FSI鎳鉑薄膜工藝成功導(dǎo)入65納米生產(chǎn)工藝

FSI國際有限公司（Nasdaq: FSII）宣布：其PlatNiStrip?鎳-鉑去除工藝已經(jīng)通過幾家全球最大的芯片制造商驗(yàn)證，并且被他們應(yīng)用在65nm技術(shù)器件的生產(chǎn)中。自2005年3月發(fā)布以來，F(xiàn)SI的PlatNiStrip工藝專門設(shè)計(jì)來為芯片制造商提供先進(jìn)的自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物結(jié)構(gòu)(salicide formation)，該項(xiàng)工藝已經(jīng)引起了業(yè)界廣泛的關(guān)注。

"客戶們對(duì)我們能夠在他們的制造生產(chǎn)中快速地實(shí)現(xiàn)該工藝印象深刻，因此他們現(xiàn)在正使用鎳-鉑去除工藝制造65nm 的產(chǎn)品，"FSI董事長兼首席執(zhí)行官Don Mitchell先生說。"在FSI已有的平臺(tái)上不斷地提供并且快速加入先進(jìn)的工藝能力，進(jìn)一步鞏固了我們?cè)诒砻嫣幚眍I(lǐng)域技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者和高性能價(jià)格比伙伴的行業(yè)地位。"

IC 制造廠商已經(jīng)通過增加少量的鉑來提高鎳硅化物薄膜的熱穩(wěn)定性。但是，常用的去除未發(fā)生反應(yīng)鎳的辦法，在選擇性地去除未發(fā)生反應(yīng)鉑的時(shí)候是無效的，這樣會(huì)在晶圓的表面留下了鉑殘留物。FSI的PlatNiStrip鎳-鉑去除工藝，是一種應(yīng)用現(xiàn)場(chǎng)(point-of-use)配制混合酸的方案，能夠同時(shí)去除鎳和鉑而沒有殘留物，同時(shí)對(duì)硅化物、氧化物和氮化物具有高度選擇性，從而促成了鎳-鉑硅化物薄膜的整合。

晶圓廠的數(shù)據(jù)表明，客戶采用PlatNiStrip工藝后實(shí)現(xiàn)了器件性能的顯著提高，不僅使表面電阻率得到了降低，而且分布更加緊密，該項(xiàng)工藝可以通過采用業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)品和在標(biāo)準(zhǔn)的ZETA 噴霧清洗系統(tǒng)上高性能價(jià)格比地實(shí)現(xiàn)。

ZETA 是專為前段(FEOL)和后段(BOEL)、90nm及以下、200/300mm 晶圓批量噴霧清洗而設(shè)計(jì)。該系統(tǒng)使用離心噴霧結(jié)合通用化學(xué)品輸送技術(shù)，可以以可控制的成分和溫度實(shí)現(xiàn)化學(xué)品的制備并直接配送到晶圓表面上。ZETA 系統(tǒng)已被證明應(yīng)用范圍非常廣泛，包括自對(duì)準(zhǔn)多晶硅化物結(jié)構(gòu)的鈷和鎳刻蝕、光刻膠去除、灰化后清洗、非超聲波微粒去除和晶圓回收。