)是簡(jiǎn)單可靠,且設(shè)計(jì)成本比較低,尤其適用于不要求隔離的小功率開(kāi)關(guān)設(shè)備。圖1(b)所示驅(qū)動(dòng)電路開(kāi)關(guān)速度很快,驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng),為防
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
電源的六大酷領(lǐng)域及動(dòng)向
- 節(jié)能環(huán)保離不開(kāi)高能效、高密度的功率器件、模塊,以及各種高精度、低能耗的控制和模擬芯片等。在此,本文選取了六大熱門(mén)領(lǐng)域:電力電子器件、汽車(chē)電源、USB Type-C供受電、無(wú)線充電、能量收集、數(shù)據(jù)中心電源,邀請(qǐng)部分領(lǐng)軍企業(yè)介紹了技術(shù)市場(chǎng)動(dòng)向及新產(chǎn)品。
- 關(guān)鍵字: SiC IGBT 汽車(chē) 電池 USB Type-C 無(wú)線充電 能量收集 數(shù)據(jù)中心 201604
Diodes 40V車(chē)用MOSFET適用于電機(jī)控制應(yīng)用
- Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的兩款40V車(chē)用MOSFET DMTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ溫度額定值高達(dá)+175°C,非常適合在高溫環(huán)境下工作。DMTH4004SPSQ旨在滿足水泵和燃油泵等超過(guò)750W的高功率無(wú)刷直流電機(jī)應(yīng)用的要求;DMTH4005SPSQ則適用于低功率無(wú)刷直流應(yīng)用,包括備用泵和暖通空調(diào)系統(tǒng)?! MTH4004SPSQ及DMTH4005SPSQ為滿足三相無(wú)刷直流電機(jī)控制應(yīng)用的嚴(yán)格要求,
- 關(guān)鍵字: Diodes MOSFET
ROHM亮相"2016慕尼黑上海電子展" 豐富產(chǎn)品與技術(shù)吸引觀眾駐足
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM現(xiàn)身在上海新國(guó)際博覽中心舉辦的“2016慕尼黑上海電子展(electronica China 2016)”。在本次展會(huì)上展出了ROHM所擅長(zhǎng)的模擬電源、以業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類(lèi)繁多的汽車(chē)電子產(chǎn)品、以及能夠?yàn)镮oT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類(lèi)眾多,并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。這些高新領(lǐng)先的技術(shù)、強(qiáng)勢(shì)多元化的產(chǎn)品、多種熱門(mén)應(yīng)用解決方案,吸引了眾多業(yè)內(nèi)外人士駐足及交流。
- 關(guān)鍵字: ROHM SiC
怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開(kāi)關(guān)功率器件之一,被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對(duì)其分析,有利于優(yōu)化MOSFET損耗,提高模塊電源的功率;但是一味的減少M(fèi)OSFET的損耗及其他方面的損耗,反而會(huì)引起更嚴(yán)重的EMI問(wèn)題,導(dǎo)致整個(gè)系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少M(fèi)OSFET的損耗的同時(shí)需要兼顧模塊電源的EMI性能?! 《㈤_(kāi)關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成:1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動(dòng)
- 關(guān)鍵字: MOSFET EMI
【E課堂】MOSFET管驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)總結(jié)
- 關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解,這次小編再帶大家仔細(xì)梳理一下,也許對(duì)于您的知識(shí)系統(tǒng)更加全面。下面是對(duì)MOSFET及MOSFET驅(qū)動(dòng)電路基礎(chǔ)的一點(diǎn)總結(jié),其中參考了一些資料?! ≡谑褂肕OS管設(shè)計(jì)開(kāi)關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動(dòng)電路的時(shí)候,大部分人都會(huì)考慮MOS的導(dǎo)通電阻,最大電壓等,最大電流等,也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的,但并不是優(yōu)秀的,作為正式的產(chǎn)品設(shè)計(jì)也是不允許的?! ?、MOS管種類(lèi)和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強(qiáng)型或耗盡型,P溝道或N
- 關(guān)鍵字: MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路
同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進(jìn)行這種折中處理可得到一個(gè)用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。通常,作為設(shè)計(jì)過(guò)程的一個(gè)組成部分,你會(huì)有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范,并且需要選擇一些 FET。另外,如果你是一名 IC 設(shè)計(jì)人員,你還會(huì)有一定的預(yù)算,其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會(huì)幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后,這些輸入可用于對(duì)各個(gè) FET 面積進(jìn)行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 首先,F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
- 關(guān)鍵字: MOSFET
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表,第5部分—開(kāi)關(guān)參數(shù)
- 最后,我們來(lái)到了這個(gè)試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個(gè)博客中,我們將花時(shí)間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開(kāi)關(guān)參數(shù),并且檢查它們對(duì)于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒(méi)什么關(guān)系)。 另一方面,諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開(kāi)關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開(kāi)關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思,我說(shuō)的這些聽(tīng)起來(lái)有點(diǎn)兒前言不搭后語(yǔ),不過(guò)設(shè)計(jì)人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
- 關(guān)鍵字: MOSFET 二極管
sic mosfet介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條sic mosfet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)sic mosfet的理解,并與今后在此搜索sic mosfet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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