2010年韓國半導(dǎo)體、顯示器設(shè)備業(yè)者中，有10間企業(yè)年度銷售突破2,000億韓元(約1.8億美元)。至2009年為止，韓國僅2間企業(yè)年度銷售逾2,000億韓元，過去韓國半導(dǎo)體及顯示器設(shè)備國產(chǎn)業(yè)者積極推動事業(yè)多元化及擴(kuò)大出口，形成規(guī)模經(jīng)濟(jì)以建構(gòu)可永續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)，目前正快速成長中。根據(jù)韓國電子公示系統(tǒng)(Data Analysis, Retrieval and Transfer System;DART)及相關(guān)業(yè)者表示，2010年銷售突破2,000億韓元的設(shè)備業(yè)者包含Semes、Jusung Engineer
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海力士 電子制造設(shè)備
2001年海力士(Hynix)受景氣波及，遭債權(quán)銀行團(tuán)接手并進(jìn)行債務(wù)重整，時隔10年，海力士已成為全球第2大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片供貨商。即使如此，海力士仍背負(fù)5.9兆韓元(約54.46億美元)債務(wù)，該公司現(xiàn)任執(zhí)行長權(quán)五哲(Kwon Oh-chul)在接受Korea Times訪問時，目前海力士首要目標(biāo)是盡力還款，并同時確保有足夠資金擴(kuò)產(chǎn)以及研發(fā)新技術(shù)。
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海力士 內(nèi)存芯片 NAND
海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
三星電子搶先行動整整三個月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。
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海力士 內(nèi)存
海力士(Hynix)30日召開定期股東大會，社長權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場將可望出現(xiàn)反彈。
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海力士 DRAM
全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱，它已經(jīng)開發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。
海力士在聲明中稱，通過使用一種名為TSV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個芯片封裝中堆疊了8個2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢。
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海力士 DRAM
韓國海力士半導(dǎo)體日前正式加入美國SEMATECH的一項(xiàng)有關(guān)芯片三維互連研究計(jì)劃，這一研究主要由美國Albany大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)，SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導(dǎo)體研發(fā)部門主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實(shí)現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個方向、而且還有可能降低制造成本?！?/li>
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海力士 半導(dǎo)體
據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，全球第2大存儲器芯片廠海力士(Hynix)發(fā)布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進(jìn)行資本投資。
據(jù)海力士計(jì)劃，該筆資金將用于擴(kuò)張既有廠房、設(shè)備升級與研究開發(fā)工作。該公司公開說明指出，本次投資規(guī)畫旨在因應(yīng)市場需求與成本競爭壓力加劇。
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海力士 半導(dǎo)體
據(jù)國外媒體報(bào)道，韓國半導(dǎo)體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴(kuò)大和升級現(xiàn)有工廠，以及開展研發(fā)工作。
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海力士 半導(dǎo)體
存儲器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營中，唯一沒有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!
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海力士 NAND
1月30日，海力士半導(dǎo)體(中國)有限公司12英寸集成電路三期項(xiàng)目4.5億美元銀團(tuán)貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項(xiàng)目，由國家開發(fā)銀行江蘇省分行、中國農(nóng)業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行，中國銀行、工商銀行、建設(shè)銀行、中信銀行共同參與組建銀團(tuán)，融資總額4.5億美元。這次銀團(tuán)簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目銀團(tuán)后的又一次成功合作。
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海力士 集成電路
韓國《東亞日報(bào)》周一報(bào)道，海力士半導(dǎo)體債權(quán)人韓國金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半導(dǎo)體的債權(quán)人可能會繼續(xù)為他們所持海力士半導(dǎo)體的剩余股份尋找買家。
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海力士 半導(dǎo)體
海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級制程。海力士29日宣布，已開發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。
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海力士 DRAM
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日報(bào)(Seoul Economic Daily)的報(bào)導(dǎo)。
彭博電話訪問發(fā)言人Park Seong Ae指出，實(shí)際投資金額可能會依市場情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會比較小。
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海力士 DRAM
海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開始量產(chǎn)30納米芯片。
這一表態(tài)證實(shí)了韓國網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
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海力士 30納米
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