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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 2 部分

  • 　　在《估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分》中，我們討論了如何設(shè)計溫升問題的電路類似方法。我們把熱源建模成了電流源。根據(jù)系統(tǒng)組件的物理屬性，計算得到熱阻和熱容。遍及整個網(wǎng)絡(luò)的各種電壓代表各個溫度?！　”疚闹校覀儼褕D 1 所示模型的瞬態(tài)響應(yīng)與圖 3 所示公開刊發(fā)的安全工作區(qū)域(SOA 曲線)部分進(jìn)行了對比?！　?nbsp;   　　圖 1 將散熱容加到&nb
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估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分

  • 　　在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法?！　岵灏坞娐酚糜趯㈦娙葺斎朐O(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負(fù)載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結(jié)果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設(shè)備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設(shè)備免受過應(yīng)力損害。圖 1 所示 
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—連續(xù)電流額定值

  • 　　今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值?！　±?，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降
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場效應(yīng)管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗

  • 　　本文總結(jié)了場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗　　一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進(jìn)行判別　　(1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極　　根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值

  • 　　在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關(guān)時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 　　自從20世紀(jì)80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
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“助攻”電源設(shè)計：900V SiC MOSFET導(dǎo)通電阻創(chuàng)新低！

  • 　　全球SiC領(lǐng)先者CREE推出了業(yè)界首款900V MOSFET：C3M0065090J。憑借其最新突破的SiC MOSFET C3MTM場效應(yīng)晶體管技術(shù)，該n溝道增強型功率器件還對高頻電力電子應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化。超越同樣成本的Si 基方案，能夠?qū)崿F(xiàn)下一代更小尺寸、更高效率的電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)，并大幅降低了系統(tǒng)成本。C3M0065090J突破了電力設(shè)備技術(shù)，是開關(guān)模式電源(spm)、電池充電器、太陽能逆變器，以及其他工業(yè)高電壓應(yīng)用等的電源管理解決方案。 　　世強代理的該900V SiC具有更寬的終端系統(tǒng)功率范圍，
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一種寬范圍可調(diào)的小型DC-DC降壓變換器

  • 提出了一種小型可調(diào)壓DC-DC降壓變換器的結(jié)構(gòu)。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構(gòu)成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅(qū)動能力較差，設(shè)計驅(qū)動電路通過與PWM發(fā)生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達(dá)到可調(diào)壓的目的。該降壓變換器設(shè)計簡單、經(jīng)濟(jì)適用、體積較小，輸出電壓可調(diào)。主要由主電路和驅(qū)動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
  • 關(guān)鍵字： DC-DC降壓  PWM  MOSFET  驅(qū)動電路  201601  

意法半導(dǎo)體（ST）推出新款功率MOSFET，實現(xiàn)更小、更環(huán)保的汽車電源

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產(chǎn)品通過AEC-Q101汽車測試認(rèn)證，采用意法半導(dǎo)體最先進(jìn)、內(nèi)置快速恢復(fù)二極管的MDmeshTM DM2超結(jié)制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝?！　?00V和500V兩款新產(chǎn)品是市場上同級產(chǎn)品中首個獲得AEC-Q101認(rèn)證的功率MOSFET，而600V和650V產(chǎn)品性能則高于現(xiàn)有競爭產(chǎn)品。全
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如何通過配置負(fù)載點轉(zhuǎn)換器提供負(fù)電壓或隔離輸出電壓

  • 　　在溫度高達(dá) 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環(huán)境應(yīng)用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統(tǒng)需求。有許多應(yīng)用需要負(fù)輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅(qū)動器電路供電或者為運算放大器實現(xiàn)偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉(zhuǎn)換器，提供負(fù)輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應(yīng)用需求?！　PS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質(zhì)、重工業(yè)以及油氣應(yīng)用等惡劣環(huán)境開發(fā)的集成型同步降壓轉(zhuǎn)換器解決方
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Bulk Si技術(shù)近極限，功率半導(dǎo)體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)

  • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體逐漸難提升其技術(shù)表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術(shù)最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預(yù)計未來功率半導(dǎo)體市場將三分天下。 　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應(yīng)用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設(shè)備而言
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ROHM（羅姆）亮相第十七屆高交會電子展

  • 　　2016年11月16日-21日，全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM亮相在深圳舉辦的“第十七屆高交會電子展(ELEXCON?2015)”。在本次展會上展出了ROHM所擅長的模擬電源、業(yè)界領(lǐng)先的SiC(碳化硅)元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子、以及能夠為IoT(物聯(lián)網(wǎng))的發(fā)展做出貢獻(xiàn)的傳感器網(wǎng)絡(luò)技術(shù)和小型元器件等品類眾多，并且融入了最尖端技術(shù)的產(chǎn)品。ROHM所帶來的高新領(lǐng)先技術(shù)、強勢多元化的產(chǎn)品、以及多種解決方案，受到來場參觀者的廣泛好評?！　OHM模擬電源“領(lǐng)銜”業(yè)內(nèi)標(biāo)準(zhǔn)　　近年來，全世
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意法半導(dǎo)體（ST）推出新款電源芯片，將大幅降低家電、照明及工業(yè)設(shè)備中的待機功耗

  • 　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標(biāo)準(zhǔn)的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業(yè)設(shè)備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關(guān)掉或處于閑置狀態(tài)時仍在消耗電能)將不復(fù)存在。 　　最大限度降低用電設(shè)備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設(shè)計人員長期努力的目標(biāo)，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節(jié)能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
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意法半導(dǎo)體（ST）推出世界首款1500V超結(jié)功率MOSFET，實現(xiàn)更環(huán)保、更安全的電源應(yīng)用

  • 　　意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設(shè)計人員實現(xiàn)產(chǎn)品效能最大化，同時提升工作穩(wěn)健性和安全系數(shù)。MDmeshTM K5產(chǎn)品是世界首款兼?zhèn)涑Y(jié)技術(shù)優(yōu)點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設(shè)計中。 　　新產(chǎn)品瞄準(zhǔn)計算機服務(wù)器及工業(yè)自動化市場。服務(wù)器要求更高的輔助開關(guān)式電源輸出功率，同時電源穩(wěn)健性是最大限度減少斷電停機時間的關(guān)鍵要素，電焊、工廠自
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試看新能源汽車的“加油站”如何撬動千億級市場？

  • 　　2015年3月份，一份由國家能源局制定的草案引爆了整個新能源汽車圈，沒錯，這份眾人期盼已久的草案就是《電動汽車充電基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》。該草案的完成對于汽車充電設(shè)施制造商帶來說堪稱一場“及時雨”。草案提到2020年國內(nèi)充換電站數(shù)量要達(dá)到1.2萬個，充電樁達(dá)到450萬個，這意味著一個千億級市場將在國內(nèi)的充電行業(yè)產(chǎn)生。 　　充電樁通常被譽為新能源汽車的“加油站”，可以固定在墻壁或地面，根據(jù)不同的電壓等級為各種型號的電動汽車充電。如圖1所示，目前的充電樁可以提
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更小、更快、更酷、更高效，900V SiC MOSFET在PFC中的應(yīng)用

  • 　　Wolfspeed (原CREE Power產(chǎn)品)推出業(yè)界首款900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品，拓展了高頻電力電子應(yīng)用的范圍。相比于相當(dāng)于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產(chǎn)品的新市場通過擴(kuò)大我們在終端系統(tǒng)解決功率范圍。該系列產(chǎn)品提供了更高的開關(guān)速率和更低的開關(guān)損耗，從而為電力電子工程師們提供了設(shè)計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。 　　新的900V SiC MOSFET系列產(chǎn)品極大的擴(kuò)大了產(chǎn)品應(yīng)用空間，能夠更好的應(yīng)對不斷發(fā)展變化的應(yīng)用領(lǐng)域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
  • 關(guān)鍵字： Wolfspeed   MOSFET  
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