GaN是否可靠?
來源:Sandeep Bahl, TI技術(shù)專家
氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)正迅速獲得采用,因為它能夠提高效率并縮小電源供應器尺寸。不過,在投資這個技術(shù)之前,您可能仍會問自己GaN是否可靠。但令我震驚的是,沒有人問硅(Si)是否可靠。其實仍然有新的硅產(chǎn)品持續(xù)上市,電源設(shè)計人員也同樣關(guān)注硅功率組件的可靠性。
圖1:結(jié)合既有硅標準的GaN特定可靠性準則。
我們將測試分為組件級和電源級模塊,每個模塊都有相關(guān)的標準和準則。在組件級,根據(jù)傳統(tǒng)的硅標準進行偏置、溫度和濕度應力測試,并使用GaN特定測試方法,然后透過施加加速應力直到裝置失效來確定使用壽命。在電源供應級,組件在相關(guān)應用的嚴格操作條件下運作。此外,也驗證發(fā)生偶發(fā)事件時在極端運作條件下的耐受度。GaN FET在應用中的可靠性JEDEC JEP180準則提供確保GaN產(chǎn)品在功率轉(zhuǎn)換應用中達到可靠性的通用方法。為了滿足JEP180,GaN制造商必須證明產(chǎn)品達到相關(guān)應力所需的切換使用壽命,并在電源供應的嚴格運作條件下可靠運作。前一項展示使用切換加速使用壽命測試(SALT)對裝置進行壓力測試,后一項使用動態(tài)高溫運作使用壽命(DHTOL)測試。組件也受到實際情況的極端操作情況所影響,例如短路和電源線突波等事件。諸如LMG3522R030-Q1等TI GaN組件具備內(nèi)建的短路保護功能。一系列應用中的突波耐受度需要同時考慮硬切換和軟切換應力。GaN FET處理電源線突波的方式與硅FET不同。由于GaN FET具備過電壓能力,因此不會進入突崩潰(avalanche breakdown),而是透過突波沖擊進行切換。過電壓能力也可以提高系統(tǒng)可靠性,因為突崩潰FET無法吸收大量突崩潰能量,因此保護電路必須吸收大部份突波。突波吸收組件隨著老化而劣化,硅FET會因此遭受較高程度的突崩潰,這可能會導致故障。相反地,GaN FET仍然能夠持續(xù)切換。驗證GaN產(chǎn)品是否可靠?根據(jù)圖1所示的方法,以TI GaN產(chǎn)品為例進行認證。圖2匯整組件級和電源供應級模塊的全部結(jié)果。圖2:GaN FET的可靠性由GaN特定準則使用圖1所示的方法進行驗證。
在組件級,TI GaN通過傳統(tǒng)的硅認證,而且對于GaN特定的故障機制達到高可靠性。TI設(shè)計并驗證經(jīng)時擊穿(TDB)、電荷擷取和熱電子磨損失效機制的高可靠性,并證明動態(tài)RDS(ON)在老化時保持穩(wěn)定。為了確定組件切換使用壽命, SALT驗證運用加速硬切換應力。TI模型使用切換波形直接計算切換使用壽命,并顯示該GaN FET在整個產(chǎn)品使用壽命期間不會因為硬切換應力而失效。為了驗證電源級的可靠性,在嚴格的電源使用條件下對64個GaN組件進行DHTOL測試。裝置展現(xiàn)穩(wěn)定的效率,沒有硬故障,顯示所有電源操作模式的可靠操作:硬切換和軟切換、第三象限操作、硬換向(反向復原)、具有高轉(zhuǎn)換率的米勒擊穿,以及與驅(qū)動器和其他系統(tǒng)組件之間的可靠互動。此外,透過在硬切換和軟切換操作下對電源中運作的組件施加突波沖擊來驗證突波耐受度,最終顯示這些GaN FET可以透過高達720V的總線電壓突波進行有效切換,因而提供顯著的容限。結(jié)論GaN產(chǎn)業(yè)已經(jīng)建立一套方法來保證GaN產(chǎn)品的可靠性,因此問題并不在于“GaN是否可靠?”,而是“如何驗證GaN的可靠性?”透過組件級和電源級進行驗證,當這些裝置通過硅認證標準和GaN產(chǎn)業(yè)準則,尤其是通過JEP180,才足以證明GaN產(chǎn)品在電源供使用方面極其可靠。*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個人發(fā)布,僅代表博主個人觀點,如有侵權(quán)請聯(lián)系工作人員刪除。