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MC68K的C編譯器實現(xiàn)μC/OS-II向MC68K移值解析方案

  • 一、MC68K CPU簡介MC68K及68020、68040等的著名的MOTOROLA32位微處理器,和與之兼容的68K、CPU32、CPU32+等CPU擴充定時處理單元TPU、隊列串行模塊QSM、系統(tǒng)控制模塊和RAM等組成MC683xx系列單片機。CPU32 內部有8個32
  • 關鍵字: MC68K  方案  解析  實現(xiàn)  編譯器  C/OS-II  

IC芯片的晶圓級射頻測試

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字: IC芯片  晶圓級  射頻測試  I-V/C-V測試  

μC/OS-II任務棧處理的改進方法

  • 已經(jīng)有不少的文章介紹了有關mu;C/OS-II這個實時內核及其應用。在很多的處理器上,
    mu;C/OS-II都得到了應用。mu;C/OS-II是一種源碼公開、可移植、可固化、可裁減、可剝奪的
    實時多任務操作系統(tǒng)。特別適用于用戶任
  • 關鍵字: 方法  改進  處理  任務  C/OS-II  

超過20kV:半導體元件的世界最高耐壓

  •   日本京都大學工學研究系電子工學專業(yè)教授木本恒暢等人的研究小組,試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數(shù)kV的半導體功率元件,但超過20kV的尚為首次,“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。   該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如,日本的電網(wǎng)電壓為6.6kV,因此要求耐壓達到20kV。據(jù)稱目前是使用3~4個數(shù)kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管,一個即可滿足要求。由此,轉換器及冷卻器等便可實現(xiàn)
  • 關鍵字: SIC  二極管  半導體  

C-RAN帶來無線移動通信的新機遇和挑戰(zhàn)

  • 摘要:C-RAN技術概念,在某種程度上“顛覆”了傳統(tǒng)的移動通信網(wǎng)絡架構,并由此產(chǎn)生新的網(wǎng)絡建設模式和設備形態(tài),為移動通信設備市場開辟了新的發(fā)展機遇。但也需要看到,C-RAN在具體技術環(huán)節(jié)上仍存在一些關
  • 關鍵字: 機遇  挑戰(zhàn)  移動通信  無線  帶來  C-RAN  

采用CPLD與μC/OS -Ⅱ的斷路器智能控制單元設計

  • 采用CPLD與μC/OS -Ⅱ的斷路器智能控制單元設計,本文介紹的智能控制單元采用數(shù)字信號處理器(DSP)及嵌入式實時操作系統(tǒng)完成各種數(shù)據(jù)的處理、通信和算法的設計,而狀態(tài)量的采集和執(zhí)行信號輸出將由復雜可編程邏輯器(CPLD)完成,主要是基于CPLD內部硬件電路結構的可靠性
  • 關鍵字: 單元  設計  智能控制  斷路器  CPLD  C/OS  采用  

基于DSP6000中C/C++語言和匯編語言的混合編程的方法介紹

  • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡家園
  • 關鍵字: 匯編語言  DSP6000  C/C++  

基于C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路

  • 電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢,而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進一步的充實。用2級TTL構成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構成的振蕩電路替代,因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當,容易停振或
  • 關鍵字: C-MOS  轉換器  石英晶體  振蕩電路    

羅姆清華探索校企合作新模式

  • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產(chǎn)學連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開,來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領域取得的成果以及一些教學科研經(jīng)驗。會后,羅姆株式會社常務董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪,我們了解到了更多羅姆和清華在產(chǎn)學研方面的相關合作。 以“羅姆”命名清華樓,并無排他性 ?????
  • 關鍵字: 羅姆  SiC  

技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員,以論
  • 關鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

μC/OSII下的ARM7中斷過程分析及優(yōu)化方法

  • 引言目前,在嵌入式處理器芯片中,以ARM7為核心的處理器是應用較多的一種。它具有多種工作模式,并且支持兩種不同的指令集(標準32位ARM指令集和16位Thumb指令集)。mu;C/OSII是專為嵌入式應用設計的搶占式、多任務
  • 關鍵字: 優(yōu)化  方法  分析  過程  ARM7  中斷  C/OSII  

技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(二)

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
  • 關鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
  • 關鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

基于S3C44BOX用中斷方式在μC/OS-Ⅱ上實現(xiàn)多任務通信

  • 引言當今,各種嵌入式的電子產(chǎn)品已經(jīng)深入到我們生活的方方面面,嵌入式操作系統(tǒng)也已成為最熱門的話題之一,其中免費型的實時操作系統(tǒng)mu;C/OS-Ⅱ因其可移植、可固化、可裁剪、可確定性等特點,已經(jīng)成功的應用在很多商
  • 關鍵字: 實現(xiàn)  任務  通信  C/OS-  方式  S3C44BOX  中斷  基于  

基于μC/OS-Ⅱ的實時分層調度算法研究

  • 0引言嵌入式實時系統(tǒng)由于自身CPU計算能力較弱和內存容量較低的原因,希望采用復雜度低、系統(tǒng)開銷小的調度算法。目前的實時系統(tǒng)通常采用單優(yōu)先級驅動的搶占式調度算法,根據(jù)任務的某一時間特性參數(shù)如任務周期或最后截
  • 關鍵字: 算法  研究  調度  分層  C/OS-  實時  基于  
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