數(shù)字電源控制模擬控制能力

　　　提高效率的另一個(gè)區(qū)域是當(dāng)平均電流小于紋波電流一半時(shí)，對(duì)低側(cè)FET導(dǎo)通時(shí)間進(jìn)行計(jì)時(shí)。在同步整流中，低側(cè)FET保持導(dǎo)通，允許電流逆向進(jìn)入電感。這意味著RMS電流比平均電流要高。事實(shí)上，即使沒有平均電流，RMS電流仍然很高。由于環(huán)流的結(jié)果會(huì)出現(xiàn)損耗。一種解決方案是改變低側(cè)FET的導(dǎo)通時(shí)間來優(yōu)化效率。

　　圖15顯示了這樣的事實(shí)，如果低側(cè)FET導(dǎo)通時(shí)間太長，反向電流就會(huì)導(dǎo)致較高的損耗。如果低側(cè)FET的導(dǎo)通時(shí)間太短，則低側(cè)FET體二極管的電流導(dǎo)通。還有一個(gè)優(yōu)化低側(cè)FET計(jì)時(shí)的方法，可以使用如上所述的占空比觀測技術(shù)確定最佳計(jì)時(shí)。

(圖字：損耗，低側(cè)FET導(dǎo)通時(shí)間，二極管損耗，反向電流，理想損耗)

　　圖15中電路的測試特性見表3。

　　圖16顯示了利用這項(xiàng)技術(shù)與同步整流相比減少的相對(duì)損耗。在二極管仿真情況下，非常低的電流的急劇變化是由于轉(zhuǎn)換到數(shù)字控制器中脈沖省略模式。

　(圖字：二極管損耗，反向電流損耗，損耗(W)，負(fù)載電流(A))

　　這些例子說明了數(shù)字控制在效率方面表現(xiàn)優(yōu)于模擬。

　　結(jié)論：

　　在本文中，我們已說明了數(shù)字電源控制優(yōu)于傳統(tǒng)模擬控制的許多方面。雖然我們不指望數(shù)字控制完全接管模擬控制的市場，但是我們相信，數(shù)字控制大有前途，而設(shè)計(jì)者們會(huì)發(fā)現(xiàn)采用數(shù)字電源控制器的設(shè)計(jì)越來越得心應(yīng)手。

　　　　　表3：測試板特性

　　Fsw=300 kHz

　　上FET = 1個(gè)英飛凌BSC030N03LS，RDSon=3mΩ

　　下FET = 2個(gè)英飛凌BSC016N03LS，RDSon=1.6mΩ

　　Lout = 0.56μH，DCR = 1.5mΩ

　　Cout = 10個(gè)47μF陶瓷

　　1個(gè)1000μF，ESR = 160mΩ電解

　　3個(gè)820μF，ESR = 10mΩ電解