ARM與聯(lián)電拓展長期IP合作伙伴關(guān)系至28納米
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晶圓代工大廠聯(lián)華電子(UMC，以下簡稱聯(lián)電)與處理器核心供貨商 ARM 共同宣布，雙方已簽訂長期協(xié)議，將提供聯(lián)電客戶使用經(jīng)聯(lián)電 28納米HPM制程驗證的 ARM Artisan Physical IP 解決方案。
本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/124319.htm聯(lián)電的 28納米 HPM 制程，針對廣泛的應(yīng)用產(chǎn)品，包含手提式產(chǎn)品，像是手機與無線產(chǎn)品等，以及高效能應(yīng)用產(chǎn)品，像是數(shù)字家庭與高速網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)品等。結(jié)合了兩家公司的優(yōu)勢，此次合作將會為雙方客戶帶來優(yōu)質(zhì)的技術(shù)與支持服務(wù)。
“我們很高興聯(lián)電選擇了先進的ARM Artisan實體IP來支持其28納米HPM制程。雙方客戶將可以取得完整實體IP 解決方案，尤其適用于高效能處理器的設(shè)計，例如ARM Cortex-A 系列。” ARM 實體IP 部門執(zhí)行副總裁暨總經(jīng)理Simon Segars表示。
聯(lián)電負責(zé)客戶工程與IP研發(fā)設(shè)計支持副總簡山杰表示：“此次由聯(lián)華電子贊助的研發(fā)計劃，使我們客戶能在聯(lián)電多樣化的尖端制程上，采用最完整的ARM實體IP解決方案，進而掌握關(guān)鍵市場先機，達到更快速的產(chǎn)品上市時程。”
擁有HK/MG組件架構(gòu)優(yōu)異的效能與極低漏電特性，聯(lián)電的gate-last 28納米HPM制程技術(shù)可提供多種不同的組件電壓，內(nèi)存單元與underdrive / overdrive能力，以協(xié)助芯片設(shè)計公司開發(fā)出能兼顧高效能與更長的電池使用時間的產(chǎn)品。聯(lián)華電子的28納米HPM制程預(yù)計于2012年中進入試產(chǎn)。
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