東芝開發(fā)新型電容器DRAM芯片

   近日，日本東芝公司已經(jīng)在一個SOI（絕緣體上外延硅）晶圓上制造出一款128MB無輸出電容器DRAM芯片，正在對這款 芯片進行測試運作。 

　　東芝公司報告稱，去年二月份在最尖端半導(dǎo)體電路技術(shù)國際會議（ISSCC）上東芝公司報告了無輸出電容器DRAM芯片的設(shè)計和模擬效果。在本周舉行的電子裝置國際會議上，東芝公司展示了這款芯片的運作。聲稱是全球最大儲存密度無輸出電容器DRAM芯片。 

　　無輸出電容器DRAM芯片是在絕緣薄膜下電池產(chǎn)生的浮體效應(yīng)取代了電容器使用傳統(tǒng)的DRAM芯片儲存數(shù)據(jù)。除了東芝公司外，創(chuàng)新硅公司和瑞薩科技公司也宣布了無輸出電容器DRAM芯片的原型，它們早在2000年就開始研究浮體效應(yīng)電池儲存器。 

　　東芝公司SoC（系統(tǒng)芯片）研究開發(fā)中心技術(shù)部門AMD公司首席專家Takeshi Hamamoto表示，東芝公司開發(fā)的128MB儲存容量無輸出電容器DRAM芯片是目前新產(chǎn)品中儲存密度最大的產(chǎn)品。他說：“128MB儲存容量的科技價值是巨大的，它的設(shè)計和開發(fā)全部依賴于實際應(yīng)用，如果有必要，在三年內(nèi)我們將能夠在LSI (大規(guī)模集成電路）中使用”。 

　　東芝公司指出，無輸出電容器DRAM芯片是在六層金屬上采用90納米CMOS制造工藝制作的。電池尺寸為0.17平方微米，大約是傳統(tǒng)DRAM電池面積的一半。 

　　在這款芯片的制作中，東芝公司工程師推出了部署版面與信號線、電源線等銅線最優(yōu)化的電池設(shè)計，這些銅線幫助芯片達到 了書寫時間為10 ns（毫微秒，時間單位等于1秒的10億分之一），讀取時間為20ns。 

　　為了全部完成大規(guī)模集成電路的開發(fā)，東芝公司還將繼續(xù)在惡劣的運作環(huán)境中對 芯片進行測試，進一步提高芯片的可靠性。