英飛凌日立推出高性能硬盤驅(qū)動器
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“第一種采用90納米工藝技術(shù)的讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品的開發(fā),使英飛凌可以更好地推出下一代集成電路產(chǎn)品,以滿足硬盤驅(qū)動器市場不斷增長的需求,”英飛凌管理董事會成員兼汽車與工業(yè)電子事業(yè)部負(fù)責(zé)人Peter Bauer指出,“我們對市場的承諾和立足點基于廣泛的專利組合(IP Portfolio),我們的專利組合包括低能耗和先進(jìn)的片上系統(tǒng)(SOC)設(shè)計技術(shù),以及對硬盤驅(qū)動器行業(yè)日益重要的技術(shù),例如非易失性存儲器和安全芯片卡解決方案等等。”
英飛凌副總裁兼專用集成電路和設(shè)計解決方案事業(yè)部(ADS)總經(jīng)理Sandro Cerato說:“采用90納米工藝制造讀取信道內(nèi)核,使硬盤驅(qū)動器行業(yè)能夠滿足下一代產(chǎn)品要求,包括更高的數(shù)據(jù)率、更低的能耗和更小的晶片面積,從而能夠以更具競爭力的成本推出更高級的片上系統(tǒng)(SOC)解決方案。首例經(jīng)過測試的內(nèi)核芯片,鎖相環(huán)路(PLL)能夠達(dá)到3.6GHz的速度,而模擬前端信號通道可以實現(xiàn)高達(dá)2.7Gb/s的數(shù)據(jù)率。和采用130納米工藝的先進(jìn)讀取信道相比,性能提高約50%?!?
市場分析公司Gartner Dataquest于2005年8月發(fā)表的研究報告表明,在移動和臺式設(shè)置應(yīng)用的推動下,全球硬盤驅(qū)動器產(chǎn)品市場規(guī)模預(yù)計將從2005年的33億美元增長到2009年的45億美元,增幅近30%。
“這種讀取信道技術(shù)的成功開發(fā),進(jìn)一步證明了日立存儲和英飛凌科技的創(chuàng)新能力和設(shè)計專長,”日立環(huán)球存儲技術(shù)有限公司高級董事兼明尼蘇達(dá)羅徹斯特(Rochester)設(shè)計中心主任Steven Smith指出,“英飛凌展示了其在芯片開發(fā)和集成方面的領(lǐng)先地位,我們對第一種采用90納米工藝制造的讀取信道產(chǎn)品的性能感到非常滿意?!?
新一代讀取信道技術(shù)可以支持一些高級的功能,如垂直錄寫,并利用第二代反向并聯(lián)編碼技術(shù)來大幅提高存儲密度,實現(xiàn)更佳的信噪比(SNR)性能。
英飛凌的90納米讀取信道內(nèi)核立足于一個通用架構(gòu),適用于所有硬盤驅(qū)動器細(xì)分市場(如企業(yè)級、臺式、移動和超低功耗應(yīng)用等)。按照每個細(xì)分市場的特定目標(biāo)參數(shù)進(jìn)行定制化設(shè)計,能夠滿足不同硬盤驅(qū)動器平臺的要求。
目前英飛凌正在開發(fā)另一種讀取信道內(nèi)核產(chǎn)品,用于電池供電設(shè)備,旨在實現(xiàn)極低的功耗。由于采用了能夠支持手機(jī)等便攜產(chǎn)品的英飛凌90納米工藝,這種產(chǎn)品還能實現(xiàn)超長的待機(jī)時間和更佳的泄漏電流表現(xiàn)。
英飛凌采用其90納米CMOS工藝制造的全新讀寫信道內(nèi)核,在單一芯片上融合了高性能、低能耗和模擬器件支持能力,可以滿足不同應(yīng)用的需要。英飛凌先進(jìn)的工藝和設(shè)計體系,能夠讓設(shè)計商以經(jīng)濟(jì)合算的方式對單一芯片上的混合信號和數(shù)字信號處理(DSP)進(jìn)行針對性優(yōu)化,從而滿足從高性能企業(yè)級服務(wù)器到低功耗便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品等各種應(yīng)用的需求。90納米CMOS工藝的主要優(yōu)勢是,利用先進(jìn)的節(jié)能概念,如有源井、時鐘門控(clock-gating)和帶有6-9層銅金屬化的微動開關(guān)等,將多個閾值電壓和多個最小閘極尺寸僅為70納米的閘極氧化層設(shè)備集成于單一芯片上。
英飛凌ADS事業(yè)部的新型硬盤驅(qū)動器控制器可以在全球各地多家芯片工廠生產(chǎn),從而大大方便客戶的供應(yīng)鏈管理和業(yè)務(wù)拓展,這對硬盤驅(qū)動器行業(yè)尤其有益。目前,英飛凌位于德國德累斯頓的工廠和臺灣聯(lián)華電子公司都已引進(jìn)英飛凌的90納米生產(chǎn)工藝。
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