一種負(fù)荷閾值可配置的電源保護(hù)裝置的設(shè)計(jì)
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時(shí)間：2012-07-05
來(lái)源：網(wǎng)絡(luò)
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4 電壓比較與MoS管控制
電壓比較部分本設(shè)計(jì)選用了TI公司的LM293，電壓比較電路與MOS管控制電路如圖5所示。
圖中比較器同向輸人端連接INA168輸出的電流采樣電壓VO；反向輸入端連接DAC8554輸出的配置好的閾值電壓VAOUT。
若VOVAOUT，即，電流采樣電壓在閾值范圍之內(nèi)，比較器輸出近似0 V，通過(guò)反向施密特觸發(fā)器74HC14DR，輸出高電平，光耦關(guān)斷，PNP三極管導(dǎo)通，MOS管處于導(dǎo)通狀態(tài)；若VO>VAOUT，電流采樣電壓超出閾值范圍，比較器輸出為+5 V，經(jīng)過(guò)反向施密特觸發(fā)器，輸出低電平，光耦導(dǎo)通，PNP三極管關(guān)斷，MOS管也處于關(guān)斷狀態(tài)。由此實(shí)現(xiàn)了過(guò)流保護(hù)的目的。而VAOUT是由DAC8554輸出，可自由調(diào)控，也就實(shí)現(xiàn)了可配置過(guò)流閾值的目的。
5 自鎖電路
回路過(guò)流后，MOS管自動(dòng)關(guān)斷，回路瞬間處于無(wú)電流狀態(tài)，INA168采集到的信號(hào)為無(wú)電流狀態(tài)，MOS管在關(guān)斷后會(huì)跳變回導(dǎo)通狀態(tài)，因此本設(shè)計(jì)需要一個(gè)自鎖電路，在保證MOSFET關(guān)斷后不會(huì)重新打開(kāi)。
實(shí)現(xiàn)方法如圖6所示。本文引用地址：http://butianyuan.cn/article/176764.htm
圖中，用一個(gè)開(kāi)關(guān)J2代替了MOSFET來(lái)做仿真，J1為一個(gè)自鎖電路的開(kāi)關(guān)，J1閉合，即J1電平為低時(shí)，自鎖電路工作。比較器LM293輸出的為高電平時(shí)，閉合J1，即置J1為低電平，自鎖電路開(kāi)始工作，J2一旦斷開(kāi)，即比較器輸出為低電平，只要一直保持閉合狀態(tài)，即使J2閉合，比較器輸出也為低，這樣就能保證過(guò)流的回路切斷后，在沒(méi)有電流的狀態(tài)也能保證NOSFET一直處于關(guān)斷的狀態(tài)。
電路自鎖后，可通過(guò)J1來(lái)接觸自鎖，將J1斷開(kāi)，即置J1為高電平，可接觸自鎖。在回路有電流通過(guò)時(shí)閉合J1，即置J1低電平，電路將處于初始化狀態(tài)。這里，J1可用一路DO信號(hào)代替，程控自鎖電路的開(kāi)關(guān)。
評(píng)論