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EEPW首頁 >> 主題列表 >> sk 海力士

傳華潤上華購首鋼NEC 首鋼或退出半導(dǎo)體業(yè)

  • 　　繼9月從無錫海力士-意法半導(dǎo)體手中接過8英寸生產(chǎn)線設(shè)備之后，芯片制造商無錫華潤上華科技有限公司(0597.HK，下稱華潤上華)再次出手。 　　記者近日從接近華潤集團高層的業(yè)內(nèi)人士處獲悉，華潤集團欲收購首都鋼鐵集團旗下半導(dǎo)體業(yè)務(wù)公司——首鋼日電電子有限公司(以下簡稱“首鋼NEC”)的大部分股權(quán)，并將把這部分資產(chǎn)注入華潤控股的芯片制造企業(yè)華潤上華。 　　“收購價格還沒有最終確定?！鄙鲜鲋槿耸客嘎叮侨A潤上華有著強烈意愿，華潤集團也非常支持，目前華潤與首鋼NEC已達(dá)成初步交易意向。 　　首鋼NEC
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我國IC芯片生產(chǎn)線達(dá)50條 應(yīng)繼續(xù)鼓勵發(fā)展

  • 到2007年8月底，“十一五”規(guī)劃期的五年時間已過去了1/3，謹(jǐn)在此回顧一下這段時間內(nèi)我國IC芯片線建設(shè)的進(jìn)展?fàn)顩r。      2005年底，我國共有40條IC芯片線在運轉(zhuǎn)，其中有1條12英寸線，9條8英寸線，8條6英寸線，8條5英寸線，14條4英寸線。從2006年1月至2007年8月期間，我國建成投入運營11條IC芯片線，但由于原有的1條生產(chǎn)線停止運營，因此，凈增10條線，總計達(dá)到50條線。 經(jīng)統(tǒng)計，2006年1月至2007年8月期間投入運營的，計有1條
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海力士半導(dǎo)體DRAM產(chǎn)品獲得 ISi存儲技術(shù)授權(quán)

  • 海力士已經(jīng)同意在其動態(tài)隨機存儲器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技術(shù)。采用Z-RAM的DRAM將使用一種單晶體管位單元，來替代多個晶體管和電容器的組合，這代表了自上世紀(jì)70年代初發(fā)明DRAM來，基本DRAM位單元實現(xiàn)了首次變革。海力士已經(jīng)獲得了搶先將Z-RAM引入DRAM市場的機會。為確保這項優(yōu)勢，兩家公司已經(jīng)投入相當(dāng)大的工程資源共同開發(fā)該項目。      Z-RAM最初作為全球成本最低的嵌入式內(nèi)存技術(shù)而應(yīng)用于邏輯芯片，如移動芯片組、微處
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SK電訊預(yù)計中國今年發(fā)放3G牌照可能性不大

  • 據(jù)路透財經(jīng)報道，韓國最大移動運營商SK電訊高層表示，中國今年發(fā)放3G牌照的可能性不大。 SK電訊首席運營官Lee Bang-hyung在首爾參加“路透全球技術(shù)、媒體和電信峰會”時表示，“關(guān)于中國3G牌照，我們聽到市場傳言是，可能在10月份中國全國人大會議召開后發(fā)放”，“(但是)今年發(fā)牌的可能性不大”。 SK電訊去年斥資10億美元，購入中國聯(lián)通的可換股債券，雙方在CDMA領(lǐng)域上有獨家合作協(xié)議。市場認(rèn)為，SK電信的入股反映其對聯(lián)通取得基于CDMA的3G牌照抱有信心，并希望與聯(lián)通合作拓展全球最大的手機
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GIPS幫助韓國SK提升用戶在線通信體驗

  • 韓國領(lǐng)先的互聯(lián)網(wǎng)創(chuàng)新通信服務(wù)供應(yīng)商之一 SK Communications 現(xiàn)已選用Global IP Solutions (GIPS) 公司的 VoiceEngine™ PC Advanced 嵌入式語音處理解決方案，以提升其 NateOn 實時信息 (instant messaging, IM) 服務(wù)的質(zhì)量。 S
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海力士半導(dǎo)體擬投50億美元建造新廠提升產(chǎn)能

  • 26日, 韓國海力士半導(dǎo)體表示,計劃投資4.6萬億韓元(合約49.7億美元)建造新廠，并擴張現(xiàn)有生產(chǎn)線。 海力士為全球第二大動態(tài)隨機存取記憶體(DRAM)制造商。該公司在提交韓國證交所的文件中表示，將投資3.8兆韓元在國內(nèi)建造12寸晶圓新廠，并在2009年年中前完成投資。  該公司本季也將投資7920億韓元擴張并升級現(xiàn)有廠房。
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半導(dǎo)體制造大門向中國敞開？

  • 海力士與ST的合資晶圓制造廠終于落戶無錫，這座占地800余畝的新廠位于無錫新區(qū)，主要制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片。這個晶圓廠的一期工程總投資為20億美元，成為迄今為止我國單體投資最大的半導(dǎo)體項目，同時它也是無錫市政府引進(jìn)的江蘇省最大的外商獨資項目，因此被無錫當(dāng)?shù)氐膱蠹埛Q為“晶圓航母”。新工廠一投產(chǎn)運營，馬上就可以量產(chǎn)最先進(jìn)的12英寸的70nm晶圓，而且未來４期項目的總投資額將有望超過１００億美元。 業(yè)界一些專家和權(quán)威人士也對這個項目普遍稱道，認(rèn)為該項目將使中國和世界半導(dǎo)體頂尖技術(shù)的差距縮短５～１０
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2006年10月，無錫海力士意法半導(dǎo)體在無錫正式投產(chǎn)

  • 　　2006年10月，無錫海力士意法半導(dǎo)體在無錫正式投產(chǎn)。
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海力士與ST為合資存儲器芯片制造廠舉行落成典禮

  • 　　意法半導(dǎo)體公司和另一家大型半導(dǎo)體廠商海力士半導(dǎo)體為在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。中國地方及國家領(lǐng)導(dǎo)參加了開業(yè)典禮。          這個技術(shù)先進(jìn)的新工廠將負(fù)責(zé)制造NAND閃存和DRAM存儲器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。合資雙方將獲得規(guī)模經(jīng)濟帶來的巨大的經(jīng)濟效益，將能提前進(jìn)入飛速增長的中國市場，在制造工藝和產(chǎn)品開發(fā)上實現(xiàn)優(yōu)勢互補。無錫晶圓制造廠將加快
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海力士2006年4月啟用無錫半導(dǎo)體廠

  •    海力士與意法半導(dǎo)體合資興建的江蘇無錫半導(dǎo)體廠，將在明年4月著手量產(chǎn)。      韓國業(yè)界相關(guān)人員近日指出，據(jù)傳海力士最快將在明年第一季底，最遲將在明年第二季初啟用無錫廠。無錫廠將以生產(chǎn)DRAM為主，NAND型閃存則將視市場需求彈性生產(chǎn)。      無錫廠區(qū)達(dá)16萬平方米，海力士計劃投入2兆韓元以上興建一座八吋晶圓廠與一座12吋晶圓廠。明年4月將啟用的為8吋晶圓廠，將采用9
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