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Vishay推出SuperTan鉭殼液鉭電容器,抗沖擊和耐振動(dòng)能力達(dá)到高可靠性應(yīng)用H級(jí)標(biāo)準(zhǔn)

美國(guó)芯片公司Vishay將收購(gòu)安世半導(dǎo)體紐波特晶圓廠

  • 11月8日，美國(guó)芯片公司Vishay Intertechnology和安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，雙方已經(jīng)達(dá)成協(xié)議，Vishay將以1.77億美元現(xiàn)金收購(gòu)Nexperia位于英國(guó)南威爾士紐波特的晶圓制造廠和相關(guān)業(yè)務(wù)。紐波特晶圓廠交易需接受英國(guó)政府審查，并符合第三方購(gòu)買權(quán)和慣例成交條件，預(yù)計(jì)將于2024年第一季度完成。資料顯示，紐波特晶圓廠是一家200mm半導(dǎo)體晶圓廠，經(jīng)過(guò)汽車認(rèn)證，主要供應(yīng)汽車市場(chǎng)。占地28英畝，是英國(guó)規(guī)模最大的半導(dǎo)體制造廠。Vishay總裁兼首席執(zhí)行官Joel Smejkal表示
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貿(mào)澤聯(lián)手Vishay推出全新電子書探討支持新一代工業(yè)4.0的技術(shù)

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 與Vishay聯(lián)手推出全新電子書《The Next Generation of Industry 4.0》（新一代工業(yè)4.0），分析了支持新一代工業(yè)4.0解決方案的技術(shù)和元件。書中，Vishay和貿(mào)澤深入探討了為全球工廠帶來(lái)變革的自動(dòng)化浪潮，以及這種浪潮背后起到支持作用的關(guān)鍵解決方案。本電子書收錄了四篇詳細(xì)的專題文章，介紹了支持新一代工業(yè)應(yīng)用的數(shù)字元件，此外還包含一張展望未來(lái)工業(yè)5.0的實(shí)用信息圖。
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使用鉭電容器的引爆系統(tǒng)與傳統(tǒng)雷管對(duì)比有何優(yōu)勢(shì)？

  • 與任何電子設(shè)備一樣，引爆系統(tǒng)需要內(nèi)部電源為系統(tǒng)控制器 (MCU) 供電并為點(diǎn)火電容充電。為了確保正確定時(shí)、可靠引爆，需要使用電容器作引爆元件的儲(chǔ)能器件。與其他電容技術(shù)相比，模塑鉭 (MnO2) 電容器能夠儲(chǔ)存電荷（低漏電流)，能量密度高，是電子引爆系統(tǒng)的理想選擇，可留出更多時(shí)間，釋放更大電壓確保正確起爆。對(duì)于開發(fā)和制造電子引爆系統(tǒng)以滿足采礦應(yīng)用需求的公司，本文將為大家介紹鉭電容器技術(shù)的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于現(xiàn)代引爆系統(tǒng)來(lái)說(shuō)，模塑鉭 (MnO2) 電容器具有兩個(gè)主要優(yōu)點(diǎn)。首先，與鋁電解電容器不同，它們具有這些小型系統(tǒng)所
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功率逆變器應(yīng)用采用寬帶隙半導(dǎo)體器件時(shí)，柵極電阻選型注意事項(xiàng)

  • 本文為大家介紹氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙半導(dǎo)體器件用作電子開關(guān)的優(yōu)勢(shì)，以及如何權(quán)衡利弊。主要權(quán)衡因素之一是開關(guān)損耗，開關(guān)損耗會(huì)被高 di/dt 和 dv/dt 放大，造成電路噪聲。為了減少電路噪聲，需要認(rèn)真考慮柵極電阻的選擇，從而不必延長(zhǎng)死區(qū)時(shí)間而造成功率損耗。本文介紹選擇柵極電阻時(shí)的考慮因素，如脈沖功率、脈沖時(shí)間和溫度、穩(wěn)定性、寄生電感等。同時(shí)，將和大家探討不同類型的柵極電阻及其在該應(yīng)用中的優(yōu)缺點(diǎn)。寬帶隙半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢(shì)設(shè)計(jì)出色功效的電子應(yīng)用時(shí)，需要考慮使用新型高性能氮化鎵 (G
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Vishay推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的小型6A、20A和25A降壓穩(wěn)壓器模塊,提高POL轉(zhuǎn)換器功率密度

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型6 A、20 A和25 A microBRICK? 同步降壓穩(wěn)壓器---SiC967、SiC931和SiC951，用來(lái)提高負(fù)載點(diǎn)（POL）轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。Vishay Siliconix SiC967、SiC931和SiC951采用10.6 mm x 6.5 mm x 3 mm封裝，占位面積和高度均小于市場(chǎng)上此類器件，輸入電壓范圍4.5 V至60 V。日前發(fā)布的穩(wěn)壓器模塊比其他解決方案小69%，每款模塊集成兩個(gè)高性
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Vishay推出具有業(yè)內(nèi)先進(jìn)性能水平的新款650 V E系列功率MOSFET

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新型第四代650?V E系列功率MOSFET---SiHP054N65E，提高通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用能效和功率密度。Vishay Siliconix n溝道 SiHP054N65E導(dǎo)通電阻比前代器件降低48.2%，同時(shí)導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積下降59%，該參數(shù)是650?V MOSFET在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的重要優(yōu)值系數(shù)（FOM）。Vishay豐富的MOSFET技術(shù)全面支持功率轉(zhuǎn)換過(guò)程，涵蓋需要高壓輸入到低壓輸出的各
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Vishay推出具有調(diào)制載波輸出功能,適用于代碼學(xué)習(xí)應(yīng)用的微型紅外傳感器模塊

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款適用于遙控系統(tǒng)的新系列微型紅外（IR）傳感器模塊---雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000。Vishay Semiconductors 雙透鏡TSMP95000和單透鏡TSMP96000及TSMP98000具有調(diào)制載波輸出功能，適用于代碼學(xué)習(xí)應(yīng)用，供電電壓范圍2.0 V至5.5 V，3.3 V下典型功耗低至0.35 mA。日前發(fā)布的器件配置內(nèi)部設(shè)計(jì)的新型IC，旨在確保長(zhǎng)期供貨并縮短交貨期，
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貿(mào)澤提供品類豐富的Vishay汽車級(jí)產(chǎn)品

  • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 供應(yīng)多款Vishay針對(duì)汽車應(yīng)用設(shè)計(jì)的產(chǎn)品。Vishay制定了自己的汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，目標(biāo)是盡可能杜絕缺陷、事故和故障。該標(biāo)準(zhǔn)納入了汽車行業(yè)的關(guān)鍵質(zhì)量管理措施和健全的設(shè)計(jì)政策，在開發(fā)新品和改良現(xiàn)有產(chǎn)品時(shí)采用了失效模式和影響分析 (FMEA) 方法。Vishay汽車級(jí)標(biāo)準(zhǔn)的要求涵蓋了設(shè)計(jì)、認(rèn)證和制造，同時(shí)也用于持續(xù)改善公司的產(chǎn)品和工藝。只有滿足這些要求的元件，才能在數(shù)據(jù)手冊(cè)中使用汽車級(jí)認(rèn)證標(biāo)志。
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Vishay推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)整流器與TVS二合一解決方案

  • 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的標(biāo)準(zhǔn)整流器與瞬變電壓抑制器（TVS）二合一器件---R3T2FPHM3，為汽車應(yīng)用提供新型表面貼裝解決方案。Vishay General Semiconductor R3T2FPHM3采用氧化物平面芯片結(jié)設(shè)計(jì)和共陰極電路配置，將3 A，600 V標(biāo)準(zhǔn)整流器和200 W TRANSZORB??TVS組合在小型FlatPAK 5 x 6封裝中。日前發(fā)布的器件工作溫度?-55 °C 至?+17
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Vishay推出基于VCSEL的新款高性能反射式光傳感器

  • 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年8月9日 — 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出用于工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)和移動(dòng)應(yīng)用領(lǐng)域的新型反射式光傳感器--- VCNT2030。與上一代解決方案相比，Vishay Semiconductors的VCNT2030更加節(jié)省空間，同時(shí)擁有更高的電流傳輸比（CTR）、更遠(yuǎn)的傳感距離和更低的功耗，從而提高了性能。該產(chǎn)品配置了垂直腔表面發(fā)射激光器（VCSEL）和硅光電晶體管，采用1
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Vishay推出額定電流高達(dá)7A的新款60V、100V和150V TMBS整流器

  • 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年7月6日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出五款新系列60 V、100 V和150 V表面貼裝溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基（TMBS?）整流器---VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN3820A封裝。VxNL63、VxNM63、VxN103、VxNM103和VxNM153額定電流7 A，達(dá)到業(yè)界先進(jìn)水
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Vishay推出首款采用Power DFN系列DFN3820A封裝的200 V FRED Pt Ultrafast整流器

  • 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年6月21日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出四款新系列200 V FRED Pt? 超快恢復(fù)整流器---1 A VS-1EAH02xM3、2 A VS-2EAH02xM3、3 A VS-3EAH02xM3和5 A VS-5EAH02xM3，這些器件采用薄型易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤DFN3820A封裝。這四款新器件為商業(yè)、工業(yè)和車載應(yīng)用提供節(jié)省空間的高效解決方案，每種產(chǎn)品都有V
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Vishay推出SOP-4小封裝集成關(guān)斷電路的汽車級(jí)光伏MOSFET驅(qū)動(dòng)器

  • 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年6月7日— 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光伏MOSFET驅(qū)動(dòng)器---VOMDA1271，該驅(qū)動(dòng)器采用節(jié)省空間的SOP-4封裝，集成關(guān)斷電路。Vishay Semiconductors VOMDA1271專門用來(lái)提高汽車應(yīng)用性能，同時(shí)提高設(shè)計(jì)靈活性并降低成本，開關(guān)速度和開路輸出電壓均達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平。?日前發(fā)布的光耦集成關(guān)斷電路，典型關(guān)斷時(shí)間
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Vishay推出厚膜功率電阻器，可選配NTC熱敏電阻和PC-TIM

  • 器件通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上，具有高脈沖處理能力，功率耗散達(dá)120 W 美國(guó) 賓夕法尼亞 MALVERN、中國(guó) 上海 — 2023年5月31日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出一款通過(guò)AEC-Q200認(rèn)證，采用SOT-227小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻---ISOA。Vishay MCB ISOA具有高脈沖處理能力，在85 °C底殼溫度下，功率耗散達(dá)12
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vishay介紹

威世（VISHAY）集團(tuán)成立于1962年，總部位于美國(guó)賓夕法尼亞洲。40多年中威世集團(tuán)通過(guò)科技創(chuàng)新和不斷的并購(gòu), 迅速發(fā)展成為世界上最大的分離式半導(dǎo)體和無(wú)源電子器件制造商之一。目前集團(tuán)已有69個(gè)制造基地遍布全球17個(gè)國(guó)家，其中中國(guó)大陸有7家制造業(yè)工廠分別坐落于天津、北京、上海、惠州。威世集團(tuán)被美國(guó)財(cái)富雜志評(píng)為半導(dǎo)體領(lǐng)域“2004、2005年度全美最讓人欽佩的公司”。其產(chǎn)品被廣泛地應(yīng)用于工業(yè)、計(jì)算機(jī) [ 查看詳細(xì) ]

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