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SiC功率半導體將在2016年形成市場 成為新一輪趨勢

作者: 時間:2014-08-11 來源:元器件交易網(wǎng) 收藏

  矢野經(jīng)濟研究所2014年8月4日公布了全球市場的調(diào)查結果。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/256714.htm
全球功率半導體市場規(guī)模的推移變化和預測(出處:矢野經(jīng)濟研究所)

  全球市場規(guī)模的推移變化和預測(出處:矢野經(jīng)濟研究所)

  2013年全球市場規(guī)模(按供貨金額計算)比上年增長5.9%,為143.13億美元。雖然2012年為負增長,但2013年中國市場的需求恢復、汽車領域的穩(wěn)步增長以及新能源領域設備投資的擴大等起到了推動作用。

  預計2014年仍將繼續(xù)增長,2015年以后白色家電、汽車及工業(yè)設備領域的需求有望擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測,2020年全球功率半導體市場規(guī)模(按供貨金額計算)將達到294.5億美元。各類器件方面,預計功率模塊的增長率最高,在新一代汽車(HV及EV)、新能源設備及工廠設備等領域的普及有望擴大。

  在新一代功率半導體

  方面,以前主要是被用于二極管,而2013年起,一些晶體管也開始采用。2014年下半年起,各元器件廠商開始利用直徑為6英寸(150mm)的晶圓實施量產(chǎn),預計2015~2016年成本將會降低,用途也會進一步擴大。矢野經(jīng)濟研究所預測,2020年新一代功率半導體的全球市場規(guī)模(按供貨金額計算)將在SiC功率半導體推動下達到28.2億美元。

  此次調(diào)查的對象為功率半導體廠商、晶圓廠商及系統(tǒng)廠商,于2013年10月~2014年6月實施。涉及的器件包括功率MOSFET、IPD(IntelligentPowerDevice)、二極管、IGBT、功率模塊及雙極晶體管等。根據(jù)調(diào)查數(shù)據(jù),將硅功率半導體以及采用SiC及GaN等新一代材料的功率半導體的數(shù)據(jù)加在一起,計算出了市場規(guī)模。



關鍵詞: SiC 功率半導體

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