博客專欄

EEPW首頁(yè) > 博客 > 英特爾CEO:公司未來(lái)全押注于Intel 18A的成功!

英特爾CEO:公司未來(lái)全押注于Intel 18A的成功!

發(fā)布人:芯智訊 時(shí)間:2024-03-07 來(lái)源:工程師 發(fā)布文章

Intel 18A制程是英特爾于2021年制訂的“四年實(shí)現(xiàn)五個(gè)工藝制程節(jié)點(diǎn)”計(jì)劃的最后一個(gè)節(jié)點(diǎn),也是英特爾多年晶圓制造經(jīng)驗(yàn)和數(shù)十億美元研發(fā)的結(jié)晶。按照英特爾公布的量產(chǎn)時(shí)間,英特爾將通過(guò)該制程,超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電和三星。

近日,英特爾CEO Pat Gelsinger(帕特·基辛格)接受了Anandtech采訪,記者提問(wèn)稱“英特爾整個(gè)公司押注下個(gè)先進(jìn)制程是否仍正確”,基辛格回應(yīng)稱,他確實(shí)將公司未來(lái)都押注于Intel 18A成功,引起現(xiàn)場(chǎng)人員驚訝。

基辛格進(jìn)一步補(bǔ)充稱,“四年五個(gè)節(jié)點(diǎn)”當(dāng)中一些制程將會(huì)長(zhǎng)期與Intel 18A共存,包括僅適用于服務(wù)器CPU的Intel 3及Intel 18A升級(jí)版。同時(shí)還將與高塔半導(dǎo)體和聯(lián)電合作生產(chǎn)成熟制程,英特爾新墨西哥州新廠還將發(fā)力代工先進(jìn)封裝。換句話說(shuō),盡管Intel 18A未來(lái)可能將會(huì)是英特爾代工業(yè)務(wù)的主要營(yíng)收來(lái)源,但仍會(huì)有許多其他營(yíng)收來(lái)源。

雖然目前Intel 18A尚未成功量產(chǎn),但是在此之前英特爾已經(jīng)取得了很多進(jìn)展。比如,2023年4月英特爾宣布與Arm達(dá)成協(xié)議,將基于Intel 18A打造定制化SoC;2023年7月中旬,英特爾宣布,作為美國(guó)國(guó)防部“快速保障微電子原型-商業(yè)計(jì)劃(RAMP-C)” 計(jì)劃第二階段的一部分,英特爾代工服務(wù)事業(yè)部將新增兩位客戶:波音 ( Boeing) 和諾斯羅普·格魯曼 (Northrop Grumman) ;2023年7月下旬,英特爾又宣布將與瑞典電信設(shè)備制造商愛(ài)立信合作,將利用其Intel 18A制程為愛(ài)立信制造定制 5G SoC(片上系統(tǒng)),為未來(lái)其 5G 基礎(chǔ)設(shè)施打造高度差異化的領(lǐng)先產(chǎn)品;2024年2月22日,在英特爾“ IFS Direct Connect ”活動(dòng)上,微軟宣布計(jì)劃采用Intel 18A制程節(jié)點(diǎn)生產(chǎn)其設(shè)計(jì)的一款芯片。

另外再之前的2023財(cái)年第四季財(cái)報(bào)會(huì)議上,英特爾CEO基辛格透露,Intel 20A和Intel 18A都將在今年就緒,作為首家將GAA晶體管和背面供電技術(shù)同時(shí)納入單個(gè)工藝制程節(jié)點(diǎn)的公司,其背面供電技術(shù)(backside power delivery)更是領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手兩年。其中,英特爾首個(gè)基于Intel 20A工藝Arrow Lake處理器將于今年推出。Intel 18A預(yù)計(jì)將在2024年下半年實(shí)現(xiàn)制造就緒。目前,英特爾第一個(gè)基于Intel 18A工藝的服務(wù)器處理器Clearwater Forest已經(jīng)進(jìn)入晶圓廠,面向客戶端的基于Intel 18A制程的Panther Lake處理器也很快將進(jìn)入晶圓廠。

相比之下,臺(tái)積電和三星的2nm制程工藝的量產(chǎn)時(shí)間都需要等到2025年,此外,在背面供電技術(shù)方面,臺(tái)積電也要等到2026年量產(chǎn)的N2P制程采用采用。也就是說(shuō),最快今年英特爾就將會(huì)實(shí)現(xiàn)在先進(jìn)制程上對(duì)于臺(tái)積電的反超。預(yù)計(jì)英特爾2025年上半年商用的Inte 18A將會(huì)進(jìn)一步擴(kuò)大領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。

此前,基辛格在接受采訪時(shí)表示,Intel 18A制程性能表現(xiàn)將領(lǐng)先于臺(tái)積電N2(2nm)制程。雖然Intel 18A制程與臺(tái)積電N2制程的晶體管(transistor)密度似乎差不多,但英特爾的背面供電技術(shù)更加優(yōu)秀,這讓硅芯片擁有更好的面積效率(area efficiency),意味著成本降低,供電較好則代表表現(xiàn)性能更高。不錯(cuò)的晶體管密度、極佳的供電讓Intel 18A制程略領(lǐng)先臺(tái)積電N2。此外,臺(tái)積電的封裝成本非常高,英特爾毛利率有望緩步增加。

編輯:芯智訊-浪客劍


*博客內(nèi)容為網(wǎng)友個(gè)人發(fā)布,僅代表博主個(gè)人觀點(diǎn),如有侵權(quán)請(qǐng)聯(lián)系工作人員刪除。



關(guān)鍵詞: 英特爾

相關(guān)推薦

技術(shù)專區(qū)

關(guān)閉