微功耗清潔能源存貯系統(tǒng)
⑶ 采用鉛網(wǎng)替代傳統(tǒng)的柵板zgrid{,減輕電池重量節(jié)省耗材,讓電池的重量比能量大為提高zR40wh/kg{,同時(shí)電池的充電接受率也提高,因此有利于快速充電。
⑷ 因?yàn)殂U網(wǎng)抗拉強(qiáng)度大,能耐充放電循環(huán)中極板活物質(zhì)的形狀變化,因此循環(huán)壽命次數(shù)也相對(duì)提高。
⑸ Horizon使用專有的材料與制造設(shè)備,可快速的連續(xù)性生產(chǎn)Horizon高功率環(huán)保鉛酸電池,從包鉛、織網(wǎng)至組裝成品約僅需4h,最后化成充電時(shí)間約3d。而傳統(tǒng)電池的制造時(shí)間必需耗費(fèi)7d,最后化成最長(zhǎng)需15d時(shí)間。
⑹ 本產(chǎn)品過(guò)去經(jīng)過(guò)多個(gè)獨(dú)立單位測(cè)試,其整個(gè)電池的生產(chǎn)技術(shù)及表現(xiàn)應(yīng)無(wú)問(wèn)題。唯公司導(dǎo)入自動(dòng)化量產(chǎn)設(shè)備,設(shè)廠后仍然需要時(shí)間調(diào)整以提高效率。
⑺ 產(chǎn)品環(huán)保。采用玻璃纖維復(fù)合材料板柵極大地降低了電池極板的重量,比普通鉛酸蓄電池輕約30%。
⑻ 生產(chǎn)環(huán)保。水平電池采用的復(fù)合玻璃鉛絲擠壓成型和編織工藝,過(guò)程中沒(méi)有鉛蒸汽產(chǎn)生;采用完全的內(nèi)化成,避免了外化成酸霧的產(chǎn)生;整條生產(chǎn)線在封閉環(huán)境內(nèi),生產(chǎn)線空氣經(jīng)過(guò)嚴(yán)格高效的凈化處理,極板干燥所產(chǎn)生以及沖洗設(shè)備產(chǎn)生的廢水都經(jīng)中和、沉淀、過(guò)濾凈化后循環(huán)使用,對(duì)環(huán)境沒(méi)有污染。
⑼ 千網(wǎng)水平電池的制程本身完全可回收,以目前工廠的報(bào)廢品也都可以回收。
⑽ 1顆高功率環(huán)保鉛酸電池可抵4顆 Group 31 傳統(tǒng)電池,可減少卡車重量負(fù)荷 200 P以上,重量減輕可減少燃油耗損、提高啟動(dòng)能力的可靠性并增加負(fù)載能力。
⑾ 電池具備質(zhì)量輕、高電流容量、深度放電及快速充電特性。
7 直流逆變器
直流逆變器采用簡(jiǎn)單的電容網(wǎng)絡(luò),實(shí)現(xiàn)了直流電壓的逆變。其最大特點(diǎn)是,電路簡(jiǎn)單,所有器件工作在工頻,不產(chǎn)生EMI干擾,因此,功耗極小而壽命極長(zhǎng),安全可靠,節(jié)能環(huán)保,成本低,制作安裝容易。
7.1 直流逆變器工作原理
圖11是微功耗直流逆變器工作原理示意圖,工作過(guò)程如下。
⑴ 正弦波前10ms面積沿Y軸N等分,此處以4等分為例。
⑵ 每個(gè)等分以下底為一邊作4個(gè)長(zhǎng)方形,堆累成塔形如圖示。
⑶ 利用電容網(wǎng)絡(luò)由輸入直流電壓產(chǎn)生塔形波,這是實(shí)施直流逆變的第一步。
⑷ 用正弦波從內(nèi)部切割此塔形,正弦波的幅值選擇原則,是使得正弦波在內(nèi)部剛好和塔形波的直角邊相切。
⑸ 塔形波被切去多余部份后的實(shí)體正弦波,剛好是輸出的正弦波電壓Va。
⑹ 塔形波切下來(lái)的多余部份打散、揉合,變換成正弦波電壓Vb,與前述Va同時(shí)輸出,產(chǎn)生輸出電壓Vo的前10ms波形。
⑺ 正弦波后10ms處理方法同上,產(chǎn)生輸出電壓Vo的后10ms波形。
圖11 直流逆變器工作原理示意圖
7.2 四階塔形波產(chǎn)生電路
塔形波產(chǎn)生電路,實(shí)際上是一個(gè)電容升壓網(wǎng)絡(luò),圖12是4階塔形波產(chǎn)生電路,為了簡(jiǎn)化說(shuō)明,以電源V3、V5、V7、V9、V11、V13、V15、V17代表網(wǎng)絡(luò)電容上的電壓。圖12中,MOS管Q4、Q6、Q8、Q10等組成4階電容網(wǎng)絡(luò)的正臂,MOS管Q2、Q5、Q7、Q9等組成4階電容網(wǎng)絡(luò)的負(fù)臂,其中Q6、Q5、V7、V9、D3、D4組成了電容網(wǎng)絡(luò)的一階,從下到上階數(shù)遞增。有關(guān)電容升壓網(wǎng)絡(luò),參考文獻(xiàn)[4]、[5]。
圖12 塔形波(4階)產(chǎn)生電路
前10ms,電容網(wǎng)絡(luò)的正臂啟動(dòng),各階MOS管柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)導(dǎo)通時(shí)間隨階數(shù)增加按每次2ms遞減,各階MOS管柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)延時(shí)時(shí)間按每次1ms遞增,第一階MOS管Q10的驅(qū)動(dòng)信號(hào)V16的導(dǎo)通時(shí)間為10ms,延時(shí)時(shí)間為0ms,依此類推。Q1、Q3柵極所加驅(qū)動(dòng)信號(hào)是周期20ms的等幅方波電壓,前10ms期間,Q1飽和導(dǎo)通。在V16高電平期間(脈寬10ms,延時(shí)0ms),Q10飽和導(dǎo)通,V15上的電壓通過(guò)Q10的漏源極、D2、Q1的漏源極,在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間10ms、幅值為V15的方形電壓S1;在V12高電平期間(脈寬8ms,延時(shí)1ms),Q8飽和導(dǎo)通,V11上的電壓通過(guò)Q8的漏源極、D6、Q1的漏源極,在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間8ms、幅值為V11的方形電壓S2,S2左右對(duì)稱地堆在S1之上;在V8高電平期間(脈寬6ms,延時(shí)2ms),Q6飽和導(dǎo)通,V7上的電壓通過(guò)Q6的漏源極、D3、Q1的漏源極,在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間6ms、幅值為V7的方形電壓S3,S3左右對(duì)稱地堆在S2之上;在V4高電平期間(脈寬4ms,延時(shí)3ms),Q4飽和導(dǎo)通,V3上的電壓通過(guò)Q4的漏源極、D1、Q1的漏源極,在負(fù)載電阻R1上產(chǎn)生持續(xù)時(shí)間4ms、幅值為V3的方形電壓S4,S4左右對(duì)稱地堆在S3之上;在前10ms到來(lái)的最后時(shí)刻,在負(fù)載電阻R1上形成S1在下、S4在上、持續(xù)時(shí)間遞減的寶塔波電壓。
評(píng)論