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4μA IQ 熱插拔控制器保護(hù)電池免受電壓和電流故障損壞

  •   凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出超低靜態(tài)電流 (IQ) Hot SwapTM (熱插拔) 控制器LTC4231,該器件允許電路板或電池安全地從 2.7V 至 36V 系統(tǒng)中插入和拔出。LTC4231 控制一個(gè)外部 N 溝道 MOSFET,以平緩地給電路板電容器加電,從而避免瞬態(tài)放電、連接器損壞和系統(tǒng)干擾。器件在正常工作時(shí)靜態(tài)電流僅為 4µA,在停機(jī)模式則降至 0.3µA。為確保低電流工作,欠壓和過(guò)壓阻性分壓器連接至一個(gè)選通接地,
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英飛凌基于ARM內(nèi)核的汽車(chē)級(jí)電機(jī)控制集成芯片

  •   摘要:本文介紹了常見(jiàn)的幾種在汽車(chē)車(chē)身上的電機(jī)應(yīng)用,包括直流有刷電機(jī)控制,有霍爾/無(wú)霍爾直流無(wú)刷電機(jī)控制和永磁同步電機(jī)控制,不論是哪一種電機(jī)控制方案,英飛凌公司推出的基于ARM內(nèi)核的Embedded Power IC都是最理想的選擇。   引言   隨著電機(jī)在汽車(chē)上的廣泛應(yīng)用,如何降低能耗,減少噪音,成了工程師們面臨的新難題,傳統(tǒng)的電動(dòng)油泵、電動(dòng)水泵和散熱風(fēng)扇由繼電器控制直流電機(jī)的開(kāi)通或者關(guān)斷,不能進(jìn)行調(diào)速,在怠速狀況時(shí)電機(jī)仍然高速運(yùn)轉(zhuǎn),如果采用脈寬調(diào)制控制的直流電機(jī)或者三相電機(jī),則可以在不同的工況
  • 關(guān)鍵字: 英飛凌  ARM  電機(jī)控制  MOSFET  微控制器  201409  

SiC功率半導(dǎo)體將在2016年形成市場(chǎng) 成為新一輪趨勢(shì)

  •   矢野經(jīng)濟(jì)研究所2014年8月4日公布了全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)的調(diào)查結(jié)果。   全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模的推移變化和預(yù)測(cè)(出處:矢野經(jīng)濟(jì)研究所)   2013年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模(按供貨金額計(jì)算)比上年增長(zhǎng)5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負(fù)增長(zhǎng),但2013年中國(guó)市場(chǎng)的需求恢復(fù)、汽車(chē)領(lǐng)域的穩(wěn)步增長(zhǎng)以及新能源領(lǐng)域設(shè)備投資的擴(kuò)大等起到了推動(dòng)作用。   預(yù)計(jì)2014年仍將繼續(xù)增長(zhǎng),2015年以后白色家電、汽車(chē)及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的需求有望擴(kuò)大。矢野經(jīng)濟(jì)研究所預(yù)測(cè),2020年全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)
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如何成為一個(gè)優(yōu)秀的硬件設(shè)計(jì)師

  •   啟動(dòng)一個(gè)硬件開(kāi)發(fā)項(xiàng)目,原始的推動(dòng)力會(huì)來(lái)自于很多方面,比如市場(chǎng)的需要,基于整個(gè)系統(tǒng)架構(gòu)的需要,應(yīng)用軟件部門(mén)的功能實(shí)現(xiàn)需要,提高系統(tǒng)某方面能力的需要等等,所以作為一個(gè)硬件系統(tǒng)的設(shè)計(jì)者,要主動(dòng)的去了解各個(gè)方面的需求,并且綜合起來(lái),提出最合適的硬件解決方案。比如A項(xiàng)目的原始推動(dòng)力來(lái)自于公司內(nèi)部的一個(gè)高層軟件小組,他們?cè)趯?shí)際當(dāng)中發(fā)現(xiàn)原有的處理器板IP轉(zhuǎn)發(fā)能力不能滿(mǎn)足要求,從而對(duì)于系統(tǒng)的配置和使用都會(huì)造成很大的不便,所以他們提出了對(duì)新硬件的需求。根據(jù)這個(gè)目標(biāo),硬件方案中就針對(duì)性的選用了兩個(gè)高性能網(wǎng)絡(luò)處理器,然后還
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超薄雙管MOSFET

  •   封裝的創(chuàng)新非常重要,尤其是在設(shè)計(jì)適用于支持更大電流的新一代便攜式設(shè)計(jì)所需的超薄的MOSFET時(shí)更顯得不可或缺。   計(jì)算機(jī)、工業(yè)及電信領(lǐng)域的電源應(yīng)用設(shè)計(jì)人員通常使用分立式 MOSFET 支持更高的軌道電路,以提升電源效率,但其難點(diǎn)是如何設(shè)計(jì)出盡可能小的外形尺寸?,F(xiàn)在,設(shè)計(jì)人員可通過(guò)與德州儀器(TI)最新電源模塊 II 系列的同步 NexFET™ 電源雙管 MOSFET結(jié)合,同時(shí)實(shí)現(xiàn)高效率、低導(dǎo)通電阻以及業(yè)界最小尺寸的效果。   最新超薄電源塊 II 器件不僅可使產(chǎn)品變得更密集,同時(shí)還可
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SiC對(duì)醫(yī)療設(shè)備電源為最佳選擇,三菱電機(jī)展示高頻功率模塊

  •   三菱電機(jī)開(kāi)發(fā)出了支持50kHz左右高頻開(kāi)關(guān)動(dòng)作的工業(yè)設(shè)備用混合SiC功率半導(dǎo)體模塊,并在7月23~25日舉辦的“日本尖端技術(shù)展(TECHNO-FRONTIER)2014”上展示。該模塊組合了高頻用Si-IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和SiC-SBD(肖特基勢(shì)壘二極管),從2014年5月開(kāi)始樣品供貨。   據(jù)介紹,新產(chǎn)品可用于光伏發(fā)電用逆變器等多種工業(yè)設(shè)備,尤其適合經(jīng)常采用高開(kāi)關(guān)頻率的醫(yī)療設(shè)備用電源。新產(chǎn)品有6種,耐壓均為1200V,額定電流為100A~600A不等。通過(guò)采
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宜普電源高性能氮化鎵功率晶體管已有現(xiàn)貨供應(yīng)

  •   氮化鎵(eGaN?)功率晶體管繼續(xù)為電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用設(shè)定業(yè)界領(lǐng)先的性能基準(zhǔn)。由于氮化鎵器件具有更低的導(dǎo)通電阻、更低的電容、更大的電流及卓越的熱性能,因此使得功率轉(zhuǎn)換器可實(shí)現(xiàn)超過(guò)98%的效率。   宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出六個(gè)新一代功率晶體管及相關(guān)的開(kāi)發(fā)板。這些由30 V至200 V的產(chǎn)品在很多應(yīng)用可大大降低導(dǎo)通電阻(RDS(on))并可增強(qiáng)輸出電流性能,例如具高功率密度的直流-直流轉(zhuǎn)換器、負(fù)載點(diǎn)(POL)轉(zhuǎn)換器、直流-直流及交流-直流轉(zhuǎn)換器的同步整流器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)器、發(fā)光二極管照明及工業(yè)自動(dòng)化等廣
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DC/DC轉(zhuǎn)換器空間受限的解決方案

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: DC/DC轉(zhuǎn)換器  寬電流  MOSFET  集成型穩(wěn)壓器  

具高級(jí)輸入和負(fù)載保護(hù)功能的10A μModule降壓型穩(wěn)壓器

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
  • 關(guān)鍵字: 降壓型穩(wěn)壓器  負(fù)載保護(hù)  MOSFET  LTM4641  μModule  

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

  •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?! BD適合各種應(yīng)用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?! iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行,即便是在高電壓
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IR新品AUIRFN8403提供緊湊5x6mm PQFN封裝

  •   全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商——國(guó)際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱(chēng)IR)推出汽車(chē)級(jí)COOLiRFET功率MOSFET AUIRFN8403,適合需要極小占位面積和大電流性能的汽車(chē)應(yīng)用,包括泵電機(jī)控制和車(chē)身控制等?! ∈褂镁o湊5x6mm PQFN封裝的AUIRFN8403,是IR運(yùn)用該公司最先進(jìn)的COOLiRFET 40V溝道技術(shù)的全新器件系列的首款產(chǎn)品,具有3.3 mΩ超低導(dǎo)通電阻和95A大電流承載能力。PQFN封裝具有加長(zhǎng)管腳,管腳的端口通過(guò)電鍍進(jìn)行焊接,從而
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美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路

  •   美國(guó)阿肯色大學(xué)研究人員已經(jīng)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C (大約660°F)時(shí)工作的集成電路。該研究由美國(guó)國(guó)家科學(xué)基金(NSF)提供資助,研究成果可以提高用于電力電子設(shè)備、汽車(chē)和航空航天設(shè)備領(lǐng)域的處理器、驅(qū)動(dòng)器、控制器和其他模擬與數(shù)字電路的功能,因?yàn)樗羞@些應(yīng)用場(chǎng)合的電子設(shè)備都必須在高溫甚至經(jīng)常在極限溫度下運(yùn)行。   阿肯色大學(xué)電子工程學(xué)院特聘教授Alan Mantooth說(shuō),“堅(jiān)固性允許這些電路被放置在標(biāo)準(zhǔn)硅基電路部件無(wú)法工作的地方。我們?cè)O(shè)計(jì)了性能優(yōu)越的信號(hào)處理電路模
  • 關(guān)鍵字: SiC  集成電路  

東芝擴(kuò)大650V碳化硅肖特基勢(shì)壘二極管產(chǎn)品陣容

  •   東京—東芝公司(TOKYO:6502)旗下的半導(dǎo)體&存儲(chǔ)產(chǎn)品公司今天宣布,該公司將通過(guò)添加TO-220F-2L絕緣封裝產(chǎn)品擴(kuò)大其650V碳化硅(SiC)肖特基勢(shì)壘二極管(SBD)系列產(chǎn)品。四款新產(chǎn)品將擴(kuò)大現(xiàn)有TO-220-2L封裝產(chǎn)品的6A、8A、10A和12A陣容。量產(chǎn)出貨即日啟動(dòng)?! BD適合各種應(yīng)用,包括光伏發(fā)電系統(tǒng)用的服務(wù)器電源和功率調(diào)節(jié)器。此外,它還可作為開(kāi)關(guān)電源中的硅二極管的替換件,能夠?qū)⑿侍嵘?0%(東芝調(diào)查)?! iC功率器件提供比當(dāng)前硅器件更加穩(wěn)定的運(yùn)行,即便是在高電壓
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美國(guó)阿肯色大學(xué)設(shè)計(jì)工作溫度超過(guò)350°C的SiC基集成電路

  • 美國(guó)設(shè)計(jì)出可在溫度高于350°C 時(shí)工作的集成電路,該產(chǎn)品可以用于高溫甚至極溫下運(yùn)行的航空航天設(shè)備......
  • 關(guān)鍵字: SiC  集成電路  

新日本無(wú)線(xiàn)變身綜合電子元器件供應(yīng)商

  •   ]新日本無(wú)線(xiàn)的MEMS傳感器累計(jì)出貨量突破1億枚,這是新日本無(wú)線(xiàn)執(zhí)行董事兼電子元器件事業(yè)部長(zhǎng)村田隆明先生今年來(lái)訪(fǎng)時(shí)帶來(lái)的最新消息,同時(shí)在SAW濾波器、MOSFET、光電半導(dǎo)體器件、功率半導(dǎo)體器件和最新型運(yùn)算放大器等各個(gè)方面都有了長(zhǎng)足的進(jìn)步。   記得去年七月份村田隆明來(lái)到本刊時(shí),詳細(xì)介紹了新日本無(wú)線(xiàn)將向綜合電子元器件供應(yīng)商轉(zhuǎn)型的發(fā)展戰(zhàn)略,而今表明這一戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型已經(jīng)初步完成。   電子元器件業(yè)務(wù)已占贏收85%   縱觀新日本無(wú)線(xiàn)公司歷長(zhǎng)達(dá)50多年的發(fā)展歷程,可以看到其業(yè)務(wù)構(gòu)成主要是獨(dú)特的模擬技術(shù)和微
  • 關(guān)鍵字: MEMS  MOSFET  濾波器  
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