新聞中心

EEPW首頁 > 電源與新能源 > 設計應用 > 輕軌車應急通風電源前級DC/DC變換器研制

輕軌車應急通風電源前級DC/DC變換器研制

作者: 時間:2012-04-06 來源:網絡 收藏

Edin的計算式為:
Edis的計算式為:
f.JPG

本文引用地址:http://butianyuan.cn/article/177595.htm

e.JPG


通過對比可見,拓撲Ⅲ箝位吸收效果最好,拓撲Ⅱ箝位吸收效果比拓撲I稍好。
2.3 吸收電路結構和參數(shù)選擇
RCD吸收電路的基本工作原理:整流二極管反向恢復過程中,變壓器漏感和電路寄生電感與二極管結電容諧振,使二極管承受反向尖峰電壓;當電壓尖峰高于RCD電路中uCs,由于電荷守恒,Cs與二極管結電容按容量比例分配電荷;Cs往往遠大于結電容,因此相當于把峰值電壓箝位至:
g.JPG
式中:Ucm為Cs半周起始電壓;Qrr為反向恢復電荷。
對于RCD吸收電路,當RsCs乘積較大時,Cs的放電速度慢,在半個周期內無法下降到Uin,因而Uc高,但由于其Rs較大,損耗會相對較小,稱為弱吸收,反之則稱為強吸收。
RCD吸收電路穩(wěn)定工作時,其電壓和能量是平衡的,即Cs箝位上升的電壓必須在半個周期內通過Rs釋放掉,而且電壓尖峰的能量必須被Rs
吸收。若Rs增大則放電變慢,根據(jù)平衡條件,Us會被抬高,而Rs上的損耗會減小。
該設計由于開關頻率很高,為50 kHz,要求Cs放電時間很短,否則極易進入弱吸收狀態(tài),抬高Uc。因此需結合開關管的工作情況確定吸收電路的工作狀態(tài),并結合發(fā)熱情況綜合考慮Rs,Cs的取值。
在初級MOSFET兩端添加RCD吸收電路,因輸入電壓僅為24 V,產生峰值較小,在Rs上產生的損耗相對很小。因此選擇拓撲Ⅲ,并選取阻值較小的Rs和容值較小的Cs,使RCD吸收電路工作在強吸收狀態(tài),從而最大程度限制電壓尖峰。根據(jù)實驗結果,兼顧吸收效果和溫升,選Rs為300Ω/8 W的功率電阻,Cs為1 000 pF/100 V的CBB電容。
在次級整流橋后添加吸收電路,整流二極管兩端電壓尖峰很大,同時由于輸出電壓很高,若采用拓撲Ⅲ,將產生巨大的損耗,因此將其排除。
對于拓撲I,Ⅱ,若Rs取值很小,損耗也會非常嚴重,因此Rs必須取較大的阻值,使系統(tǒng)工作在弱吸收狀態(tài)。在此狀態(tài)下RsCs越小,Uc越小,因此選擇Cs容值時應盡可能小,但必須保證Cs的容量足以吸收尖峰電壓。通過實驗,綜合考慮吸收效果和發(fā)熱情況,Rs選取10 kΩ/50 W的鋁殼電阻,Cs選擇4700 pF/1 kV的高頻吸收電容。為彌補吸收效果的不足,在RCD吸收旁并聯(lián)RC吸收電路,R選擇10kΩ/50W的鋁殼電阻,C選擇4700pF的高頻吸收電容。
在選定參數(shù)情況下,次級RCD吸收電路采用拓撲I,Ⅱ,Ⅲ的Rs10 min溫升分別為15℃,18℃,55 ℃;Uc分別為960 V,938 V,930 V??紤]吸收效果和電阻的發(fā)熱情況,選擇拓撲Ⅱ吸收電路。

3 實驗驗證
圖4為優(yōu)化后的主電路。的輸出功率為1 kW,輸出電壓為500~650 V,根據(jù)P=UI,可得Io為1.54~2 A。輸入電壓為24 V,波動范圍為18~30V,可得初級電流有效值為33.3~55.6A??梢姵跫壒ぷ髟诘蛪捍箅娏鳡顟B(tài),次級工作在高壓低電流狀態(tài),器件的選型就是基于該計算結果。

h.JPG


選擇150 A/100 V的MOSFET作為開關管,二極管選用FFPFF10F150S,其主要參數(shù)10 A/1.5 kV,變壓器匝比為3:100,Lf=6 mH,G選1μF/1 kV的CBB電容。C1選擇1 000μF/100V的電解電容,C2選擇200μF/1 kV的電解電容。



評論


相關推薦

技術專區(qū)

關閉