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臺積電稱3D晶體管技術基礎條件尚不成熟

—— 2D晶體管容量達極限后才考慮3D技術
作者: 時間:2011-05-08 來源:道瓊斯通訊社 收藏

  臺灣積體電路制造股份有限公司(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co.,TSM,簡稱:)周四表示,在2D芯片容量達到極限之前,公司不會啟用技術生產(chǎn)半導體,而且3D技術的基礎條件尚不成熟。

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/119304.htm

  英特爾(Intel Co.,INTC)周三稱,公司將一改在矽晶圓上創(chuàng)建2D集成電路的標準做法,轉而采用生產(chǎn)技術。

  英特爾表示,利用比簡單采用新一代生產(chǎn)技術益處更多。

  分析師們表示,上述計劃或能幫助英特爾與競爭對手抗衡,之前,英特爾的芯片大多被高增長的智能手機市場拒之門外。

  目前采用28納米技術生產(chǎn)芯片,該公司計劃在2013年轉用更先進的20納米技術。

  研發(fā)部資深副總裁蔣尚義表示,自2003年以來公司一直在研發(fā)3D晶體管,但目前3D晶體管技術的工具和設計都還不成熟。

  蔣尚義還稱,當公司采用比20納米制程更先進的芯片生產(chǎn)技術,而2D晶體管的容量已達到極限,才會考慮采用3D晶體管。

  按收入計,臺積電是全球最大的芯片代工企業(yè)。



關鍵詞: 臺積電 3D晶體管

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