sk 海力士文章進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)

海力士期望大陸市場(chǎng)能給其帶來(lái)轉(zhuǎn)機(jī)

　　全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績(jī)走弱，營(yíng)運(yùn)獲利下滑加上淡季效應(yīng)與產(chǎn)品價(jià)格走跌等因素，有鑒于大陸市場(chǎng)潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營(yíng)收。海力士大陸區(qū)負(fù)責(zé)人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時(shí)表示，公司計(jì)劃提高大陸廠制程技術(shù)，以生產(chǎn)高階晶片。　　　　
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海力士M8產(chǎn)線將以代工為重心

　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)M8產(chǎn)線未來(lái)將以代工事業(yè)為重心。據(jù)南韓電子新聞報(bào)導(dǎo)，近期海力士以部分IC設(shè)計(jì)公司為對(duì)象，提出運(yùn)用清州M8廠的合作方案。采用90奈米以上制程的電源管理半導(dǎo)體、發(fā)光二極管(LED)驅(qū)動(dòng)芯片、顯示器用驅(qū)動(dòng)芯片(DDI)、傳感器專門IC設(shè)計(jì)等企業(yè)皆為協(xié)商對(duì)象。　　
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海力士半導(dǎo)體將投資2.31億美元以提高芯片產(chǎn)能

　　11月19日電全球第二大計(jì)算機(jī)存儲(chǔ)芯片制造商海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)周五表示，計(jì)劃投資2610億韓圜(約合2.31億美元),，以提高和升級(jí)芯片產(chǎn)能。　　該公司對(duì)證交所表示，上述投資將于12月底做出。
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海力士Q3獲利翻5倍

　　受惠于出貨成長(zhǎng)及轉(zhuǎn)進(jìn)優(yōu)勢(shì)芯片的策略奏效，南韓海力士半導(dǎo)體第三季營(yíng)業(yè)利益創(chuàng)下歷史次高記錄。海力士預(yù)估，內(nèi)存芯片價(jià)格將于明年第一季開(kāi)始止跌回穩(wěn)。　　海力士周四公布，第三季營(yíng)業(yè)利益為1.01兆韓元(8.849億美元)，超越市場(chǎng)預(yù)期的9610億韓元，并較去年同期的2090億韓元大幅成長(zhǎng)近5倍，同時(shí)逼近上一季創(chuàng)下的1.05兆韓元的歷史新高。　　
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海力士擬明年量產(chǎn)20納米NAND Flash

　　韓國(guó)半導(dǎo)體廠海力士(Hynix)計(jì)劃2011年中以20納米制程量產(chǎn)NAND Flash。此20納米制程快閃存儲(chǔ)器可應(yīng)用于手機(jī)或平板計(jì)算機(jī)(Tablet PC)等裝置，相較26納米存儲(chǔ)器，晶圓(wafer)產(chǎn)出量提高約25%。　　
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三星、海力士4Q營(yíng)收不樂(lè)觀

　　DRAM存儲(chǔ)器半導(dǎo)體價(jià)格跌勢(shì)持續(xù)第5個(gè)月，韓廠三星電子(Samsung Electronics)和海力士半導(dǎo)體(Hynix)等存儲(chǔ)器公司2010年第4季將難避免營(yíng)收惡化的危機(jī)。　　　　
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景氣雖不明　海力士仍持續(xù)投資30納米制程

　　雖然在經(jīng)濟(jì)前景不明的情況下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣亦受到連帶影響，不過(guò)全球排名第2的半導(dǎo)體大廠海力士(Hynix)仍計(jì)劃對(duì)轉(zhuǎn)進(jìn)30納米制程持續(xù)加碼，以增加和三星電子(Samsung Electronics)、日本爾必達(dá)(Elpida)等大廠競(jìng)爭(zhēng)的優(yōu)勢(shì)。　　
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海力士：股份收購(gòu)者將出現(xiàn)

　　據(jù)韓國(guó)電子新聞報(bào)導(dǎo)，目前韓國(guó)有幾間業(yè)者對(duì)海力士(Hynix) 股份拋售顯露興趣。海力士理事議長(zhǎng)金鍾甲表示，韓國(guó)企業(yè)中有業(yè)者表示對(duì)海力士股份有興趣，早晚會(huì)對(duì)外宣布收購(gòu)立場(chǎng)。　　金鍾甲在接受電子新聞訪談時(shí)表示，由于存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)競(jìng)爭(zhēng)構(gòu)圖產(chǎn)生變化，且海力士的競(jìng)爭(zhēng)力更強(qiáng)化，韓國(guó)業(yè)者對(duì)海力士的表現(xiàn)皆抱持正面的態(tài)度。　　雖然主要是由債權(quán)團(tuán)執(zhí)行海力士股份拋售，金鍾甲以理事會(huì)議長(zhǎng)身分也積極接觸海力士潛在收購(gòu)者。海力士近期以來(lái)對(duì)拋售股份的官方說(shuō)法維持沒(méi)有表明收購(gòu)意愿的企業(yè)，但金鍾甲此次的發(fā)言則暗示禁止拋售作業(yè)已進(jìn)行
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今年全球芯片廠商資本開(kāi)支將增長(zhǎng)一倍

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，市場(chǎng)研究公司Gartner星期二稱，2010年全球芯片廠商的資本開(kāi)支將比2009年增長(zhǎng)將近一倍，因?yàn)樵谌ツ甑慕?jīng)濟(jì)衰退之后，芯片廠商渴望進(jìn)行更多的投資。　　Gartner稱，全球芯片廠商2010年的資本開(kāi)支將達(dá)到507億美元，比2009年增長(zhǎng)96%。由于經(jīng)濟(jì)衰退，全球芯片廠商2009年的資本開(kāi)支是259億美元，比2008年減少了41%。　　Gartner副總裁Klaus Rinnen在聲明中稱，2010年半導(dǎo)體市場(chǎng)的強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)半導(dǎo)體資本開(kāi)支增長(zhǎng)到創(chuàng)紀(jì)錄的高水平。　　隨著半導(dǎo)
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DRAM價(jià)15天爆跌10% 恐跌至2美元線

　　韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來(lái)，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。　　D
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DRAM價(jià)15天爆跌10%　恐跌至2美元線

　　韓國(guó)電子時(shí)報(bào)報(bào)導(dǎo)，DRAM價(jià)格在15天內(nèi)暴跌10%，1Gb DDR3價(jià)格恐將跌至2美元線。價(jià)格跌落幅度超過(guò)預(yù)測(cè)值，不只三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)，設(shè)備業(yè)者也感到相當(dāng)緊張。　　據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)DRAMeXange統(tǒng)計(jì)，1Gb DDR3 9月初固定交易價(jià)格較15天前跌落10.60%至2.09美元，這是DDR3自2009年1月上市以來(lái)，固定交易價(jià)格最大跌幅。甫推出DDR3時(shí)，價(jià)格僅在1美元在線，其后持續(xù)上升，至2009年11月，以2.25美元首度突破2美元線。DD
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韓國(guó)2015年前將非內(nèi)存芯片份額提高一倍

　　韓國(guó)知識(shí)經(jīng)濟(jì)部上星期四稱，韓國(guó)將在未來(lái)五年投資1.7萬(wàn)億韓元(14.5億美元)幫助韓國(guó)芯片廠商找出進(jìn)入快速增長(zhǎng)的非內(nèi)存芯片市場(chǎng)的道路。　　三星電子和海力士半導(dǎo)體等韓國(guó)芯片廠商目前擁有全球內(nèi)存芯片市場(chǎng)50%以上的份額。但是，在非內(nèi)存芯片市場(chǎng)，韓國(guó)廠商的市場(chǎng)份額只有大約3%。韓國(guó)政府正是在這個(gè)背景之下采取這個(gè)行動(dòng)的。　　根據(jù)這個(gè)計(jì)劃，韓國(guó)芯片廠商在2015年要取得全球非內(nèi)存芯片市場(chǎng)7.5%的份額。2009年全球非內(nèi)存芯片市場(chǎng)的規(guī)模是1858億美元。這個(gè)市場(chǎng)預(yù)計(jì)將以平均15%的年增長(zhǎng)率繼續(xù)增長(zhǎng)。
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海力士進(jìn)行內(nèi)部組織重整強(qiáng)化后段制程

　　海力士半導(dǎo)體(Hynix)近來(lái)決定將制造部門分為前段制程和后段制程部門，并進(jìn)行組織及人事重整作業(yè)。海力士社長(zhǎng)權(quán)五哲就任后，任命樸星昱擔(dān)任副社長(zhǎng)職務(wù)，并首度進(jìn)行組織改編，以強(qiáng)化后段制程、強(qiáng)化產(chǎn)線應(yīng)用效益、調(diào)動(dòng)老員工以賦予組織緊張感、任期內(nèi)成效最大化等，頗有為親政而架構(gòu)新格局的意味。　　海力士的制造部門將分為制造1部和制造2部，1部負(fù)責(zé)制造廠業(yè)務(wù)，2部則處理封裝及測(cè)試事宜。1部部長(zhǎng)確定由采購(gòu)室長(zhǎng)姜東均(譯名)、2部部長(zhǎng)由質(zhì)量管理室長(zhǎng)白東源接管，而目前的采購(gòu)室則由大陸無(wú)錫廠企劃管理團(tuán)隊(duì)長(zhǎng)官姜聲錫(譯名)
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惠普宣布與海力士合作開(kāi)發(fā)新型內(nèi)存

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，惠普周二宣布與韓國(guó)海力士半導(dǎo)體(Hynix Semiconductor)達(dá)成合作協(xié)議，共同研發(fā)下一代內(nèi)存技術(shù)電阻式內(nèi)存并將其推向市場(chǎng)。　　據(jù)一份聲明顯示，兩家公司將合作開(kāi)發(fā)新型材料和技術(shù)，實(shí)現(xiàn)電阻式內(nèi)存(ReRAM)技術(shù)的商業(yè)化。海力士將會(huì)采用由惠普實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出的新型元件憶阻器(memristor)。憶阻器相比現(xiàn)有的固態(tài)存儲(chǔ)技術(shù)能耗更低，速度更快，而且能在斷電時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)?；萜战衲甏杭痉Q表示，憶阻器也能夠執(zhí)行邏輯。　　ReRAM技術(shù)的初衷是成為低功耗Flash的替代品。ReRAM
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海力士開(kāi)始26nm的NAND閃存量產(chǎn)

　　韓國(guó)海力士聲稱，在其M11的300毫米生產(chǎn)線上開(kāi)始利用20納米技術(shù)進(jìn)行64Gb的NAND閃存量產(chǎn)。　　該公司在2月時(shí)曾報(bào)道擬進(jìn)行20納米級(jí)的64Gb的NAND生產(chǎn)，采用現(xiàn)有的32Gb產(chǎn)品進(jìn)行疊層封裝完成。　　海力士稱它的芯片是26nm的一種，有人稱20nm級(jí)產(chǎn)品。三星是27nm的NAND閃存，IM Flash是25nm及Sandisk/Toshiba是24nm。
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