飛索轉型求生存　鎖定嵌入式存儲器

　　NOR Flash產業(yè)昔日霸主飛索(Spansion)在脫離破產保護后，積極進行大反撲，除了快速處理掉2座晶圓廠賣給德州儀器(TI)外，在產品在線也做大幅度的調整，除鞏固車用NOR Flash產品線之外，也投入相當大資源在內嵌式NOR Flash領域，這部分一直是飛索最擅長同時也是成長性最高的一塊市場，包括工業(yè)領域、個人計算機(PC)等市場，未來內嵌式NOR Flash產品的成長性相當強勁。

　　飛索表示，除了已耕耘20年的車用NOR Flash產品線外，飛索也會把大量資源放在內嵌式產品上，這會是未來成長性最高的產品線，且隨著營運彈性化的策略徹底落實，飛索在回應市場變化和客戶需求上也未更快速。

　　全球內嵌式NOR Flash領域的競爭狀況也相當激烈，過去飛索在此市場產品線相當齊全，從16Mb~512Mb以及1Gb和2Gb等高容量產品線都很齊全，其它競爭對手還包括三星電子(Samsung Electronics)、恒憶(Numonyx)、超捷(SST)旺宏、華邦、Atmel等。

　　飛索過去營運包袱相當重，主要來自于自有晶圓廠的負擔，2010年飛索將日本1座12寸晶圓廠和1座8寸晶圓廠賣給德儀后，主要的生產重心放在位于美國德州奧斯汀的12寸廠Fab 25。

　　企業(yè)營銷總監(jiān)John Nation強調，未來飛索的生產策略上，仍是會以自有的Fab 25廠房為主，其它委外代工的對象還有德州儀器、中芯半導體等;在制程技術上，在Fab 25廠房方面，主要制程技術為110納米、90納米和65納米，未來仍可持續(xù)擴產;與德儀合作的制程技術則以110納米為主;與中芯的代工合作則是以65 納米制程為主。

　　再者，飛索也與爾必達(Elpida)合作NAND Flash產品，將以爾必達在日本廣島的12寸晶圓廠做為生產基地，初期從43納米切入，未來再持續(xù)導入32納米，雙方也宣布采用飛索MirrorBit Charge-Trapping技術的4Gb容量SLC(Single-Level Cell)芯片正式問世，計劃2010年第4季試產，在2011年第1季可步入量產。

　　整體而言，飛索在重整之后，不論是產品線或是生產制造策略上，都做了相當大的轉變，2010年第2季也持續(xù)交出獲利成績單，加上開始在各個產品在線與大廠進行策略聯(lián)盟，飛索積極尋求轉型的過程和成果，市場相當關注。