IGBT持續(xù)短缺，國(guó)產(chǎn)替代加速突破

來源：凱聯(lián)資本 

IGBT供不應(yīng)求愈演愈烈

從2020年開始，汽車缺芯問題開始出現(xiàn)，進(jìn)入2022年，“缺芯”問題依然沒有得到解決，且在車規(guī)級(jí)IGBT上短缺尤甚。今年業(yè)界持續(xù)有信號(hào)傳出IGBT或?qū)⒊蔀樾履茉雌嚿a(chǎn)瓶頸所在，其影響可能將超過MCU。進(jìn)入5月，IGBT供不應(yīng)求已有愈演愈烈之勢(shì)，預(yù)估IGBT訂單量已超過供應(yīng)商交貨能力一倍。

根據(jù)相關(guān)市場(chǎng)報(bào)告，當(dāng)前，安森美的交期為39-52周，Infineon的交期為39-50周，IXYS的交期為50-54周，Microsemi的交期為40-52周，ST的交期為47-52周。當(dāng)行業(yè)越是缺貨，廠商越傾向于“謊報(bào)”需求、提高下單量，因此難免出現(xiàn)訂單重復(fù)或夸大的情況。若去掉部分非真實(shí)需求訂單，預(yù)計(jì)真實(shí)需求也是實(shí)際供貨能力的1.5倍——這即意味著，目前車規(guī)級(jí)IGBT的缺口已達(dá)50%，甚至更高。

國(guó)際大廠IGBT交期、價(jià)格持續(xù)上升/國(guó)金證券

國(guó)內(nèi)廠商獲得難得的客戶導(dǎo)入機(jī)會(huì)窗口

由于國(guó)際頭部廠商IGBT供貨周期過長(zhǎng)，2021年國(guó)內(nèi)部分造車新勢(shì)力開始轉(zhuǎn)向本土供應(yīng)商；比亞迪在去年年底與士蘭微、斯達(dá)半導(dǎo)、時(shí)代電氣、華潤(rùn)微簽訂IGBT供貨訂單；理想汽車新增時(shí)代電氣為主要供應(yīng)商；東風(fēng)公司與中國(guó)中車聯(lián)手設(shè)立的智新半導(dǎo)體，快速擴(kuò)產(chǎn)IGBT；而斯達(dá)半導(dǎo)則依托匯川技術(shù)和英威騰等本土工控企業(yè)，將產(chǎn)品導(dǎo)入中低端新能源車型，并逐漸向中高端滲透。

從目前國(guó)內(nèi)外IGBT供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)成效上看，今年下半年IGBT產(chǎn)能或仍無法滿足需求。國(guó)際方面，英飛凌的12英寸晶圓廠2021年9月已投產(chǎn)，前期產(chǎn)能2-3萬片/月，2023年滿產(chǎn)8-10萬片/月，滿足不了新能源汽車和光伏市場(chǎng)需求的高速增長(zhǎng)。而安森美和ST方面，兩家公司目前尚沒看到明顯擴(kuò)產(chǎn)。國(guó)內(nèi)供應(yīng)商中，比亞迪半導(dǎo)體IGBT產(chǎn)能自2021年6月已接近滿產(chǎn)，其與時(shí)代電氣的新增晶圓產(chǎn)線均處于早期建設(shè)階段，沒有額外產(chǎn)能釋放；時(shí)代電氣方面，今年4月末該公司表示，2022年落實(shí)的車規(guī)IGBT交付水平有望超過70萬臺(tái)；斯達(dá)半導(dǎo)方面則顯示光伏領(lǐng)域在手訂單是現(xiàn)有產(chǎn)能的數(shù)倍之多；士蘭微方面，公司持續(xù)推進(jìn)12英寸車規(guī)&特殊工藝建設(shè)，而新潔能方面，IGBT產(chǎn)品的營(yíng)收占比也在快速提升。

國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)正迎來黃金時(shí)代

某種程度上說，對(duì)于國(guó)產(chǎn)IGBT企業(yè)來說，現(xiàn)在正是最好的發(fā)展機(jī)會(huì)。一方面，現(xiàn)在正值新能源汽車、光伏、儲(chǔ)能等新市場(chǎng)機(jī)會(huì)的爆發(fā)之際，尤其是新能源汽車及其對(duì)應(yīng)的車規(guī)級(jí)IGBT產(chǎn)品，更是帶來了前所未有的大變局。需求端的迅猛爆發(fā)以及供給端產(chǎn)能爬升滯后且緩慢所帶來的時(shí)間窗口差，給了國(guó)內(nèi)企業(yè)進(jìn)入頭部客戶的機(jī)會(huì)并借此實(shí)現(xiàn)市場(chǎng)占位。另一方面，國(guó)內(nèi)新能源汽車的獨(dú)特市場(chǎng)結(jié)構(gòu)，更是國(guó)產(chǎn)IGBT發(fā)展的沃土。自新能源汽車市場(chǎng)爆發(fā)以來，國(guó)內(nèi)新能源汽車市場(chǎng)直至目前仍然呈現(xiàn)出高端和低價(jià)車兩極分化的局面。相對(duì)而言，國(guó)產(chǎn)IGBT產(chǎn)品價(jià)格更低，在低價(jià)車市場(chǎng)上優(yōu)勢(shì)更大。除IGBT外，此輪IGBT短缺同時(shí)也將帶動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC功率芯片的發(fā)展。相比于IGBT，SiC功率芯片在高頻場(chǎng)景和能量損耗上更有優(yōu)勢(shì)，但也有顯著缺點(diǎn)：成本更高。IGBT短缺帶來的價(jià)格大漲，使兩者之間的價(jià)格差得到縮小，從而帶動(dòng)車規(guī)級(jí)SiC產(chǎn)品進(jìn)一步應(yīng)用。

綜合來看，這一輪IGBT短缺，讓國(guó)產(chǎn)車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體迎來了巨大的替代發(fā)展和換道超車的機(jī)會(huì)。隨著新能源市場(chǎng)的迅速發(fā)展，國(guó)產(chǎn)IGBT企業(yè)正迎來廣闊的星辰大海。