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汽車用晶體振蕩子XRCGB-F-A系列

1. 前言汽車電子控制即被稱之為ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))的先進(jìn)駕駛支持系統(tǒng)近年來被逐漸放大了。ADAS使用了攝像頭和毫米波、紅外激光等，通過車輛周邊的感測來識(shí)別步行者或者其他車輛和路沿等并發(fā)出接近警報(bào)，通過制
關(guān)鍵字：汽車 XRCGB-F-A系列 ADAS 傳感器

基于FPGA的高精度頻率電壓轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)

摘要設(shè)計(jì)了一種線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。傳感器輸出的脈沖頻率信號(hào)經(jīng)信號(hào)調(diào)理電路調(diào)理后輸入FPGA，F(xiàn)PGA測量脈沖信號(hào)的頻率，根據(jù)系統(tǒng)精度要求，需設(shè)計(jì)Q格式定點(diǎn)運(yùn)算，測得的頻率經(jīng)FPGA定點(diǎn)運(yùn)算后得到與頻率大小成線性關(guān)系
關(guān)鍵字： F／V轉(zhuǎn)換精度 FPGA Q8定點(diǎn)運(yùn)算 DAC7551

基于T-F變換的多點(diǎn)流體溫度測量系統(tǒng)

摘要：針對一般測溫方法在進(jìn)行流體多點(diǎn)溫度測量時(shí)存在系統(tǒng)復(fù)雜，準(zhǔn)確度和速度難以兼顧的問題，提出了一種基于溫度-頻率(T-F)變換的測量系統(tǒng)。該系統(tǒng)使用PIC18F6722單片機(jī)控制MOS管開關(guān)陣列，使多個(gè)測點(diǎn)的熱敏電阻分別
關(guān)鍵字： T-F 變換多點(diǎn) 流體

利用F-RAM打造汽車安全氣囊應(yīng)用

　　鐵電RAM(F-RAM)存儲(chǔ)器被用在一系列廣泛的應(yīng)用中，其中包括工業(yè)控制系統(tǒng)、工業(yè)自動(dòng)化、任務(wù)關(guān)鍵型應(yīng)用和汽車系統(tǒng)等。未來幾年，汽車的安全系統(tǒng)將會(huì)變得更加復(fù)雜。推動(dòng)該趨勢的一個(gè)主要?jiǎng)恿κ穷A(yù)期的監(jiān)管措施，它們將對汽車安全氣囊和穩(wěn)定控制系統(tǒng)的配售率和成熟度產(chǎn)生影響。本文探討在這些系統(tǒng)中使用F-RAM非易失性存儲(chǔ)技術(shù)的主要技術(shù)優(yōu)勢。　　“安全氣囊系統(tǒng)”正在發(fā)生兩大變化。首先，所有新型安全氣囊都配有一個(gè)智能傳感器，用于檢測車內(nèi)是否有乘客。安全氣囊的每一次誤彈出都會(huì)導(dǎo)致極高的更換成本
關(guān)鍵字：賽普拉斯 F-RAM

Ramtron推出飛思卡爾Tower System一起使用的F-RAM

通過在基于飛思卡爾系統(tǒng)的解決方案中采用F-RAM存儲(chǔ)器快速構(gòu)建原型，新增模塊化平臺(tái)可加快開發(fā)速度世界領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM)和
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM存儲(chǔ)器模塊

串并口F-RAMW系列存儲(chǔ)器

世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲(chǔ)器(F-RAM)和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron)發(fā)布W系列 F-RAM存儲(chǔ)器，W系列器件帶有串口I2C
關(guān)鍵字： F-RAM 存儲(chǔ)器 Ramtron FM24W256

賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的F-RAM和nvSRAM產(chǎn)品組合提供晶圓銷售支持

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司(納斯達(dá)克股票交易代碼：CY)宣布其領(lǐng)先業(yè)界的非易失性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器((NVRAM)產(chǎn)品組合新增晶圓產(chǎn)品。賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合包括鐵電RAM(F-RAM™)和非易失性靜態(tài)RAM(nvSRAM)，可在斷電時(shí)為重要數(shù)據(jù)提供可靠保護(hù)。很多關(guān)鍵任務(wù)應(yīng)用除了需要F-RAM和nvSRAM的獨(dú)特優(yōu)勢之外，還需要能夠?qū)崿F(xiàn)小巧、獨(dú)特封裝選項(xiàng)的裸片。有關(guān)賽普拉斯的NVRAM產(chǎn)品組合的更多信息，敬請?jiān)L問：http://www.cypress.com/nonvolatile。　　賽普
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電源控制芯片廠F-矽力展開并購

　　電源控制芯片廠F-矽力去年?duì)I收直逼47億元，再創(chuàng)歷史新高，加上去年底已向美商Maxim Integrated(美信)購買智慧電表與能源監(jiān)控業(yè)務(wù)部門，預(yù)期對第2季業(yè)績貢獻(xiàn)顯著，營運(yùn)可望再上層樓，今年開春以來股價(jià)上漲逾14%，上周五(8 日)漲7.5元，收388元，受全球股災(zāi)影響不大。　　F-矽力是一家陸資企業(yè)，產(chǎn)品以電源控制芯片為主，終端應(yīng)用包括LED照明、消費(fèi)性電子及網(wǎng)路通訊產(chǎn)品等，公司董事長兼總經(jīng)理陳偉為中國大陸海歸派精英之一，他的第一份工作是在美國太空總署(NASA)從事研發(fā)，后來轉(zhuǎn)到美國民
關(guān)鍵字： F-矽力美信

首屆5G算法創(chuàng)新大賽：F-OFDM賽事評(píng)述

　　萬物互聯(lián)的5G定位，如圖1所示的5G總體愿景，帶來了一系列需要解決的重大技術(shù)難題。比如，如何支持擁有大量連接數(shù)的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用，如何支持對時(shí)延和可靠性要求極高的車聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)，如何支持內(nèi)容越來越多樣速率越來越高的智能手機(jī)業(yè)務(wù)。為了全面實(shí)現(xiàn)5G預(yù)期的各項(xiàng)指標(biāo)和功能，5G關(guān)鍵技術(shù)的研究正如火如荼的開展著。　　圖表 1：5G總體愿景(IMT2020) 　　就在這時(shí)，由Altera、西安電子科技大學(xué)、友晶科技主辦，華為、英特爾、展訊通信贊助的第一屆5G算法創(chuàng)新大賽應(yīng)運(yùn)而生了。我有幸作為三大算法的評(píng)委之一參與
關(guān)鍵字： 5G f-OFDM

電壓/電流與電壓/頻率轉(zhuǎn)換電路（V/I、V/F電路）

　　1電壓/電流轉(zhuǎn)換電路　　電壓/電流轉(zhuǎn)換即V/I轉(zhuǎn)換，是將輸入的電壓信號(hào)轉(zhuǎn)換成滿足一定關(guān)系的電流信號(hào)，轉(zhuǎn)換后的電流相當(dāng)一個(gè)輸出可調(diào)的恒流源，其輸出電流應(yīng)能夠保持穩(wěn)定而不會(huì)隨負(fù)載的變化而變化。V/I轉(zhuǎn)換原理如圖1。　　　　由圖1可見，電路中的主要元件為一運(yùn)算放大器LM324和三極管BG9013及其他輔助元件構(gòu)成，V0為偏置電壓，Vin為輸入電壓即待轉(zhuǎn)換電壓，R為負(fù)載電阻。其中運(yùn)算放大器起比較器作用，將正相端電壓輸入信號(hào)與反相端電壓V-進(jìn)行比較，經(jīng)運(yùn)算放大器放大后再經(jīng)三極管放
關(guān)鍵字： V/I V/F

5G：標(biāo)準(zhǔn)未行，算法等研發(fā)已開始預(yù)熱

2015年5月21日，“第一屆5G算法創(chuàng)新大賽”在西安電子科技大學(xué)啟動(dòng)，其由Altera、西安電子科技大學(xué)、友晶科技主辦，華為、英特爾、展訊等公司贊助。大賽面向全國大專院校碩士和博士研究生以及高年級(jí)本科生開放，預(yù)計(jì)將有百支隊(duì)伍參加。在啟動(dòng)儀式上，部分企業(yè)家談了5G的發(fā)展規(guī)劃及研發(fā)布局。
關(guān)鍵字： 5G 算法 SCMA F-OFDM Polar Code 201507

賽普拉斯推出業(yè)界首款4Mb 串行F-RAM

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，推出一系列4Mb串行鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM™)，這是業(yè)界容量最大的串行F-RAM。該款4Mb串行F-RAM擁有40-Mhz串行外設(shè)接口(SPI)，工作電壓范圍是2.0至3.6V，采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)的封裝方式。賽普拉斯所有的F-RAM均可提供100萬億次的讀寫壽命，85?C溫度下的數(shù)據(jù)保存時(shí)間可達(dá)十年，65?C下則長達(dá)151年。　　對于需要連續(xù)頻繁高速數(shù)據(jù)讀寫，并要求保證數(shù)據(jù)的絕對安全性的應(yīng)用而言，賽普拉斯的F-RAM是理想選擇。這一4
關(guān)鍵字：賽普拉斯 F-RAM

意法半導(dǎo)體（ST）向美國證券交易委員會(huì)提交2014年度Form 20-F報(bào)告

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡稱ST)宣布已于2015年3月3日向美國證券交易委員會(huì)(SEC, Securities and Exchange Commission)提交了截至2014年12月31日的公司年度Form 20-F報(bào)告。投資者可在意法半導(dǎo)體官方網(wǎng)站www.st.com 查看2014年度Form 20-F報(bào)告和審計(jì)完成后的完整財(cái)務(wù)報(bào)告，也可以訪問美國證券交易委員會(huì)網(wǎng)站www.sec.gov查看相關(guān)信息。　　意法半導(dǎo)體為投資
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 Form 20-F

賽普拉斯為其領(lǐng)先業(yè)界的高容量F-RAM產(chǎn)品線增添新的封裝方式和溫度范圍選項(xiàng)

　　賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前宣布，其鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(F-RAM™)產(chǎn)品系列中的1Mb并行異步接口F-RAM增加44-pin TSOPII封裝方式，其2 Mb串行外設(shè)接口(SPI)F-RAM的溫度范圍擴(kuò)展為-40?C 至 +105?C。　　新封裝方式可在替代標(biāo)準(zhǔn)的電池供電的SRAM時(shí)實(shí)現(xiàn)管腳兼容，應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、計(jì)算、網(wǎng)絡(luò)和汽車電子應(yīng)用中的關(guān)鍵任務(wù)系統(tǒng)中。F-RAM與生俱來的非易失性可以實(shí)現(xiàn)瞬間數(shù)據(jù)捕獲，無需電池即可實(shí)現(xiàn)長達(dá)百年的保存時(shí)間。棄用電池可以降低系統(tǒng)成本和復(fù)雜性。2 Mb SP
關(guān)鍵字：賽普拉斯 F-RAM SRAM

基于FPGA的高精度頻率線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)設(shè)計(jì)

　　摘要設(shè)計(jì)了一種線性F/V轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。傳感器輸出的脈沖頻率信號(hào)經(jīng)信號(hào)調(diào)理電路調(diào)理后輸入FPGA，F(xiàn)PGA測量脈沖信號(hào)的頻率，根據(jù)系統(tǒng)精度要求，需設(shè)計(jì)Q格式定點(diǎn)運(yùn)算，測得的頻率經(jīng)FPGA定點(diǎn)運(yùn)算后得到與頻率大小成線性關(guān)系的D/A轉(zhuǎn)換的數(shù)字量，控制串行DAC7551輸出相應(yīng)的電壓值。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，系統(tǒng)的轉(zhuǎn)換精度優(yōu)于0.1%，改變系統(tǒng)的設(shè)計(jì)參數(shù)可實(shí)現(xiàn)更高精度的頻率信號(hào)到電壓信號(hào)的轉(zhuǎn)換。　　關(guān)鍵詞 F/V轉(zhuǎn)換;精度;FPGA;Q8定點(diǎn)運(yùn)算;DAC7551 　　脈沖型流量傳感器是流量儀表中一類主要的流量傳感
關(guān)鍵字： F/V轉(zhuǎn)換 FPGA Q8定點(diǎn)運(yùn)算 DAC7551