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基于ICE3AR2280JZ芯片和CoolMOS的三相開關電源的方案

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字： MOSFET  TVS串聯(lián)  三相開關電源  ICE3AR2280JZ  

同步正向 MOSFET 驅動器無需信號變壓器

  • ??　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出高效率副邊?MOSFET?驅動器?LT8311，該器件在隔離式同步正向轉換器中無需原邊控制就可工作。LT8311?采用獨特的預測模式，通過在副邊檢測信號以控制同步整流，無需信號變壓器實現(xiàn)原邊至副邊通信。這種模式減少了組件數量和解決方案尺寸?！　T8311?在?3.7V?至?30V
  • 關鍵字： 凌力爾  MOSFET  LT8311  

Vishay MOSFET再度刷新業(yè)內最低導通電阻記錄

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出采用超小尺寸的熱增強PowerPAK??SC-70封裝的新款雙片N溝道TrenchFET?功率MOSFET。Vishay?Siliconix?SiA936EDJ可在便攜式電子產品中節(jié)省空間并提高電源效率，在4.5V和2.5V柵極驅動下具有20?V(12V?VGS和8V?VGS)器件中最低的導通電阻，占位面積為2mm?x?2mm?！　?/li>
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  SiA936EDJ  

德州儀器面向大電流電機控制及電源設計推出40V至100V NexFET? MOSFET

  • 　　德州儀器?(TI)?宣布推出?14?款采用?TO-220?及?SON?封裝的功率?MOSFET，其支持?40V?至?100V?輸入電壓，進一步壯大了?TI?普及型?NexFET?產品陣營。高效率?NexFET?包括?40V、60V、80V?以及?100V?N?通道器
  • 關鍵字： TI  TO-220  MOSFET  NexFET  

76V、?1A 降壓型轉換器靜態(tài)電流僅為12μA

  • 　　凌力爾特公司?(Linear?Technology?Corporation)?推出能接受?76V?輸入的高效率降壓型轉換器?LTC3637，該器件可提供高達?1A?的連續(xù)輸出電流。它在?4V?至?76V?的輸入電壓范圍內工作，非常適用于電信、工業(yè)、航空電子和汽車應用。LTC3637?運用可編程峰值電流模式設計，在很寬的輸出電流范圍內優(yōu)化效率。該器件提供高達&nbs
  • 關鍵字： Linear  LTC3637  MOSFET  

Vishay發(fā)布寬體IGBT和MOSFET驅動器

  • 　　日前，Vishay?Intertechnology,?Inc.宣布，推出用于電機驅動、太陽能逆變器、新能源和焊接設備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產品組合。VOW3120-X017T的最短電氣間隙和外爬電距離為10mm。該器件不僅具有長隔離距離，還具有1414V的VIORM和8000V的VIOTM高隔離電壓，非常適合在高工作電壓下運轉的應用及污染程度較重的環(huán)境?！　〕司哂袃?yōu)異的隔離能力，使用可靠和久經考驗的光電子
  • 關鍵字： Vishay  IGBT  MOSFET  VOW3120  

英飛凌推出針對體二極管硬式整流進行了優(yōu)化的快速二極管

  • 　　英飛凌科技股份公司日前推出200V和250V?OptiMOSTM?FD，進一步完善了中壓產品組合。作為針對體二極管硬式整流進行優(yōu)化的最新一代功率MOSFET，這些器件更加可靠耐用，具有更低的過沖電壓和更低的反向恢復損耗，有助于實現(xiàn)最可靠的系統(tǒng)，特別是在硬開關應用中，如通訊系統(tǒng)、工業(yè)電源、D類音頻放大器、電機控制(適用于48–110V系統(tǒng))和直流/交流逆變器等。　　提高可靠性，同時節(jié)省成本　　OptiMOS?FD家族具備針對最高性能標準而優(yōu)化的反向恢復電荷(Qrr)。相比標
  • 關鍵字： 英飛凌  OptiMOS  MOSFET  

凌力爾特推出反激式副邊同步整流器驅動器 LT8309

  • 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出反激式副邊同步整流器驅動器 LT8309，該器件采用 MOSFET 取代了輸出二極管，無需使用散熱器就可允許高達 10A 的輸出電流。
  • 關鍵字： 凌力爾特  LT8309  MOSFET  

下一代晶體管技術何去何從

  • 電子技術發(fā)展至今，主要在拼什么？功耗、成本、快速性成為很多公司對外宣傳的殺手锏，那么在這個速食的時代，下一代晶體管技術又將何去何從呢？
  • 關鍵字： MOSFET  晶體管  

凌力爾特推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器

  • 2014 年 2 月 19 日，凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出大功率兩相單輸出同步升壓型 DC/DC 控制器 LTC3784，該器件采用高效率 N 溝道 MOSFET 取代了整流升壓二極管。
  • 關鍵字： 凌力爾特  LTC3784  DC/DC  MOSFET  

模擬電子—從放大器說起（四）：反饋

  • 在了解了三極管/MOSFET的原理之后，就可以涉及具體的電路來放大信號了。但是剛一拿起鉛筆和稿紙就發(fā)現(xiàn)一個非?，F(xiàn)實的問題那就是三極管或者是MOSFET的放大倍數都不是那么穩(wěn)定的，例如說三極管的電流增益Beta就是受到工藝影響非常大的一個指標，如果我們要對信號進行非常精準的放大僅僅依靠三極管的原生放大倍數肯定是不行的。
  • 關鍵字： 三極管  MOSFET  放大器  電路  增益  

飛兆全新中壓MOSFET采用空間節(jié)省型封裝可優(yōu)化電能應用

  • 2014年2月13日，許多終端應用 – 比如IP電話、電機控制電路、有源鉗位開關和負載開關 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便滿足制造商的要求。飛兆半導體開發(fā)了FDMC86xxxP系列P溝道PowerTrench? MOSFET，在尺寸減小的同時可實現(xiàn)卓越的開關速度和功耗性能。
  • 關鍵字： 飛兆  MOSFET  

Vishay推出具有業(yè)內最低RDS(on)的P溝道MOSFET

  • 2014 年 1 月22 日，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出具有業(yè)內最低導通電阻的新款P溝道MOSFET---Si7157DP，擴充其TrenchFET? P溝道Gen III功率MOSFET。
  • 關鍵字： Vishay  MOSFET  Si7157DP  

省毫瓦以增里程；提升汽車CAN總線能效以增強燃油經濟性

  • 對于傳統(tǒng)乘用車而言，油箱是唯一的實際能源來源，故制造商們尋求在包括電子系統(tǒng)在內的所有汽車系統(tǒng)中節(jié)能，以進一步改善燃油經濟性及二氧化碳(CO2)排放。隨著汽車中增添的電子系統(tǒng)的數量不斷增多，以增強汽車性能及安全性，并為購買者提供有吸引力的新功能，汽車中每個電子控制單元(ECU)的節(jié)能效果較低的話，就會使總油耗大幅增加。
  • 關鍵字： CAN  SBC  MOSFET  轉換器  ECU  

電子元器件科普小知識：功率MOSFET的基礎知識

  • 什么是功率MOSFET我們都懂得如何利用二極管來實現(xiàn)開關，但是，我們只能對其進行開關操作，而不能逐漸控制信號流。...
  • 關鍵字： 電子元器件  MOSFET  
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