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EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> sk 海力士

海力士宣布下一代DDR4內(nèi)存開(kāi)發(fā)完畢

  • 　　三星電子搶先行動(dòng)整整三個(gè)月之后，另一家半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix Semiconductor)今天也宣布下代DDR4內(nèi)存顆粒、內(nèi)存條開(kāi)發(fā)完畢。海力士已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了容量2Gb(256MB)的DDR4 DRAM內(nèi)存顆粒，以及容量2GB的DDR4 ECC SO-DIMM內(nèi)存條，支持錯(cuò)誤校驗(yàn)功能，均采用先進(jìn)的30nm級(jí)別工藝制造，完全符合JEDEC組織制定的相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范?！?/li>
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海力士：DRAM市況可望進(jìn)入恢復(fù)期

  • 　　海力士(Hynix)30日召開(kāi)定期股東大會(huì)，社長(zhǎng)權(quán)五哲表示，DRAM價(jià)格已觸底，市況可望進(jìn)入恢復(fù)期，而權(quán)五哲對(duì)NANDFlash市況，也抱持肯定的態(tài)度，他表示，受日本地震影響，NANDFlash價(jià)格攀升，下半年記憶體晶片市場(chǎng)將可望出現(xiàn)反彈。 　　
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海力士開(kāi)發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存

  • 　　全球第二大計(jì)算機(jī)內(nèi)存芯片廠商海力士半導(dǎo)體周三稱(chēng)，它已經(jīng)開(kāi)發(fā)出全球最大容量的單芯片封裝DRAM內(nèi)存芯片。 　　海力士在聲明中稱(chēng)，通過(guò)使用一種名為T(mén)SV(硅通孔技術(shù))的新技術(shù)，海力士成功地在一個(gè)芯片封裝中堆疊了8個(gè)2GB DDR3 DRAM內(nèi)存芯片。TSV技術(shù)與以前的技術(shù)相比具有速度更快和耗電量更少的優(yōu)勢(shì)。 　　
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海力士加入美國(guó)芯片三維互連研究計(jì)劃

  • 　　韓國(guó)海力士半導(dǎo)體日前正式加入美國(guó)SEMATECH的一項(xiàng)有關(guān)芯片三維互連研究計(jì)劃，這一研究主要由美國(guó)Albany大學(xué)的實(shí)驗(yàn)室承擔(dān)，SEMATECH提供組織和協(xié)調(diào)。海力士半導(dǎo)體研發(fā)部門(mén)主管Sung Joo博士表示，三維互連是高性能芯片實(shí)現(xiàn)高密度、小型化封裝的一個(gè)方向、而且還有可能降低制造成本?！?/li>
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海力士擬將于3月前注資5.67億美元擴(kuò)廠

  • 　　據(jù)路透(Reuters)報(bào)導(dǎo)，全球第2大存儲(chǔ)器芯片廠海力士(Hynix)發(fā)布，將于3月前挹注6,370億韓元(約5.67億美元)進(jìn)行資本投資。 　　據(jù)海力士計(jì)劃，該筆資金將用于擴(kuò)張既有廠房、設(shè)備升級(jí)與研究開(kāi)發(fā)工作。該公司公開(kāi)說(shuō)明指出，本次投資規(guī)畫(huà)旨在因應(yīng)市場(chǎng)需求與成本競(jìng)爭(zhēng)壓力加劇。
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海力士將投資5.68億美元擴(kuò)建工廠和支持研發(fā)

  • 　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，韓國(guó)半導(dǎo)體制造商海力士周三表示，將在3月份之前投資6370億韓元(約合5.677億美元)，用于擴(kuò)大和升級(jí)現(xiàn)有工廠，以及開(kāi)展研發(fā)工作。 　　
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全球NAND Flash擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽3缺1

  • 　　存儲(chǔ)器大廠海力士(Hynix)2010年第4季獲利受到DRAM報(bào)價(jià)下跌影響而驟降，除了積極布局非標(biāo)準(zhǔn)型DRAM相關(guān)的應(yīng)用領(lǐng)域之外，市場(chǎng)認(rèn)為目前全球4大NAND Flash陣營(yíng)中，唯一沒(méi)有宣布要擴(kuò)產(chǎn)的只剩下海力士，2011年平板計(jì)算機(jī)和智能型手機(jī)等應(yīng)用都是NAND Flash當(dāng)?shù)?，海力士還有1座空著的12寸晶圓廠M12，未來(lái)若此座廠房加入NAND Flash生產(chǎn)行列，全球NAND Flash產(chǎn)業(yè)4大天王將全部到齊!　　
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海力士無(wú)錫項(xiàng)目三期融資4.5億美元

  • 　　1月30日，海力士半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司12英寸集成電路三期項(xiàng)目4.5億美元銀團(tuán)貸款簽約儀式在湖濱飯店舉行。本次簽約的海力士三期項(xiàng)目，由國(guó)家開(kāi)發(fā)銀行江蘇省分行、中國(guó)農(nóng)業(yè)銀行江蘇省分行為聯(lián)合牽頭行，中國(guó)銀行、工商銀行、建設(shè)銀行、中信銀行共同參與組建銀團(tuán)，融資總額4.5億美元。這次銀團(tuán)簽約，是銀企各方繼海力士一、二期超大規(guī)模集成電路生產(chǎn)線項(xiàng)目銀團(tuán)后的又一次成功合作。
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海力士半導(dǎo)體債權(quán)人擬繼續(xù)沽售剩余股份

  • 　　韓國(guó)《東亞日?qǐng)?bào)》周一報(bào)道，海力士半導(dǎo)體債權(quán)人韓國(guó)金融公司(KoreaFinanceCorp。)總裁RyuJaeHan透露，今年3月之后，海力士半導(dǎo)體的債權(quán)人可能會(huì)繼續(xù)為他們所持海力士半導(dǎo)體的剩余股份尋找買(mǎi)家。 　
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海力士DRAM制程升級(jí)到30納米級(jí)

  • 　　海力士(Hynix)緊跟三星電子(Samsung Electronics)之后，將把DRAM的生產(chǎn)制程轉(zhuǎn)換為30納米級(jí)制程。海力士29日宣布，已開(kāi)發(fā)出2款計(jì)算機(jī)用DRAM產(chǎn)品，將首度采用30納米級(jí)制程量產(chǎn)。據(jù)海力士表示，計(jì)劃采用38納米制程生產(chǎn)4Gb和2Gb 2種產(chǎn)品，2011年第1季將先量產(chǎn)2Gb產(chǎn)品。 　
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海力士2011年計(jì)劃投資26億美元

  • 　　據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士(Hynix)計(jì)劃資本支出3兆韓元(約26億美元)，該公司發(fā)言人證實(shí)首爾經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)(Seoul Economic Daily)的報(bào)導(dǎo)。 　　彭博電話訪問(wèn)發(fā)言人Park Seong Ae指出，實(shí)際投資金額可能會(huì)依市場(chǎng)情況而調(diào)整。Park進(jìn)一步指出，2010年的投資金額為3.38兆韓元，相較之下，2011年的投資金額可能會(huì)比較小。
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海力士半導(dǎo)體明年一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片

  • 　　海力士半導(dǎo)體發(fā)言人Park Seong Ae周四表示，公司將從明年第一季度開(kāi)始量產(chǎn)30納米芯片。 　　這一表態(tài)證實(shí)了韓國(guó)網(wǎng)絡(luò)新聞媒體edaily此前的相關(guān)報(bào)道。
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海力士期望大陸市場(chǎng)能給其帶來(lái)轉(zhuǎn)機(jī)

  • 　　全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績(jī)走弱，營(yíng)運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素，有鑒于大陸市場(chǎng)潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營(yíng)收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示，公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。 　　　　
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海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

  • 　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專(zhuān)門(mén)IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對(duì)象。 　　
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海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能

  • 　　11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示，計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。 　　該公司對(duì)證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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