sk 海力士文章進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)

三季度全球 DRAM 銷售額達(dá) 132.4 億美元，連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)

11 月 30 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，從去年下半年開始，受消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑影響，全球存儲(chǔ)芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產(chǎn)量、人工智能領(lǐng)域相關(guān)需求增加的推動(dòng)下，DRAM 這一類存儲(chǔ)產(chǎn)品的價(jià)格已在回升，銷售額環(huán)比也在增加。研究機(jī)構(gòu)最新的數(shù)據(jù)就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達(dá)到了 132.4 億美元，環(huán)比增長(zhǎng) 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續(xù)兩個(gè)季度環(huán)比增長(zhǎng)。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長(zhǎng)，也就意味著主要廠商的銷售額，環(huán)
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存儲(chǔ)器報(bào)價(jià) 明年H1抬頭

三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接續(xù)舉行法說，釋出對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)看法，兩大廠商均表示，PC、手機(jī)終端庫存去化已告一段落、傳統(tǒng)服務(wù)器需求依然疲弱，而AI服務(wù)器需求則較為強(qiáng)勁。業(yè)界人士認(rèn)為，存儲(chǔ)器原廠減產(chǎn)以求獲利的決心不容小覷，在獲利數(shù)字翻正前，應(yīng)會(huì)持續(xù)減產(chǎn)策略，預(yù)期2024年上半年內(nèi)存報(bào)價(jià)向上趨勢(shì)不變。臺(tái)系存儲(chǔ)器相關(guān)廠商包括南亞科、華邦電、群聯(lián)、威剛、創(chuàng)見、十銓、宇瞻等有望受惠。時(shí)序進(jìn)入第四季，三星認(rèn)為，市場(chǎng)復(fù)蘇將加速，在旺季帶動(dòng)之下，市場(chǎng)DRAM、NAND Flash位出貨量，可望分別
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全面暫停生產(chǎn)！知名半導(dǎo)體大廠宣布倒閉，虧損超8倍

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的重要支撐，對(duì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展和社會(huì)進(jìn)步起著關(guān)鍵性的作用。半導(dǎo)體在計(jì)算機(jī)、通信、消費(fèi)電子、汽車、工業(yè)控制、醫(yī)療設(shè)備等各個(gè)領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，扮演著連接現(xiàn)實(shí)世界與數(shù)字世界的橋梁。然而，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正面臨著嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。1、技術(shù)研發(fā)半導(dǎo)體技術(shù)日新月異，要保持競(jìng)爭(zhēng)力必須不斷進(jìn)行技術(shù)研發(fā)和創(chuàng)新。新興技術(shù)的涌現(xiàn)不僅促使企業(yè)進(jìn)行升級(jí)換代，同時(shí)也帶來了更多的市場(chǎng)機(jī)會(huì)。然而，技術(shù)研發(fā)需要投入大量的資金和人力資源，對(duì)于規(guī)模較小的企業(yè)來說具有較大的挑戰(zhàn)。 2、產(chǎn)品質(zhì)量半
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三星和海力士中國工廠獲得美國無限期豁免

韓媒報(bào)道，美國將無限期延長(zhǎng)對(duì)三星電子和 SK 海力士在中國業(yè)務(wù)的豁免。
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消息稱三星和 SK 海力士改進(jìn) HBM 封裝工藝，即將量產(chǎn) 12 層產(chǎn)品

IT之家 9 月 12 日消息，根據(jù)韓國 The Elec 報(bào)道，三星電子和 SK 海力士?jī)杉夜炯铀偻七M(jìn) 12 層 HBM 內(nèi)存量產(chǎn)。生成式 AI 的爆火帶動(dòng)英偉達(dá)加速卡的需求之外，也帶動(dòng)了對(duì)高容量存儲(chǔ)器（HBM）的需求。HBM 堆疊的層數(shù)越多，處理數(shù)據(jù)的能力就越強(qiáng)，目前主流 HBM 堆疊 8 層，而下一代 12 層也即將開始量產(chǎn)。報(bào)道稱 HBM 堆疊目前主要使用正使用熱壓粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工藝，而最新消息稱三星和 SK 海力士正在推進(jìn)名為混合鍵合（Hybrid Bonding
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HBM：高帶寬內(nèi)存吸引各大科技巨頭搶購的“魔力”到底是什么？

由于各大企業(yè)對(duì)布局AI領(lǐng)域的興趣激增，同時(shí)，SK海力士在用于生成式AI領(lǐng)域的高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）DRAM方面處于市場(chǎng)領(lǐng)先地位，其二季度用于AI領(lǐng)域的高性能DRAM銷售增長(zhǎng)強(qiáng)勁，對(duì)高端DRAM的需求增長(zhǎng)了一倍多。繼英偉達(dá)之后，全球多個(gè)科技巨頭都在競(jìng)購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3，包括AMD、微軟和亞馬遜等等。
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海力士競(jìng)逐 HBM 市場(chǎng)份額，正計(jì)劃將擴(kuò)建其產(chǎn)能并使產(chǎn)能翻倍

6 月 18 日消息，據(jù) businesskorea 以及 etnews 報(bào)道，SK 海力士將擴(kuò)展其 HBM3 后道工藝生產(chǎn)線，并已收到英偉達(dá)要求其送測(cè) HBM3E 樣品的請(qǐng)求據(jù)稱，考慮到對(duì)人工智能 (AI) 半導(dǎo)體的需求增加，S 海力士正在考慮將 HBM 的產(chǎn)能翻倍的計(jì)劃。業(yè)內(nèi)消息稱 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 對(duì) HBM3E 樣品的請(qǐng)求，并正在準(zhǔn)備發(fā)貨。HBM3E 是當(dāng)前可用的最高規(guī)格 DRAM HBM3 的下一代，被譽(yù)為是第五代半導(dǎo)體產(chǎn)品。SK 海力士目前正致力于開發(fā)該產(chǎn)品
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海力士完成業(yè)界首個(gè) 1bnm DDR5 服務(wù)器 DRAM 兼容性驗(yàn)證流程

IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已經(jīng)完成了 1bnm 的開發(fā)，這是 10 納米工藝技術(shù)的第五代，并對(duì)針對(duì)英特爾至強(qiáng)處理器的 DDR5 產(chǎn)品的內(nèi)存程序進(jìn)行驗(yàn)證。海力士的 DRAM 開發(fā)主管 Jonghwan Kim 說，1bnm 將在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等產(chǎn)品所采用。英特爾內(nèi)存和 IO 技術(shù)副總裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特爾一直在與內(nèi)存行業(yè)合作，以確保 DDR5 內(nèi)存在英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展平臺(tái)上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一個(gè)針對(duì)
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DDR5：SK 海力士暫時(shí)領(lǐng)先，但三星不容小覷

市場(chǎng)買新不買舊，但 DDR5 不是最優(yōu)解？
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韓國半導(dǎo)體正在受經(jīng)濟(jì)大衰退和美國對(duì)華政策的雙重打擊

SK海力士會(huì)成為輸家嗎？
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異構(gòu)集成時(shí)代半導(dǎo)體封裝技術(shù)的價(jià)值

隨著高性能半導(dǎo)體需求的不斷增加，半導(dǎo)體市場(chǎng)越來越意識(shí)到“封裝工藝”的重要性。順應(yīng)發(fā)展潮流，SK海力士為了量產(chǎn)基于HBM（High Bandwidth Memory，高帶寬存儲(chǔ)器）的先進(jìn)封裝產(chǎn)品和開發(fā)下一代封裝技術(shù)，盡力確保生產(chǎn)線投資與資源。一些曾經(jīng)專注于半導(dǎo)體存儲(chǔ)器制造技術(shù)的企業(yè)也紛紛布局封裝技術(shù)領(lǐng)域，其投資力度甚至超過專攻此類技術(shù)的OSAT1（外包半導(dǎo)體組裝和測(cè)試）公司。這是因?yàn)椋絹碓蕉嗟钠髽I(yè)深信封裝技術(shù)將會(huì)成為半導(dǎo)體行業(yè)及企業(yè)未來的核心競(jìng)爭(zhēng)力。隨著高性能半導(dǎo)體需求的不斷增加，半導(dǎo)體市場(chǎng)越來越意識(shí)到
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三星電子 DS 部門與 SK 海力士仍決定發(fā)放高額獎(jiǎng)金，利潤(rùn)大幅下滑也發(fā)

2 月 2 日消息，據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片需求下滑，導(dǎo)致價(jià)格與出貨量雙雙下滑，三星電子和 SK 海力士這兩大存儲(chǔ)芯片制造商也受到了影響，前者存儲(chǔ)業(yè)務(wù)及所在設(shè)備解決方案部門（DS 部門）的營收和營業(yè)利潤(rùn)，連續(xù)兩個(gè)季度同比大幅下滑，SK 海力士也是如此，得益于上半年業(yè)績(jī)尚可，他們?nèi)甑臓I收也有增長(zhǎng)，但利潤(rùn)同比下滑明顯。雖然三星電子存儲(chǔ)業(yè)務(wù)和 SK 海力士在去年的利潤(rùn)都有大幅下滑，但他們?nèi)詫⑾騿T工發(fā)放高額績(jī)效獎(jiǎng)金。從外媒的報(bào)道來看，三星電子存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)所在的設(shè)備解決方案部門和 SK 海力士，都決定發(fā)放高額獎(jiǎng)金。具
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SK 海力士開發(fā) 1anm DDR5 DRAM，兼容第四代英特爾至強(qiáng)可擴(kuò)展處理器

IT之家 1 月 13 日消息，SK 海力士宣布，公司研發(fā)的第四代 10 納米級(jí)（1a）DDR5 服務(wù)器 DRAM 獲得了近期上市的全新第四代 Xeon 服務(wù)器處理器（代號(hào)為 Sapphire Rapids）兼容認(rèn)證。SK 海力士表示，采用 EUV（極紫外線）技術(shù)的 1a 納米 DDR5 DRAM 產(chǎn)品獲得了英特爾推出的第四代 Xeon 服務(wù)器處理器可支持的存儲(chǔ)器認(rèn)證。將通過目前在量產(chǎn)的 DDR5 積極應(yīng)對(duì)增長(zhǎng)趨勢(shì)的服務(wù)器市場(chǎng)，盡早克服存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的低迷市況。新一代服務(wù)器用 CPU 上
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應(yīng)用材料公司向 SK 集團(tuán)旗下半導(dǎo)體子公司 Absolics 投資 510 億韓元

1 月 3 日消息，據(jù)國外媒體報(bào)道，半導(dǎo)體制造設(shè)備供應(yīng)商應(yīng)用材料（Applied Materials）已向 SK 集團(tuán)旗下半導(dǎo)體子公司 Absolics 投資了約 510 億韓元，這筆投資將用于在美國建造 Absolics 的玻璃基板生產(chǎn)設(shè)施。除了應(yīng)用材料之外，SK 集團(tuán)也向 Absolics 追加投資了 1150 億韓元。應(yīng)用材料公司成立于 1967 年，是一家半導(dǎo)體和顯示設(shè)備制造商，主要為電子產(chǎn)品芯片及電腦面板制造商提供設(shè)備、服務(wù)及軟件。2022 年第三季度，該公司的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收同比增長(zhǎng) 15%，環(huán)
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Qorvo? 與 SK Siltron CSS 宣布達(dá)成長(zhǎng)期碳化硅供應(yīng)協(xié)議

中國北京 – 2022 年 11 月 8 日–移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）與半導(dǎo)體晶圓制造商 SK Siltron CSS 今日宣布，雙方已簽署一份多年期的碳化硅 (SiC) 裸片和外延片供應(yīng)協(xié)議。此次合作將提高半導(dǎo)體供應(yīng)鏈的彈性，并更好地滿足汽車市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)碳化硅解決方案迅速增長(zhǎng)的需求。隨著客戶采用 Qorvo 業(yè)界領(lǐng)先的第 4 代 SiC FET 解決方案，該協(xié)議還會(huì)為他們提供更好的保護(hù)并增強(qiáng)其信心。SiC 器件
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