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MCU內(nèi)嵌Flash內(nèi)存成趨勢(shì)

—— 出貨比重過半
作者: 時(shí)間:2010-11-04 來源:DigiTimes 收藏

  因應(yīng)成長(zhǎng)快速及程序數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需要,內(nèi)嵌內(nèi)存設(shè)計(jì)成為主流趨勢(shì),大廠也紛紛以購(gòu)并或結(jié)盟掌握內(nèi)嵌的相關(guān)IP與制程技術(shù)。本文將探討內(nèi)嵌IP制程技術(shù),為下一代FlashMCU帶來的技術(shù)變革。

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/114232.htm

  FlashMCU出貨比重過半掌握Flash成為MCU開發(fā)關(guān)鍵

  因應(yīng)MCU成長(zhǎng)快速,所帶動(dòng)的程序代碼與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存需要,MCU內(nèi)嵌內(nèi)存類型也從早期Maskrom、EPROM、EEPROM到Flash內(nèi)存。據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)預(yù)估,內(nèi)嵌Flash內(nèi)存的MCU在2010年出貨比重超過50%。也因此MCU大廠也急于掌握內(nèi)嵌Flash內(nèi)存相關(guān)IP與制程技術(shù)。像Microchip就購(gòu)并閃存大廠SST。提供MCU內(nèi)嵌Flash的常憶科技(Chingistek),則提出pFLASH技術(shù)平臺(tái),以2TPMOS半導(dǎo)體技術(shù)為統(tǒng)一性平臺(tái),開發(fā)晶圓代工廠制程驗(yàn)證過的高密度e2Flash以及e2Logic等IP,授權(quán)給MCU業(yè)者做內(nèi)嵌NorFlash的解決方案。

  內(nèi)嵌Flash的技術(shù)關(guān)鍵兼容、成本、耐用度

  良好的MCU內(nèi)嵌Flash技術(shù)關(guān)鍵,在于提供MCU主控端兼容性,最小電路面積、低制造成本、高耐久性抹寫次數(shù)、高質(zhì)量與信賴度及易于給晶圓廠代工以及依比例縮放特性。目前晶圓廠代工Flash制程大多是傳統(tǒng)NMOS半導(dǎo)體制程技術(shù),并再結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)(Standard)以及雙聚合物制程(DoublePoly),前者提供彈性程序與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存空間,后者則提供較大儲(chǔ)存空間、較快讀寫時(shí)間、較長(zhǎng)讀寫壽命。

  以常憶pFusion提供2-TPMOS半導(dǎo)體制程來說,分別就標(biāo)準(zhǔn)邏輯制程提出e2Logic以及雙聚合物制程的e2Flash技術(shù),兩者較傳統(tǒng)NMOS半導(dǎo)體制程的Flash能降低抹除/寫入電流以及耗電量,執(zhí)行效能可達(dá)到內(nèi)嵌EEPROMMCU的水平!且避免寫入數(shù)據(jù)時(shí)引起造成鄰近記錄單位干擾。

  e2Flash技術(shù)與競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)

  進(jìn)一步檢視e2Flash內(nèi)嵌技術(shù),它提供單一記錄細(xì)胞元低于0.1微安培寫入電流(<0.1μA/cell),單一字組程序化時(shí)間低于20μs,區(qū)塊抹除時(shí)間低于2ms,并提供20年保存期限與至少20萬次抹寫周期,工作溫度以0.18微米制程為-40~105℃,0.13微米制程下則可從-40~125℃。

  以0.18、0.13微米與90奈米制程列舉1Mb(128KB)e2Flash電路面積僅1.176、0.98、0.84mm2,2Mb(256KB)則僅占1.91、1.41、1.34mm2,跟目前1.5TnMOSFlash或2TEEPROM等技術(shù)相比,e2Flash除了程序化電流比2TEEPROM較大之外,在整體讀寫速度、耐久度與晶粒面積上,e2Flash也有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

  常憶科技嵌入式非揮發(fā)憶體事業(yè)部總經(jīng)理張有志表示,在維持4ppm不良率情況下,目前e2Flash在2010年出貨=700K,預(yù)估2010年可達(dá)1M。目前0.13微米制程預(yù)估2011年Q1送樣,同時(shí)在2012年進(jìn)一步提升到65奈米制程。

  e2Logic提供彈性化配置與高耐受度

  在不使用模擬訊號(hào)轉(zhuǎn)換的標(biāo)準(zhǔn)邏輯閘制程(StandardLogic)下,e2Logic的FlashIP技術(shù),提供程序代碼與數(shù)據(jù)儲(chǔ)存區(qū)彈性化配置的優(yōu)勢(shì),以及在-40~105℃工作溫度下,數(shù)據(jù)保存時(shí)間確保10年,以及2萬次抹寫周期的耐受度。

  目前常憶提供的0.18微米制程e2LogicFlashIP,工作電壓1.8/3.3V下讀取時(shí)間40奈秒,位寫入時(shí)間為30或500毫秒(程序或數(shù)據(jù)),抹除時(shí)間200毫秒,每MHz下讀取電流為200μA,程序化與抹除電流均為2mA,10萬次抹寫與10年。以64KB程序+512KB數(shù)據(jù)配置面積1.52mm2,32KB程序+256KB數(shù)據(jù)配置電路面積更可縮至0.85mm2。

  e2Logic優(yōu)勢(shì)在于無須多加光罩,適合低功耗快速存取的MCU應(yīng)用設(shè)計(jì),且提供高耐用度與數(shù)據(jù)保存壽命。目前0.18微米1.8/3.3V在2010年Q4針對(duì)客戶送樣,1.8V/5V將于2011年Q1送樣,同時(shí)65奈米制程預(yù)定于2012年Q1送樣。



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