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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sic mosfet

一種具有后臺(tái)校正功能的電流舵DAC

  • 　　隨著工藝水平的提高，MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor?Field-Effect?Transistor，即金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管)閾值電壓的失配常數(shù)Avt越來越小，電流源之間的匹配程度越來越高，然而隨著DAC(Digital?to?Analog?Converter，即數(shù)模轉(zhuǎn)換器)分辨率的提高，?DAC對(duì)電流源誤差的要求越來越高[1]。其中閾值電壓失配不僅與Avt有關(guān)，由于閾值電壓的溫度系數(shù)存在，DAC工作
  • 關(guān)鍵字： DAC  MOSFET  

納微半導(dǎo)體將在中國(guó)臺(tái)灣的電源設(shè)計(jì)技術(shù)論壇活動(dòng)上

  • 　　納微 (Navitas)半導(dǎo)體宣布其現(xiàn)場(chǎng)應(yīng)用及技術(shù)營(yíng)銷總監(jiān)黃萬年將在2018年1月30日于中國(guó)臺(tái)北舉辦的“2018前瞻電源設(shè)計(jì)與功率組件技術(shù)論壇”上發(fā)表“利用氮化鎵(GaN)功率IC實(shí)現(xiàn)下一代電源適配器設(shè)計(jì)”的主題演講。他將分享如何利用業(yè)內(nèi)首個(gè)及唯一的氮化鎵(GaN)功率IC在各種電力系統(tǒng)中顯著提高速度、效率和密度的嶄新見解。納微是這項(xiàng)活動(dòng)的銀級(jí)贊助商，該活動(dòng)為具有創(chuàng)新性的制造商、合作伙伴及客戶提供了一個(gè)交互論壇，以交流加速采用新型氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)器件的專業(yè)知識(shí)?！　↑S萬年
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ROHM贊助上海同濟(jì)大學(xué)“DIAN Racing”電動(dòng)方程式車隊(duì)

  • 　　近年來，出于地球溫室化對(duì)策和減少空氣污染的考慮，對(duì)汽車的環(huán)保性能要求越來越高。世界各國(guó)均已制定了新能源汽車的開發(fā)和引進(jìn)計(jì)劃，未來新能源汽車的普及將會(huì)進(jìn)一步加速。其中，中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)發(fā)展勢(shì)頭最為迅猛。隨著中國(guó)新能源汽車市場(chǎng)的迅速壯大和新能源汽車技術(shù)的快速發(fā)展，越來越多的中國(guó)新能源汽車品牌開始走出國(guó)門，投身到波瀾壯闊的世界新能源汽車市場(chǎng)?！　∽鳛槿蛑雽?dǎo)體制造商， ROHM一直以來都將汽車市場(chǎng)為主要目標(biāo)領(lǐng)域，通過開發(fā)并提供SiC元器件、電源IC、控制IC等滿足最新汽車電子化需求的創(chuàng)新型高
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通過電源模塊提高電動(dòng)工具設(shè)計(jì)的性能

  • 　　電動(dòng)工具、 園藝工具和吸塵器等家電使用低電壓(2至10節(jié))鋰離子電池供電的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。這些工具使用有刷直流(BDC)或三相無刷直流(BLDC)電機(jī)。BLDC電機(jī)效率更高、維護(hù)少、噪音小、使用壽命更長(zhǎng)。　　驅(qū)動(dòng)電機(jī)功率級(jí)的最重要的性能要求是尺寸小、效率高、散熱性能好、保護(hù)可靠、峰值電流承載能力強(qiáng)。小尺寸可實(shí)現(xiàn)工具內(nèi)的功率級(jí)的靈活安裝、更好的電路板布局性能和低成本設(shè)計(jì)。高效率可提供最長(zhǎng)的電池壽命并減少冷卻工作。可靠的操作和保護(hù)可延長(zhǎng)使用壽命，有助于提高產(chǎn)品聲譽(yù)?！　樵趦蓚€(gè)方向上驅(qū)動(dòng)BDC電機(jī)，您
  • 關(guān)鍵字： BLDC  MOSFET  

汽車電源的監(jiān)視和開關(guān)

  • 　　引言　　在如今的汽車中，為了提高舒適度和行車體驗(yàn)而設(shè)計(jì)了座椅加熱、空調(diào)、導(dǎo)航、信息娛樂、行車安全等系統(tǒng)，從這些系統(tǒng)很容易理解在車中為各種功能供電的電子系統(tǒng)的好處。現(xiàn)在我們很難想像僅僅 100 多年以前的景象，那時(shí)，在汽油動(dòng)力汽車中，一個(gè)電子組件都沒有。在世紀(jì)交替時(shí)期的汽車開始有了手搖曲柄，前燈開始用乙炔氣照明，也可以用鈴聲向行人發(fā)出提示信息了。如今的汽車正處于徹底變成電子系統(tǒng)的交界點(diǎn)，最大限度減少了機(jī)械系統(tǒng)的采用，正在成為人們生活中最大、最昂貴的“數(shù)字化工具”。由于可用性和環(huán)保原因
  • 關(guān)鍵字： 電源  MOSFET   

電動(dòng)汽車打開應(yīng)用窗口：SiC產(chǎn)品要來了！

  • 隨著技術(shù)的不斷更新?lián)Q代，以及電動(dòng)汽車市場(chǎng)的巨大助力，SiC產(chǎn)品有望迎來快速增長(zhǎng)期。
  • 關(guān)鍵字： 電動(dòng)汽車  SiC  

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類市場(chǎng)

  • 　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說。 　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  DFN  

600 V CoolMOS? CFD7 SJ MOSFET將性能提升到全新水準(zhǔn)

  • 　　017年11月24日，德國(guó)慕尼黑訊—憑借600 V CoolMOSCFD7，英飛凌科技股份公司推出最新的高壓超結(jié)MOSFET技術(shù)。該600 V CoolMOS CFD7是CoolMOS 7系列的新成員。這款全新MOSFET滿足了高功率SMPS市場(chǎng)對(duì)諧振拓?fù)涞男枨?。它的LLC和ZVS PSFB等軟開關(guān)拓?fù)渚邆錁I(yè)內(nèi)領(lǐng)先的效率和可靠性。這使其非常適合服務(wù)器、電信設(shè)備電源和 電動(dòng)汽車充電站等高功率SMPS應(yīng)用?！　?nbsp;&n
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  MOSFET  

缺貨緩解待看12寸產(chǎn)能 國(guó)產(chǎn)MOSFET持續(xù)主導(dǎo)消費(fèi)類市場(chǎng)

  • 　　MOSFET漲價(jià)何時(shí)能得到緩解?深圳市拓鋒半導(dǎo)體科技有限公司總經(jīng)理陳金松表示可能要到2018年第四個(gè)季度，等國(guó)內(nèi)的12寸晶圓量產(chǎn)之后，將8寸的產(chǎn)能騰出來，才有可能緩解。同時(shí)要看封測(cè)廠的“吞吐力”是否足以化解8寸產(chǎn)能的釋放，如果封測(cè)廠商難以消化這么大的產(chǎn)能，漲價(jià)仍會(huì)持續(xù)，只是幅度不會(huì)像今年這么大了。“明年我們自己的封裝廠將擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)2018年6月可正式投產(chǎn)，擴(kuò)產(chǎn)后的產(chǎn)能可多出一倍，每月達(dá)2億只左右。”陳金松說。 　　MOSFET作為應(yīng)用廣泛的基礎(chǔ)類元器件
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  晶圓  

功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？

  • 功率因數(shù)校正最佳策略：如何選取合適的MOSFET？-近年來，隨著汽車、通信、能源、綠色工業(yè)等大量使用MOSFET的 行業(yè)的快速發(fā)展，功率MOSFET備受關(guān)注。
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  功率因數(shù)  Vishay  

MOSFET芯片產(chǎn)能轉(zhuǎn)至車用電子 供貨緊張

  • 　　面對(duì)國(guó)際IDM大廠將旗下MOSFET芯片產(chǎn)能大量移轉(zhuǎn)到車用電子領(lǐng)域，并開始采取限量供應(yīng)MOSFET芯片給PC、NB及移動(dòng)裝置產(chǎn)品客戶的情形，大中、富鼎、尼克森等臺(tái)系MOSFET芯片三雄不僅2017年第3季終于有像樣的營(yíng)收成長(zhǎng)力道，客戶追加訂單的盛況更是前所未見。雖然第4季全球PC及NB市場(chǎng)需求照理說會(huì)開始下滑，但在英特爾(Intel)、AMD新款CPU平臺(tái)需增加3~5顆MOSFET芯片，加上客戶對(duì)于MOSFET芯片供需吃緊的議題抱持高度關(guān)注態(tài)度，臺(tái)系MOSFET芯片供應(yīng)商多已表達(dá)淡季不淡的樂觀預(yù)期看法
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  芯片  

MOS芯片缺貨潮2019年有望緩解 應(yīng)用端提升8寸產(chǎn)線成主力

  • 　　以MLCC為代表的被動(dòng)元件在進(jìn)入第三季度后，受產(chǎn)能供需吃緊影響，價(jià)格大漲，部分物料漲幅甚至超過10倍。而與被動(dòng)元件市場(chǎng)行情相似的MOSFET芯片也出現(xiàn)缺貨潮，導(dǎo)致價(jià)格上漲，即便是在溢價(jià)20%的基礎(chǔ)上新增訂單，供應(yīng)商仍難交出貨來。更嚴(yán)重的是，MOSFET芯片市場(chǎng)缺貨潮短期內(nèi)將難以緩解，保守估計(jì)到2019年局面才能改觀。 　　據(jù)IHS數(shù)據(jù)顯示，2016年MOSFET芯片市場(chǎng)總規(guī)模為205億美元，2017年預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)到220億美元。MOSFET芯片可廣泛應(yīng)用于消費(fèi)類電子、電動(dòng)汽車以及IIoT等領(lǐng)域，杭州士
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  MLCC  

如何確保MOS管工作在安全區(qū)

  • 　　電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！　∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長(zhǎng)期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。這里就衍生一個(gè)概念，安全工作區(qū)?！　∫弧⑹裁词前踩ぷ鲄^(qū)?　　安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
  • 關(guān)鍵字： MOSFET  IGBT  

我國(guó)第三代半導(dǎo)體材料制造設(shè)備取得新突破

  • 　　近日，863計(jì)劃先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域“大尺寸SiC材料與器件的制造設(shè)備與工藝技術(shù)研究”課題通過了技術(shù)驗(yàn)收。 　　通常，國(guó)際上把碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體材料稱之為第三代半導(dǎo)體材料。其在禁帶寬度、擊穿場(chǎng)強(qiáng)、電子飽和漂移速度、熱導(dǎo)率等綜合物理特性上具有更加突出的綜合優(yōu)勢(shì)，特別在抗高電壓、高溫等方面性能尤為明顯，由于第三代半導(dǎo)體材料的制造裝備對(duì)設(shè)備真空度、高溫加熱性能、溫度控制精度以及高性能溫場(chǎng)分布、設(shè)備可靠性等直接影響SiC單晶襯底質(zhì)量和成品率的關(guān)鍵技術(shù)有很高的
  • 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體  SiC  
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