一種低電壓低靜態(tài)電流LDO的電路設(shè)計（二）

2 電路設(shè)計與實現(xiàn)

本文所提的低電壓、低靜態(tài)電流的精簡結(jié)構(gòu)的LDO如圖2所示。LDO的輸出級是一個A類共源級電路，包括PMOS功率管M1,三極管Q1、Q2,電阻R1,R2,R3,Resr和輸出負(fù)載補償電容C1.功率管M1有非常大的寬長比來驅(qū)動比較大的負(fù)載電流。因此M1的溝長選取最小的值，達到盡可能小的寄身電容和尺寸面積。為了獲取好的暫態(tài)輸出特性以及環(huán)路穩(wěn)定，輸出補償電容取5 μF.帶隙基準(zhǔn)電路包括三極管Q1,Q2,Q3和電阻R1,R2,R3.選取Q2的射級面積為Q1和Q3的射級面積8倍，這是Q2面積和R2阻值折中結(jié)果。三極管Q3和晶體管M6構(gòu)成一個共集電極的電路，為環(huán)路提供高增益。緩沖級包括晶體管M2,M3和M4.因為NMOS源跟隨器，在低負(fù)載情況下并不能完全關(guān)斷功率管，PMOS源跟隨器并不適合本電路的1.35低電壓環(huán)境，所以選用了二極管連結(jié)的PMOS負(fù)載共源級電路作為緩沖級。這種結(jié)構(gòu)不僅獲得低的輸出阻抗，同時達到180°的相位偏移，使整個閉環(huán)環(huán)路構(gòu)成一個負(fù)反饋。M3作用是在低負(fù)載電流的情況是為M4提供一些偏置電流，否則可能出現(xiàn)M4的柵源電壓過低，導(dǎo)致三極管Q3進入飽和狀態(tài)，降低Q3的電流增益，影響帶隙基準(zhǔn)電壓的精確度。通過Q4和M7構(gòu)成的偏置電路，使得三極管Q1,Q3有相等的集電極電流。晶體管M5,M8和M9構(gòu)成LDO的啟動電路。在剛有電壓輸入情況下，M8和M9構(gòu)成一個反相器輸出一個低電壓信號，使M5導(dǎo)通來啟動整個電路。

3 電路仿真結(jié)果

基于CSMC 0.5 μm 雙阱CMOS 工藝仿真模型，采用Cadence仿真軟件對精簡結(jié)構(gòu)LDO進行了三個工藝角(tt,ff,ss)下仿真驗證。這個系統(tǒng)設(shè)計指標(biāo)的是讓LDO驅(qū)動最大30 mA的負(fù)載電流，同時保持輸出電壓穩(wěn)定在1.14 V,輸入電壓最小為1.35 V.LDO 的溫漂曲線如圖3所示。

通過采用補償電容外接串聯(lián)電阻的方法，創(chuàng)造一個左半平面的零點來補償一個非主極點，讓電路獲得比較好的環(huán)路相位裕度，在三個工藝角下，相位裕度都能達到70°(見圖4)。