ST與Semikron聯(lián)合發(fā)布高功率應用集成模塊
——
ST與Semikron的合作為傳統(tǒng)的功率器件如IGBT、功率MOSFET及ST所有的ESBT(發(fā)射極開關雙極晶體管)器件等帶來了新機會,具有成本效益的功率雙極與功率MOSFET架構的組合提供了高電壓性能與高開關頻率。
SEMITOP?封裝允許在單一模塊內集成幾個芯片,包括IGBT、二極管與輸入橋式整流器等。封裝級集成度減少了分立解決方案所需的元件數(shù)目、節(jié)省了板空間,并確保了高級連接功能與固有的可靠性。高級工藝與材料的應用,包括:DBC(直接鍵合銅技術)陶瓷基板與內部凝膠涂料等,實現(xiàn)了卓越的熱量管理,使其不會受到外部溫度變化與機械應力的影響。
ST與Semikron的集成功率模塊用于滿足寬范圍應用快速增長地對更高集成與更高可靠性的高功率平臺的需求,具體應用包括:熔接、UPS、家電、馬達驅動與開關電源等。
SEMITOP封裝的使用,使得ST參與 IGBT模塊市場的競爭,并極大的鞏固了其在大批量消費類市場中的領先地位,為客戶帶來了新的價值。
新集成功率模塊的批量生產(chǎn)將于2006年第二季度展開,ST與Semikron將分別將其投入市場,確保雙重資源的同時更好地為客戶供應器件。
評論