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富士通推出基于2.7V-5.5V的寬電壓FRAM產(chǎn)品

作者: 時(shí)間:2012-10-16 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  半導(dǎo)體(上海)有限公司日前宣布,推出其V系列的又一款新產(chǎn)品。至今為止,V系列產(chǎn)品已經(jīng)涵蓋了4Kbit,16Kbit,64Kbit,256Kbit等容量。首款可在2.7V-5.5V電壓范圍內(nèi)工作的產(chǎn)品,為當(dāng)今對元器件電壓范圍要求高的領(lǐng)域提供了設(shè)計(jì)的方便。作為全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器供應(yīng)商,富士通后續(xù)還將根據(jù)市場需求推出更大容量的產(chǎn)品。  

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/137727.htm

芯片圖

  FRAM產(chǎn)品結(jié)合了ROM的非易性數(shù)據(jù)存儲(chǔ)性能和RAM的優(yōu)勢,具有幾乎無限次的讀寫次數(shù)、高速讀寫周期和低功耗特點(diǎn)。富士通FRAM產(chǎn)品線具有多種接口和容量,包括工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的串行和并行接口;富士通FRAM產(chǎn)品具備了高速讀寫,高耐久性,低功耗三大特點(diǎn),使其不同于其他非易失性存儲(chǔ)器。FRAM產(chǎn)品廣泛的應(yīng)用于儀器儀表,工業(yè)控制,汽車電子,金融POS等各種先進(jìn)領(lǐng)域,對于這些領(lǐng)域來說FRAM的高速讀寫,高耐久性,低功耗等特性非常重要。

  憑借公司內(nèi)部一體化的開發(fā)和制造流程,富士通半導(dǎo)體可以更加優(yōu)化設(shè)計(jì)和工廠間的密切合作,這為富士通向客戶穩(wěn)定的提供高質(zhì)量產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。

  • 富士通FRAM現(xiàn)有產(chǎn)品列表  

 

  • MB85RC256V重要參數(shù)

  •256Kb 存儲(chǔ)容量,采用32kx 8位結(jié)構(gòu)
  •1012次的讀寫次數(shù)
  •數(shù)據(jù)保存10年(+85°C)
  •2.7V-5.5V工作電壓范圍

  • 串行外設(shè)接口-I2C

  •4.5V-5.5V,工作頻率達(dá)1MHz
  •2.7V-4.5V,工作頻率達(dá)400KHz

  • 溫度及封裝配置

  •-40°C至 +85°C的工業(yè)溫度范圍
  •支持3.9mmx5.05mm和5.30mmx5.24mm兩種尺寸的SOP-8封裝

  • 供貨時(shí)間

  從2012年8月中旬起提供樣品,2012年10月中旬起可以接受批量訂貨。



關(guān)鍵詞: 富士通 FRAM MB85RC256V

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