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飛兆的100V BOOSTPAK解決方案降低了系統(tǒng)成本

—— 集成解決方案將MOSFET和二極管置于一個(gè)封裝內(nèi),簡(jiǎn)化了電路板裝配并節(jié)省了空間
作者: 時(shí)間:2013-06-05 來(lái)源:電子產(chǎn)品世界 收藏

  半導(dǎo)體公司是高性能功率半導(dǎo)體和移動(dòng)半導(dǎo)體解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商,通過(guò)引入 100 V BoostPak 設(shè)備系列優(yōu)化 和二極管選擇過(guò)程,將 和二極管集成在一個(gè)封裝內(nèi),代替 電視 / 顯示器背光、 照明和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中目前使用的分立式解決方案。  

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/146096.htm
 

  通過(guò)將 和二極管集成到一個(gè)獨(dú)立封裝內(nèi),F(xiàn)DD1600N10ALZD和FDD850N10LD設(shè)備節(jié)省了電路板空間,簡(jiǎn)化了裝配,降低了材料清單成本并改進(jìn)了應(yīng)用的可靠性。兩款產(chǎn)品的詳細(xì)資料,請(qǐng)?jiān)L問(wèn):http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120896http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120897

  該元件的N溝道MOSFET采用半導(dǎo)體 PowerTrench®工藝生產(chǎn),這一先進(jìn)工藝專(zhuān)用于最小化導(dǎo)通電阻,同時(shí)保持卓越的開(kāi)關(guān)性能。 NP二極管為超快速整流器,帶低正向?qū)▔航?,具有出色的開(kāi)關(guān)性能。 與肖特基二極管相比,其泄漏電流更低,改進(jìn)了高溫應(yīng)用中的系統(tǒng)可靠性。

  主要功能:

  FDD1600N10ALZD:
  RDS(ON) = 124 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 3.4 A
  RDS(ON) = 175 mΩ(典型值)@ VGS = 5 V,ID = 2.1 A
  低柵極電荷 = 2.78 nC(典型值)
  低反向電容 (Crss) = 2.04 pF(典型值)

  FDD850N10LD:
  RDS(ON) = 61 mΩ(典型值)@ VGS = 10 V,ID = 12 A
  RDS(ON) = 64 mΩ(典型值)@ VGS = 5.0 V,ID = 12 A
  低柵極電荷 = 22.2 nC(典型值)
  低反向電容 (Crss) = 42 pF(典型值)

  都有:
  快速開(kāi)關(guān)
  100%經(jīng)過(guò)雪崩測(cè)試
  可提高dv/dt處理能力
  符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)

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