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Hi-Q Low ESR 積層陶瓷電容器的新要求

作者: 時(shí)間:2011-06-01 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏
  

本文引用地址:http://www.butianyuan.cn/article/156224.htm
華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

  華新科技身為臺灣電子被動元件領(lǐng)導(dǎo)廠商,綜觀內(nèi)部核心技術(shù)及市場需求,成功自行研發(fā)出NP0-Cu MLCC低溫?zé)Y(jié)材料系統(tǒng),由高品質(zhì)因子的微波介電與導(dǎo)電性極佳的銅金屬電極組成,并導(dǎo)入新式卑金屬低溫共燒制程(BME-Cu),與超低等效串聯(lián)電阻之內(nèi)電極設(shè)計(jì),并取得多項(xiàng)材料與技術(shù)專利。如下圖與日系廠商在高頻特性的比較,可發(fā)現(xiàn)華新科技RF系列的NPO-Cu MLCC表現(xiàn)甚至超越日系廠商。

  

華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

  

華新科技推出射頻專用Hi-Q Low ESR積層陶瓷電容器

  此一系列產(chǎn)品的推出,不僅大幅提升臺灣元件的制作技術(shù)水平,更打破日商壟斷的局面,能進(jìn)一步與日系大廠并駕齊驅(qū),并可提供臺灣系統(tǒng)廠商相較日系供應(yīng)商更快速的產(chǎn)品交期、經(jīng)濟(jì)的購得成本與即時(shí)完整的技術(shù)服務(wù),使得通訊產(chǎn)業(yè)能加快產(chǎn)品問世速度,亦在全球性競賽中持續(xù)保有其競爭力。


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關(guān)鍵詞: 電容器 要求 陶瓷 ESR Low Hi-Q

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