sk 海力士文章進(jìn)入sk 海力士技術(shù)社區(qū)

DRAM現(xiàn)貨價(jià)跌破2美元歷史新低

　　動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)現(xiàn)貨價(jià)持續(xù)破底，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價(jià)已跌破2美元大關(guān)，達(dá)1.96美元，創(chuàng)歷史新低價(jià)。　　DRAM市場(chǎng)庫存問題依然嚴(yán)重，DRAM現(xiàn)貨價(jià)如預(yù)期持續(xù)滑落，據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技調(diào)查，DDR3 4Gb顆?，F(xiàn)貨均價(jià)滑落至1.96美元，創(chuàng)下歷史新低價(jià)。　　第4季來DDR3 4Gb顆粒現(xiàn)貨均價(jià)下跌約0.16美元，跌幅約7.54%。　　南亞科預(yù)期，DRAM價(jià)格可望逐步趨于穩(wěn)定，第4季產(chǎn)品價(jià)格將較第3季微幅下滑。　　只是集邦科技對(duì)DRAM后市看法相對(duì)保守，表示目前市場(chǎng)已
關(guān)鍵字： DRAM 海力士

鴻海、SK 合作升級(jí)

　　郭崔會(huì)即將登場(chǎng)，據(jù)SK集團(tuán)透露，SK集團(tuán)會(huì)長(zhǎng)崔泰源即將來臺(tái)與鴻海董事長(zhǎng)郭臺(tái)銘相見歡，且時(shí)間就在9月初，外界揣測(cè)透過此次會(huì)面，雙方將會(huì)在業(yè)務(wù)上邁大步，合作范圍可望一路由半導(dǎo)體、興建智慧工廠，擴(kuò)展到共同開拓印度市場(chǎng)。　　今年年初，鴻海集團(tuán)宣布與SK C&C聯(lián)手，打造全新的IT服務(wù)合作公司，前進(jìn)大陸市場(chǎng)，為鴻海和SK集團(tuán)的合作揭開序幕，如今雙方的合作又將推出升級(jí)版。　　據(jù)悉郭、崔二人系在瑞士每年舉行的世界經(jīng)濟(jì)論壇(達(dá)沃斯論壇)上結(jié)緣，兩人相談甚歡，當(dāng)時(shí)，郭臺(tái)銘立馬提議買下崔泰源手中的SK C
關(guān)鍵字：鴻海 SK

三星、海力士尬產(chǎn)能，韓國存儲(chǔ)器雙雄掀軍備競(jìng)賽

　　昨日南韓半導(dǎo)體廠SK 海力士才發(fā)布史上最大擴(kuò)產(chǎn)計(jì)畫，隔天三星即宣布新廠下個(gè)月就將成軍啟用，這也宣告記憶體市場(chǎng)正式進(jìn)入新一輪的軍備競(jìng)賽。　　三星新廠位于首爾南部的水原市，可用于量產(chǎn)DRAM等記憶體或邏輯晶片。消息指出，水原廠部分產(chǎn)線過去幾個(gè)月已進(jìn)行過試產(chǎn)，年底將全面啟用。　　另外，三星目前在平澤市還有一半導(dǎo)體廠正在興建，三星計(jì)畫未來兩年在這座工廠砸下15兆韓圜(125億美元)，是韓國史上對(duì)單一半導(dǎo)體廠的最大投資案。(koreaherald.com) 在另一方面，海力士昨日盛大宣布，未來十年內(nèi)將投
關(guān)鍵字：三星海力士

海力士擴(kuò)產(chǎn) DRAM不妙

　　全球第二大DRAM廠南韓SK海力士昨(25)日宣布，規(guī)劃斥資31兆韓元(約259.4億美元、約新臺(tái)幣8,300億元)，在南韓興建兩座新廠，預(yù)計(jì)2024年前竣工。近期DRAM價(jià)格好不容易出現(xiàn)止跌訊號(hào)，市場(chǎng)憂心，SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)，長(zhǎng)期將再度使得產(chǎn)業(yè)陷入供過于求。　　外電指出，投資人正密切留意記憶體廠新的資本投資，因?yàn)榇笠?guī)模的支出可能導(dǎo)致供給過剩，或引爆價(jià)格戰(zhàn)，這對(duì)三星、SK海力士、華亞科(3474)、南亞科等業(yè)者都將不利。　　受市場(chǎng)憂心SK海力士大舉擴(kuò)產(chǎn)影響，南亞科昨天股價(jià)在臺(tái)股大漲逾265點(diǎn)下
關(guān)鍵字：海力士 DRAM

三星大敵當(dāng)前，海力士、SanDisk專利訴訟戰(zhàn)大和解

　　南韓記憶體大廠SK 海力士與美國同業(yè)SanDisk不打不相識(shí)，海力士周三宣布，與美國同業(yè)SanDisk的官司已在庭外達(dá)成和解，與此同時(shí)，雙方還將擴(kuò)大專利合作，正式成為伙伴關(guān)系。　　SanDisk去年按鈴控告旗下某職員于2008年跳槽后，將機(jī)密泄漏給海力士，但在雙方達(dá)成和解后，SanDisk已同意撤回官司。海力士與SanDisk不僅一笑泯恩仇，還進(jìn)一步就專利授權(quán)取得新協(xié)議。聲明稿指出，海力士將支付SanDisk 權(quán)利金，并供應(yīng)DRAM予SanDisk，時(shí)間將持續(xù)至2023年。海力士與東芝的官司去
關(guān)鍵字：海力士 SanDisk

海力士拼獲利，3D NAND快閃存儲(chǔ)器9月量產(chǎn)出貨

　　南韓記憶體大廠SK 海力士周二宣布加入三星、東芝與美光等強(qiáng)敵之列，其3D NAND 快閃記憶體第三季將正式進(jìn)入量產(chǎn)階段，預(yù)計(jì)9月開始對(duì)客戶出貨。　　快閃記憶體量產(chǎn)在2D平面微縮制程已遭遇瓶頸，因此走向3D立體堆疊已是大勢(shì)所趨。據(jù)日經(jīng)新聞報(bào)導(dǎo)，海力士將優(yōu)先推出固態(tài)硬碟(SSD)用36層記憶體晶片試市場(chǎng)水溫后，48層產(chǎn)品明年才會(huì)投產(chǎn)。海力士(SK Hynix)上周公布第二季財(cái)報(bào)遜于預(yù)期，受PC用DRAM需求低迷影響，當(dāng)季營業(yè)利潤(rùn)僅1.37兆韓圜，低于分析師預(yù)估的1.44兆韓圜。由于PC本季市況依舊
關(guān)鍵字：海力士 NAND

海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝圖文揭密

　　過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。　　　　圖1：HBM模組橫截面示意圖　　(來
關(guān)鍵字：海力士存儲(chǔ)器

海力士高頻寬存儲(chǔ)器封裝揭密

　　過去幾個(gè)月來，TechInsights的拆解團(tuán)隊(duì)一直在尋找海力士(Hynix)的高頻寬記憶體(HBM)，最近終于取得了這款據(jù)稱可克服DDR4/DDR5型SDRAM頻寬限制的記憶體。　　海力士的高頻寬記憶體(HBM)很新，而且能夠克服DDR4型SDRAM的頻寬限制，甚至達(dá)到某種程度的DDR5型記憶體頻寬。該技術(shù)堆疊了四個(gè)DRAM晶片以及一個(gè)邏輯晶片，一片一片地堆疊起來，并利用矽穿孔(TSV)與微凸塊接合實(shí)現(xiàn)晶片至晶片間連接。　　圖1顯示四個(gè)DRAM晶片與一個(gè)邏輯晶片堆疊并固定至中介層晶片。該中介
關(guān)鍵字：海力士存儲(chǔ)器

拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買設(shè)備

　　記憶體大廠整軍經(jīng)武，準(zhǔn)備展開新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買設(shè)備，積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程，拉高戰(zhàn)力。　　韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo)，記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash，新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比，差別在于從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據(jù)了解，由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash，顯影制程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%，需要采購不少新設(shè)備。據(jù)了解，三星最早量產(chǎn)3D
關(guān)鍵字： SK 海力士 DRAM

三星移動(dòng)DRAM市占破5成，臺(tái)廠邊緣化、海力士也挨打

三星移動(dòng)終端受挫，但是呢人家在DRAM領(lǐng)域悶聲發(fā)大財(cái)。
關(guān)鍵字：三星 SK 海力士

突破細(xì)微化極限！東芝攜手海力士研發(fā)納米壓印技術(shù)

　　全球第2大NAND型快閃存儲(chǔ)器 (Flash Memory)廠商?hào)|芝 ( Toshiba )5日發(fā)布新聞稿宣布，為加快次世代半導(dǎo)體露光技術(shù)「納米壓印技術(shù)(Nano-imprint Lithography;NIL)」的研發(fā)腳步，已和南韓半導(dǎo)體大廠SK 海力士 (SK Hynix )正式簽署契約，雙方技術(shù)人員將自2015年4月起透過東芝橫濱事業(yè)所攜手研發(fā)NIL制程的關(guān)鍵技術(shù)，目標(biāo)為在2017年實(shí)用化。　　東芝于去年12月和SK海力士(SK Hynix)就NAND Flash侵權(quán)案一事達(dá)成和解，海力士(
關(guān)鍵字：東芝海力士

DRAM樂觀 NAND有隱憂

　　記憶體市況今年將不同調(diào);動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)市場(chǎng)可望維持穩(wěn)定獲利，儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)市場(chǎng)則有隱憂。　　DRAM市場(chǎng)步入由三星(Samsung)、海力士(Hynix)及美光(Micron)三強(qiáng)鼎立的寡占局面，各DRAM廠去年不僅全面獲利，并且是豐收的一年。　　臺(tái)塑集團(tuán)旗下DRAM廠南亞科去年可望首度賺進(jìn)超過1個(gè)股本;美光與南亞科合資的華亞科去年獲利也可望突破新臺(tái)幣400億元，將創(chuàng)歷史新高紀(jì)錄。　　NAND Flash市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)、變化相對(duì)激烈，且難以預(yù)料;去年下半
關(guān)鍵字： DRAM 三星海力士 NAND Flash

研調(diào)預(yù)估：8寸晶圓明年產(chǎn)能續(xù)滿載

　　今年以來8寸產(chǎn)能滿載話題延燒，市場(chǎng)看好聯(lián)電、世界明年8寸產(chǎn)能可望持續(xù)吃緊。研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights出具報(bào)告指出，韓國、臺(tái)灣在全球8寸廠中仍將扮演領(lǐng)導(dǎo)地位。其中韓國掌控全球8寸產(chǎn)能達(dá)35%，臺(tái)灣則占21%。　　IC Insights指出，韓國的8寸產(chǎn)能主要來自三星與海力士?jī)纱髲S商，其中光是三星就占了全球8寸產(chǎn)能的24%。若是排除存儲(chǔ)器的部分、僅考量晶圓代工的 8寸產(chǎn)能，韓國則占全球的28%。IC Insights指出，三星、海力士在海外也都有8寸的產(chǎn)能，其中海力士最大的8寸廠就在中國大陸，三星
關(guān)鍵字：晶圓三星海力士

研調(diào)：臺(tái)韓兩地合計(jì)掌控全球56%12吋晶圓產(chǎn)能

　　研調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights表示，臺(tái)灣及韓國半導(dǎo)體廠持續(xù)積極擴(kuò)產(chǎn)，合計(jì)已掌握全球56%的12吋晶圓產(chǎn)能。　　IC Insights指出，三星(Samsung)與海力士 ( Hynix )合計(jì)掌握全球35%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，三星一家便掌握全球高達(dá)24%的12吋晶圓產(chǎn)能。臺(tái)灣廠商則掌握全球約21%的12吋晶圓產(chǎn)能;其中，有85%的產(chǎn)能主要投入晶圓代工，有15%產(chǎn)能生產(chǎn)記憶體產(chǎn)品。至于北美廠商則掌握全球28%的12吋晶圓產(chǎn)能，日本廠商則掌握全球14%的12吋晶圓產(chǎn)能。　　另外，就全球晶圓產(chǎn)能
關(guān)鍵字：晶圓三星海力士

三星半導(dǎo)體設(shè)備投資傳明年微幅加碼，擬加蓋 NAND 廠

　　韓國時(shí)報(bào)(Korea Times)15 日?qǐng)?bào)導(dǎo)，三星電子明年將投資半導(dǎo)體設(shè)備 13.5 兆韓圜，或相當(dāng)于 120 億美元，稍高于今年的 13 兆韓圜。　　全球記憶體晶片市場(chǎng)目前由三星、SK 海力士與美光所把持，三大廠市占率合計(jì)來到 93%。知情人士消息指出，三星并不打算大幅增加設(shè)備資本支出的主要考量是明年策略將放在維持價(jià)格穩(wěn)定與市場(chǎng)供需平衡。　　據(jù)報(bào)導(dǎo)，三星看準(zhǔn)儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)的市場(chǎng)需求有望增加，因此考慮明年在大陸西安開設(shè)新廠房。除此之外，有鑒于 DRAM 的需求平穩(wěn)，
關(guān)鍵字：三星 SK 海力士美光 NAND