聯(lián)華電子12英寸紀元 大幅提升28nm產(chǎn)能

　　聯(lián)華電子24日舉行南科十二寸晶圓廠Fab12A第五、第六期廠房動土典禮。此次擴建將開啟聯(lián)華電子12寸制造新紀元，不僅大幅提升28nm產(chǎn)能，也為20nm及以下制程奠定穩(wěn)固基石，除滿足客戶對先進制程的需求外，更將推動聯(lián)華電子邁入下一波成長。

　　聯(lián)華電子董事長洪嘉聰表示，“我們樂觀看待半導體與晶圓專工產(chǎn)業(yè)的長期發(fā)展，為因應產(chǎn)業(yè)環(huán)境快速變化與掌握市場先機，我們訂定以客戶導向晶圓專工解決方案做為經(jīng)營策略，此一策略系由純晶圓專工模式與開放的供應鏈生態(tài)系統(tǒng)所組成。在此經(jīng)營模式下，我們依據(jù)客戶需求與所處供應鏈中的位置，適時且持續(xù)地投資，與客戶、供應鏈廠商之間形成互補互利且共創(chuàng)三贏的長期伙伴關(guān)系。Fab 12A廠區(qū)第一至四期預計資本支出將達美金80億元，第五及第六期預定再投入約美金80億元，第七及第八期廠區(qū)也將陸續(xù)展開規(guī)劃，展現(xiàn)聯(lián)華電子永續(xù)經(jīng)營的決心。”

　　聯(lián)華電子執(zhí)行長孫世偉博士表示，“過去十年，我們位于臺灣與新加坡的12寸晶圓廠，鞏固了聯(lián)華電子在晶圓專工的領(lǐng)導地位。經(jīng)由多年來自主研發(fā)的努力，聯(lián)華電子成功開發(fā)出一系列最先進半導體技術(shù); 28nm Poly SiON 進入行動通訊及運算產(chǎn)品上量的階段， 28nm Gate-Last HK/MG 也將于今年下半年導入旗艦產(chǎn)品之試產(chǎn)， 20nm HK-Last HK/MG 與 14nm FinFET 的研發(fā)進展順利， 12寸特殊制程如高壓、嵌入式非揮發(fā)性記憶體、背面照度式CMOS影像傳感器、2.5D interposer、3D IC TSV 等技術(shù)也與客戶密切合作開發(fā)，使聯(lián)華電子成為供應全方位技術(shù)的晶圓專工領(lǐng)導廠商。我們深信，與客戶及供應鏈伙伴間的密切合作，將成為共同追求成長并降低風險的致勝關(guān)鍵。聯(lián)電Fab 12A晶圓廠區(qū)第五至第八期擴建工程，將與客戶及廠商技術(shù)藍圖緊密配合，遵循聯(lián)電“客戶導向晶圓專工解決方案”的經(jīng)營策略，強化本身競爭力，協(xié)助客戶順利導入新世代產(chǎn)品，并持續(xù)為公司成長注入動能，進一步提升獲利能力及股東權(quán)益報酬。”

　　聯(lián)華電子於1999年11月進駐臺南科學園區(qū)，建造臺灣第一座12寸晶圓專工廠。今日動土興建的第五、第六期廠房，將成為全球供應28, 20及14nm產(chǎn)能的尖端12寸晶圓專工廠，預計在 2013 年下半年進行機臺移入。潔凈室總面積為5萬3千平方公尺，相當於10座美式足球場大小，F(xiàn)ab 12A廠區(qū)將增加超過2,600個工作機會，最大規(guī)劃月產(chǎn)能將由8萬片提升至13萬片，加上規(guī)劃中的第七、第八期廠房，F(xiàn)ab 12A總計八期的晶圓廠，月產(chǎn)能將達到18萬片。聯(lián)華電子不斷擴增在臺南科學園區(qū)的投資規(guī)模，除了堅定落實“深耕臺灣，布局全球”的經(jīng)營承諾，也將啟動聯(lián)電下一波高成長時代的來臨。