數(shù)字電源控制模擬控制能力

　　　提高效率的另一個區(qū)域是當平均電流小于紋波電流一半時，對低側FET導通時間進行計時。在同步整流中，低側FET保持導通，允許電流逆向進入電感。這意味著RMS電流比平均電流要高。事實上，即使沒有平均電流，RMS電流仍然很高。由于環(huán)流的結果會出現(xiàn)損耗。一種解決方案是改變低側FET的導通時間來優(yōu)化效率。

　　圖15顯示了這樣的事實，如果低側FET導通時間太長，反向電流就會導致較高的損耗。如果低側FET的導通時間太短，則低側FET體二極管的電流導通。還有一個優(yōu)化低側FET計時的方法，可以使用如上所述的占空比觀測技術確定最佳計時。

(圖字：損耗，低側FET導通時間，二極管損耗，反向電流，理想損耗)

　　圖15中電路的測試特性見表3。

　　圖16顯示了利用這項技術與同步整流相比減少的相對損耗。在二極管仿真情況下，非常低的電流的急劇變化是由于轉換到數(shù)字控制器中脈沖省略模式。

　(圖字：二極管損耗，反向電流損耗，損耗(W)，負載電流(A))

　　這些例子說明了數(shù)字控制在效率方面表現(xiàn)優(yōu)于模擬。

　　結論：

　　在本文中，我們已說明了數(shù)字電源控制優(yōu)于傳統(tǒng)模擬控制的許多方面。雖然我們不指望數(shù)字控制完全接管模擬控制的市場，但是我們相信，數(shù)字控制大有前途，而設計者們會發(fā)現(xiàn)采用數(shù)字電源控制器的設計越來越得心應手。

　　　　　表3：測試板特性

　　Fsw=300 kHz

　　上FET = 1個英飛凌BSC030N03LS，RDSon=3mΩ

　　下FET = 2個英飛凌BSC016N03LS，RDSon=1.6mΩ

　　Lout = 0.56μH，DCR = 1.5mΩ

　　Cout = 10個47μF陶瓷

　　1個1000μF，ESR = 160mΩ電解

　　3個820μF，ESR = 10mΩ電解