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意法推出512Mbit閃存解決方案

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作者: 時間:2005-12-06 來源: 收藏
在一個封裝內(nèi)整合256Mbit和512Mbit的NOR閃存以及PSRAM或LPSDRAM,創(chuàng)造高達1Gbit的多片封裝閃存子系統(tǒng)


半導(dǎo)體近日推出了最新一代手機專用的NOR閃存子系統(tǒng)。半導(dǎo)體是世界最大的NOR閃存供應(yīng)商之一,在開發(fā)半導(dǎo)體精細制造技術(shù)領(lǐng)域居世界領(lǐng)先水平。新的多片子系統(tǒng)在一個封裝內(nèi)整合了ST新開發(fā)的256Mbit和512Mbit單片NOR閃存芯片以及偽靜態(tài)隨機存取存儲器(PSRAM)或小功率同步動態(tài)隨機存取存儲器(LPSDRAM)。新的NOR閃存子系統(tǒng)專門為第三代手機應(yīng)用設(shè)計,采用ST先進的90nm工藝開發(fā)制造,代碼執(zhí)行速度更快,價格更加低廉。

新的閃存子系統(tǒng)采用多片封裝(MCP)技術(shù),含有多種芯片組合,包括:

512 Mbit 閃存 + 64 Mbit PSRAM (M36P0R9060);
512 Mbit 閃存+ 128 Mbit PSRAM (M36P0R9070);
512 Mbit 閃存 + 128 Mbit LPSDRAM (M39P0R9070):

此外,還有容量高達1Gbit的三片疊裝和基于ST新開發(fā)的256MbitNOR閃存的多片封裝產(chǎn)品。

ST新的NOR閃存將存儲性能提升到了一個新的水平,讀取速率高達133MHz,比市場現(xiàn)有產(chǎn)品快2倍。此外,編程速率高達0.5兆字節(jié)每秒,比現(xiàn)有NOR閃存解決方案提高2倍。半導(dǎo)體存儲器產(chǎn)品部副總裁Marco Dallabora說:“我們新的NOR閃存芯片具有優(yōu)異的讀取速度,能夠?qū)崿F(xiàn)目前最快讀取速度的芯片組,因而提高先進手機平臺的代碼執(zhí)行速度。此外,其 每秒 0.5兆字節(jié)的 編程速率以及極低的功耗還支持手機上的高分辨相機?!?nbsp;

ST新的閃存產(chǎn)品不僅采用90nm光刻技術(shù),還運用了經(jīng)過驗證的先進存儲技術(shù),例如,多電平單
元(MLC)閃存和多區(qū)塊體系結(jié)構(gòu),這些特性都是針對第三代多媒體手機的高容量、小尺寸、低功耗和高靈活性等特點專門設(shè)計開發(fā)的。

在封裝方面,采用一個單片小封裝內(nèi)集成不同類型的存儲器的整合方法,可以 節(jié)省電路板空間, 提高制造商產(chǎn)品的可靠性。而且,在一個容量非常小的封裝內(nèi)組裝超大容量的存儲器是即將到來的第三代應(yīng)用處理多媒體內(nèi)容和快速連接互聯(lián)網(wǎng)的基本要求。                                            

軟件支持在客戶的應(yīng)用平臺內(nèi)整合數(shù)據(jù)和文件管理功能,這一特性完善了ST存儲子系統(tǒng)產(chǎn)品范
圍,有助于縮短制造商的產(chǎn)品化周期。

這兩個新產(chǎn)品系列所包含的存儲器組合都已上市銷售,采用BGA封裝:NOR閃存+PSRAM,8 x 11mm (ZAC) LFBGA107封裝;NOR閃存+LPSDRAM,9x11mm(ZAD)xFBGA105封裝。批量采購  價:M36P0R9060單價12美元,M36P0R9070單價14美元,M39P0R9070單價13美元。所有產(chǎn)品數(shù)據(jù)信息將在www.st.com網(wǎng)站上公布。


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