首頁　 資訊　 商機 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊 　 Datasheet　 100例 　 活動中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請
EEPW首頁 >> 主題列表 >> 后段制程

通過工藝建模進行后段制程金屬方案分析

  • ●? ?由于阻擋層相對尺寸及電阻率增加問題，半導體行業(yè)正在尋找替代銅的金屬線材料?！? ?在較小尺寸中，釕的性能優(yōu)于銅和鈷，因此是較有潛力的替代材料。隨著互連尺寸縮減，阻擋層占總體線體積的比例逐漸增大。因此，半導體行業(yè)一直在努力尋找可取代傳統(tǒng)銅雙大馬士革方案的替代金屬線材料。相比金屬線寬度，阻擋層尺寸較難縮減（如圖1）。氮化鉭等常見的阻擋層材料電阻率較高，且側壁電子散射較多。因此，相關阻擋層尺寸的增加會導致更為顯著的電阻電容延遲，并可能影響電路性能、并增加功耗。圖1
  • 關鍵字： 工藝建模  后段制程  金屬方案  泛林  
共1條 1/1 1

后段制程介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條后段制程!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對后段制程的理解，并與今后在此搜索后段制程的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關于我們 - 廣告服務 - 企業(yè)會員服務 - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473